Kioxia（铠侠）和西部数据今天宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

Kioxia首席技术官Masaki Momodomi表示：

这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构，与第五代技术相比，横向单元阵列密度提高了10%。这种横向扩展的进步，结合162层堆叠式垂直存储器，与112层堆叠技术相比，可将芯片尺寸缩小40%，从而优化了成本。Kioxia和西部数据的团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍，读取延迟上提高了10％。I/O性能也提高了66％，从而使下一代接口能够支持更快的传输速率，满足不断增长的性能需求。

总体而言，与上一代产品相比，新的3D NAND降低了每单位的成本，并使每个晶圆的存储容量增加了70％。Kioxia和西部数据继续推动创新，以确保不断扩大规模，满足客户及其多样化应用的需求。