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Intel现在对此进行了回应，说着张幻灯片并非官方公布的，其实ASML CEO更改了Intel今年9月份一次会议上幻灯片，实际原本展示过的图中没有公布各个时间的制程节点数字，造成误解，原图如下：

Intel曾经提出过经典的Tick-Tock规则，架构和工艺每隔两年交替升级一次，但是工艺的升级到了14nm就卡住了，14nm当年也延误了不少，到了10nm更是栽了个大跟斗，导致台积电直接追了上来，但现在他们尝试恢复两年升级一次工艺的节奏，2021年会推出7nm，而之后则是5nm、3nm、2nm和1.4nm。

来自wikichip的消息，在IEEE国际电子设备会议上，ASML首席执行官Martin van den Brink的演讲中有一页Intel未来工艺线路图，它显示了Intel今年有10nm，2021年的7nm和2023年5nm的发展和定义，到了2025年还有3nm，2027年会进化到2nm，而2029年，则会有1.4nm。

而每个节点之间，将会有工艺的改良版本+和++，这样可以更好的发掘之前工艺节点的潜力，唯一例外的是现在的10nm，因为现在的10nm工艺准确来说应该是10nm+，最初期的10nm是那个只有少量出货的Cannon Lake，明年会有10nm++，而2021年则是10nm+++，同年Intel也会推出7nm EUV工艺。

而且这张幻灯片上也有提到反向移植，他们设计芯片时会同时兼容新和旧两种工艺，如果新工艺进展顺利的话就直接使用新工艺生产，如果进展不顺利的话只需要较少的时间使用交旧工艺的++版本生产新架构的处理器，这应该是Intel这几年的惨痛经历得出的教训，Intel允许任何第一代7nm设计都可以反向移植到10nm+++，5nm的设计可以反向移植到7nm++，3nm可移植到5nm++等等。

目前已经确定Intel的下一个工艺节点7nm会使用EUV工艺，而去年的架构日上，Raja Koduri也透露过未来的5nm可能会从现有的FinFET技术转移到全能门GAA技术，而且可能使用高NA EUV工艺，2023年也和ASML销售高NA EUV光刻机的时间重叠，至于更先进的3nm、2nm和1.4nm工艺，Intel目前还处于寻路模式，和以往一样Intel在寻找新材料、新晶体管设计等，现在谈论他们还太早。