我们都知道半导体工艺越先进越好,用以衡量工艺进步的就是线宽,常说的xxnm工艺就代表这个,这个数字越小就代表晶体管越小,晶体管密度就越大。现在半导体公司已经进军10nm工艺,但面临的物理限制越来越高,半导体工艺提升需要全新的设备。EUV极紫外光刻机就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工艺的关键,现在ASML公司的EUV光刻机正在不断提高产能和可靠性,但距离量产还有一段距离。
EUV要想获得突破,需要不断提升光源强度和可靠性。来自EE Times的报道称,荷兰ASML及TSMC台积电在上周宣布他们的原型机上测试了85Wph(每小时晶圆数),之后很快会提升到125Wph。ASML之前演示过185Wph产能的EUV光刻机,并许诺年底前会进一步提高到250Wph。
现在的EUV光刻机可靠性已经提高到了有70%的工作时间,每天可以处理500-600个晶圆,相比去年的情况已经有很大改善,但这远远不够量产水平。ASML公司EUV项目总监Frits van Hout表示现在距离EUV应该达到的水平还有2-3步。现在出货的EUV光刻机会升级,预计今年底达到应有的水平。
芯片制造商预计会在2018年使用EUV工艺生产芯片,届时ASML的EUV光刻机有助于降低7nm工艺的成本。
虽然EUV工艺确实实现了预定目标,但由于产能和可靠性的问题,该项目已经多次延期,到了5nm及3nm节点,EUV可能还需要一次升级。ASML正为此与相关方讨论具体的配置和时间细节。
值得一提的是,目前在EUV工艺上,TSMC比Intel要积极得多,此前TSMC就表示会在10nm工艺上使用EUV工艺,而Intel表示过就算没有EUV工艺,他们也懂得如何制造芯片。不过如果EUV工艺真的能如期量产,Intel也会在7nm节点上启用EUV工艺。
游客 2017-03-22 09:41
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2016-04-19 09:12
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游客 2016-01-25 22:54
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我匿名了 2016-01-25 20:44
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游客 2016-01-25 10:57
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超能网友教授 2016-01-25 10:27 | 加入黑名单
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游客 2016-01-25 10:12
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游客 2016-01-25 09:53
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游客 2016-01-25 09:51
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