台积电CEO访问ASML总部，或改变对High-NA EUV光刻技术的态度

前一段时间，台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，首次公布了A16制程工艺，将结合纳米片晶体管和背面供电解决方案，以提升逻辑密度和能效，预计2026年量产。随后台积电确认，A16制程工艺并不需要下一代High-NA EUV光刻系统的参与。

据Wccftech报道，最近台积电首席执行官魏哲家访问了ASML的总部，同时也拜访了激光供应商Trumpf，与对方的高层会面。从相关渠道得到的消息来看，台积电似乎改变了之前对High-NA EUV光刻技术的一些看法，或许会加快引入新技术和新设备的步伐。

由于使用High-NA EUV光刻系统将大大增加晶圆厂的成本，根据配置的不同，设备的价格约在3.85亿美元起步。芯片制造商普遍更倾向于重复利用现有的工具，台积电也同样如此，尽可能地避免使用High-NA EUV光刻系统，除非原有的EUV光刻系统无法继续改进生产能力。与此同时，台积电还在相关光刻材料上下功夫，以提高光刻工艺和良品率。总的来说，台积电在High-NA EUV光刻技术上并不是太积极，更多地想挖掘现有EUV光刻设备的潜力。

与台积电不同，英特尔很早便下单订购High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔已完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作，正在进行校准步骤。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，而现阶段ASML每年仅能生产5到6台High-NA EUV光刻机，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

High-NA EUV提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。业界普遍认为，半导体工艺进入2nm时代后，会逐步采用High-NA EUV技术，以替换现有的EUV工艺。