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关于 3D闪存 的消息

铠侠和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术,双方合作关系的新里程碑

Kioxia(铠侠)和西部数据今天宣布,双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑,也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

长江存储宣布128层堆叠3D闪存研发成功,拥有业界最高的存储密度和I/O速度

虽然说武汉饱受新冠肺炎困扰,但是位于武汉的长江存储厂区由于采取了严密的防疫措施,生产研发工作并没有停下来,并与昨天宣布他们128层堆叠的3D闪存研发成功,有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC,以及128层堆叠的3D TLC X2-9060。

紫光发布企业级SSD P8260硬盘:3D闪存、主控、内存均为紫光产品 ...

前段时间网上流传有紫光自主研发NAN闪存的SSD硬盘的消息,我们分析过了所谓紫光S100系列固态硬盘不可能是国产NAND闪存,国内的长江存储目前还无法量产性能、规格足够成熟的闪存。不过长江存储确实有一定的3D NAND闪存生产能力了,日前在深圳第七届中国电子信息博览会(CITE2019)上,紫光存储就推出了企业级P8260硬盘,它使用的是长江存储的32层堆栈3D NAND闪存、紫光得瑞的SSD主控及紫光国芯的DRAM缓存,至此SSD三大核心芯片都有国产的了。

西数发布UFS 3.0闪存EU511:96层3D闪存,750MB/s速度

今年的智能手机除了会升级处理器之外,存储芯片也会升级到最新标准,移动内存LPDDR5标准才被JEDEC组织正式公布,闪存也会从UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0,读写速度堪比SSD硬盘(随机还不行)。西数公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式闪存EU511,支持UFS 3.0,最大容量512GB,使用了96层堆栈3D NAND闪存,读取速度可达750MB/s,是前代的两倍,如此高速的性能将为未来的5G设备提供更好的体验。

浦科特展出M10Pe及M9V系列SSD硬盘:东芝96层堆栈3D闪存

2018年NAND闪存降价让SSD硬盘价格大幅下滑,虽然NAND闪存厂商的日子不太好过,不过这也大大推动了SSD硬盘的普及,四年后90%的PC都会用上SSD硬盘。去年NAND闪存的主流是64层堆栈TLC闪存,2019年又轮到3D NAND闪存升级了,浦科特在CES展会上展出了高性能的M10Pe系列及主流的M9V系列SSD硬盘,升级到了东芝BiCS 4技术的96层堆栈3D NAND闪存,预计Q3季度上市。

长江存储明年量产64层堆栈3D闪存,2020年直奔128层堆栈

2018年NAND闪存价格由涨转跌,NAND闪存价格至少跌了50%,主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加,市场供应大增,今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存,2019年将是量产的主力。国内的长江存储今年量产了32层堆栈的3D NAND闪存,不过真正规模量产的还是明年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存,直接量产128层堆栈的3D闪存。

紫光成都存储器制造基地开工:投资240亿美元,生产3D闪存

中国的存储芯片几乎100%依赖进口,2017年进口的存储芯片价值高达886亿美元,提高存储芯片国产化已经是国家重点支持的发展项目之一。国内目前有紫光、合肥长鑫/兆易创新及福建晋华三大项目,其中紫光集团主要攻关3D NAND闪存,位于武汉的长江存储公司的生产基地一期工程已经落成,今年底明年初就会量产。10月12日紫光集团又在成都举行了存储器制造基地开工仪式,未来将在成都投资240亿美元建设新的闪存工厂,主要生产3D NAND闪存。

SK Hynix M15工厂即将落成:15万亿韩元投资,主产96层3D闪存

前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成,主要生产96层3D NAND闪存,现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了,明天也就是10月4日就会举行竣工典礼,初期生产72层堆栈的3D NAND闪存,但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分,M15工厂主要生产3D NAND闪存,2020年还会有M16工厂建成,主要生产DRAM内存。

三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

NAND闪存价格去年跌50%,今年还要再跌50%:64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中,DRAM内存去年底开始跌价,而NAND闪存去年初就开始跌跌不止,这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡,厂商的64层3D闪存产能量产了,但是智能手机等下游需求低了,导致NAND闪存价格降了50%。今年这个趋势还会继续下降,如果需求不振,NAND闪存价格还要再降50%。此外,今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存,不过占比只有1/3左右,过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。

长江存储明年量产64层堆栈3D闪存,2020年直奔128层堆栈

2018年NAND闪存价格由涨转跌,NAND闪存价格至少跌了50%,主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加,市场供应大增,今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存,2019年将是量产的主力。国内的长江存储今年量产了32层堆栈的3D NAND闪存,不过真正规模量产的还是明年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存,直接量产128层堆栈的3D闪存。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

西数首发96层堆栈UFS 2.1闪存:最大256GB,800MB/s速度

2018年NAND闪存价格下跌,智能手机的存储容量也越来越大,今年皇帝版手机容量提升到了512GB,锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储,中低端手机容量也达到了64GB,128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步,今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代,西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321,容量32GB到256GB,读取速度最大800MB/s,写入最高550MB/s。

SK Hynix M15工厂即将落成:15万亿韩元投资,主产96层3D闪存

前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成,主要生产96层3D NAND闪存,现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了,明天也就是10月4日就会举行竣工典礼,初期生产72层堆栈的3D NAND闪存,但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分,M15工厂主要生产3D NAND闪存,2020年还会有M16工厂建成,主要生产DRAM内存。

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