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    前一段时间,台积电(TSMC)举办了2024年北美技术论坛,首次公布了A16制程工艺,将结合纳米片晶体管和背面供电解决方案,以提升逻辑密度和能效,预计2026年量产。随后台积电确认,A16制程工艺并不需要下一代High-NA EUV光刻系统的参与。

    据Wccftech报道,最近台积电首席执行官魏哲家访问了ASML的总部,同时也拜访了激光供应商Trumpf,与对方的高层会面。从相关渠道得到的消息来看,台积电似乎改变了之前对High-NA EUV光刻技术的一些看法,或许会加快引入新技术和新设备的步伐。

    由于使用High-NA EUV光刻系统将大大增加晶圆厂的成本,根据配置的不同,设备的价格约在3.85亿美元起步。芯片制造商普遍更倾向于重复利用现有的工具,台积电也同样如此,尽可能地避免使用High-NA EUV光刻系统,除非原有的EUV光刻系统无法继续改进生产能力。与此同时,台积电还在相关光刻材料上下功夫,以提高光刻工艺和良品率。总的来说,台积电在High-NA EUV光刻技术上并不是太积极,更多地想挖掘现有EUV光刻设备的潜力。

    与台积电不同,英特尔很早便下单订购High-NA EUV光刻机,型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔已完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作,正在进行校准步骤。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机,而现阶段ASML每年仅能生产5到6台High-NA EUV光刻机,ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

    High-NA EUV提供了0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。业界普遍认为,半导体工艺进入2nm时代后,会逐步采用High-NA EUV技术,以替换现有的EUV工艺。

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