铠侠演示七级单元3D NAND闪存，将低温环境与新的硅工艺技术相结合

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，预计到2025年将达到175ZB。大量的数据存储在大容量的服务器和数据中心里，使用的是HDD和SSD，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展归功于三维方向上将存储单元堆叠更多的层数，同时一个存储单元里存储更多的比特数。

铠侠（Kioxia）宣布，成功演示了世界首个七级单元的3D NAND闪存。目前大规模生产的3D NAND闪存最多是四级单元，也就是大家熟悉的QLC 3D NAND闪存，这意味着新款3D NAND闪存几乎实现了容量上的翻倍。

早在两年前，铠侠就演示过低温状态下运行的六级单元HLC 3D NAND闪存。这一次铠侠将低温环境与新的硅工艺技术相结合，又向前迈进了一步。在七级单元的3D NAND闪存里，传统上存储单元晶体管通道使用的多晶硅被单晶硅所取代，在读取操作中，最多可减少三分之二的NAND闪存读取噪声量，并产生更为清晰的读取信号。

铠侠表示，新的存储架构将大大降低生产成本上，甚至提出了一种将七级单元3D NAND闪存与低温冷却相结合的解决方案，这比现在市场上采用风冷或被动散热的SSD更为便宜。铠侠还会继续开发低温存储器技术，以实现最低的单位成本，并在未来通过硅技术实现连续的单位成本缩放。

七级单元的3D NAND闪存并不是尽头，铠侠过去就曾展望过八级单元的OLC 3D NAND闪存。