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三星在2022年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。今年三星计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。
据相关媒体报道，三星已开始采用第二代3nm工艺进行芯片的试产，还会测试芯片的性能和可靠性，目标是为了六个月内将良品率提升至60%以上，下半年能实现量产。对于三星和整个行业来说，这都是一件大事。凭借SF3，三星希望2024年有机会与台积电（TSMC）的先进工艺展开竞争。
有消息称，三星计划将SF3首先用于一款可穿戴设备所使用的芯片上，或许是Galaxy Watch 7所搭载的芯片。此外，三星还计划在明年Galaxy S25系列智能手机所采用的Exynos 2500上，采用SF3制造。在三星看来，新的SF3可以使用不同宽度的MBCFET器件，从而提供了更大的设计灵活性。
目前三星还在改进其4nm工艺，除了投产的SF4P（4LPP+），还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不过届时台积电也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。