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    SK海力士今天宣布,他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存,是全球首家开发出新一代HBM内存的公司,这是HBM系列内存的第四代产品(HBM2E也算一代),新的HBM3不仅提供了更高的带宽,还堆叠了更多层数的DRAM来增加容量。

    SK海力士去年7月份才开始量产HBM2E内存,而现在就推出了HBM3,研发进度还是相当快的,这可进一步巩固他们在市场上的领导地位。SK海力士的HBM3可提供两种容量,一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB,另一个则是8层堆叠的16GB,前者的芯片高度其实也不过30微米。

    性能方面,SK海力士的HBM3可提供819GB/s的带宽,比上一代HBM2E的带宽则是460GB/s,带宽提高了78%,像NVIDIA的A100计算卡目前用了6颗HBM2E做显存,可提供2TB/s的带宽,换成HBM3后带宽最高能提到4.9TB/s,显存容量最高也能到144GB。

    与HBM2E相比HBM3内存还内置了片上纠错技术,显著提高了产品的可靠性,预计HBM3将会主要被用在高性能数据中心以及机械学习平台上,以提高人工智能水平和超级计算机的性能,可用于气候变化分析和药物开发。

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