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    目前全球每天产生的数据量是非常庞大的,预计到2025年将达到175ZB。大量的数据呗存储在大容量的服务器和数据中心里,使用的是HDD和SSD,不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展归功于三维方向上将存储单元堆叠更多的层数,同时一个存储单元里存储更多的比特数。

    铠侠(Kioxia)宣布,成功演示了世界首个七级单元的3D NAND闪存。目前大规模生产的3D NAND闪存最多是四级单元,也就是大家熟悉的QLC 3D NAND闪存,这意味着新款3D NAND闪存几乎实现了容量上的翻倍。

    早在两年前,铠侠就演示过低温状态下运行的六级单元HLC 3D NAND闪存。这一次铠侠将低温环境与新的硅工艺技术相结合,又向前迈进了一步。在七级单元的3D NAND闪存里,传统上存储单元晶体管通道使用的多晶硅被单晶硅所取代,在读取操作中,最多可减少三分之二的NAND闪存读取噪声量,并产生更为清晰的读取信号。

    铠侠表示,新的存储架构将大大降低生产成本上,甚至提出了一种将七级单元3D NAND闪存与低温冷却相结合的解决方案,这比现在市场上采用风冷或被动散热的SSD更为便宜。铠侠还会继续开发低温存储器技术,以实现最低的单位成本,并在未来通过硅技术实现连续的单位成本缩放。

    七级单元的3D NAND闪存并不是尽头,铠侠过去就曾展望过八级单元的OLC 3D NAND闪存。

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