SK海力士将在美国印第安纳州建造先进封装工厂，并与当地研究机构进行R&D合作

SK海力士宣布，将在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能（AI）的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作，计划向该项目投资38.7亿美元。在当地时间4月3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动。

自去年人工智能市场快速发展后，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装也变得更加重要。作为HBM市场上掌握主动权的厂商，SK海力士为了加强技术领导力，考虑到大量美国科技客户的需求，决定在当地投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点，并积极推进先进后端工艺方面的技术研究。

经过评估多处候选地点，SK海力士最终选择在美国印第安纳州为投资地。一方面是当地政府积极地招商引资政策，另一方面该地区拥有丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有着以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等科研学术单位。

此外，SK海力士还将推动在韩国的投资项目，以120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程，计划明年3月开工建造首座工厂，并于2027年初完工。SK海力士还打算建造“迷你工厂”，这是为了验证半导体材料、零部件、设备等，具备300毫米晶圆工艺设备的研究设施，以加强半导体生态系统建设。