目前PC正从DDR4向DDR5过渡,绝大部分用户都还没用上新一代内存,AMD用户甚至还需要等上几个月,才能看到支持DDR5内存的AM5平台。虽然DDR5内存的普及还有待时日,不过下一代的DDR6已经开始上路了。
据The Elec报道,在近期的一次研讨会上,三星测试和系统封装(TSP)副总裁Younggwan Ko透露,随着未来内存性能的扩展,封装技术需要不断发展,期间也证实了DDR6内存已处于早期开发阶段,将采用MSAP封装技术,以提高PCB的高频性能。
事实上,三星的竞争对手SK海力士已在DDR5内存上开始应用MSAP封装技术,只不过三星打算从DDR6内存开始这么做。MSAP封装技术允许DRAM制造商创建电路更为精细的内存模块,从而有更好的连接性能,以达到更高的数据传输速度。此外,MSAP封装技术不但能加强电路的连接,还能让DDR6内存的PCB层数增加。
Younggwan Ko表示,随着存储芯片容量和数据速度的提升,封装设计也必须适应新一代产品的需求,层数的增加和工艺变得复杂,使得内存封装市场的规模有望实现成倍的增长。三星预计DDR6内存会在2024年完成设计,正式商用要等到2025年之后,传闻数据传输速度按照JEDEC规范将达到12800 Mbps,超频后可达到17000 Mbps或以上。
在扇出型封装方面,三星同时推出了扇出-晶圆级封装(FO-WLP)和扇出-面板级封装(FO-PLP),后者在12英寸晶圆中更具优势,三星正考虑将其用于更大的芯片。据了解,三星在今年5月份已经将扇出-面板级封装用户谷歌Pixel系列手机所使用的SoC上,这意味着该技术已逐渐成熟。
bxhaai教授 2022-07-19 14:25 | 加入黑名单
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尼哥中出黄仁勋研究生 2022-07-18 12:50 | 加入黑名单
先把那DDR5整明白再说吧
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