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      数间公司在不久前开设了半导体奖学金,由IBM创建并联合AMD、Infenion、Samsung、Freescale(飞思卡尔)、Chartered Semiconductor(特许半导体)等多家公司来对抗行业老大——Intel。

      这个半导体奖学金重点在对high k/metal gate作出改良好优化,希望可以帮助IBM客户提升晶体管性能减少能耗。

      IBM已经使用high k/metal gate开发出低功耗cmos,并公开展示过高密度(SRAM)静态随机存取存储器,只有0.15平方微米大小的工作单元看降低45%功耗并提升30%的芯片性能。

      IBM期望可以在2009年下半年应用到32nm制程的实际产品中,时间表上与Intel看齐。

    新闻来源:[fudzilla]

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