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SK海力士的未来计划:用EUV来造DRAM,还有600层堆叠的3D NAND

SK海力士CEO李锡熙今日在IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上作了主题演讲,讲述了SK海力士产品的未来计划,分享了一些概念性技术,比如用EUV光刻生产的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

三星正式推出870 EVO系列SATA SSD,采用128层堆叠3D NAND

其实在月初就走漏了三星870 EVO的消息,现在三星正式发布了这款SSD,去年推出的870 QVO用QLC闪存不同,它用的是TLC闪存,有着更好的性能与耐久度,是三年前推出的860 EVO的正式继承者。

铠侠两个月内宣布建设第二座3D NAND闪存晶圆厂,市场份额赶超三星

铠侠(Kioxia)宣布计划扩大生产基地的规模,新建名为K2的晶圆厂。这是一个令人有点惊讶的举动。毕竟距离铠侠宣布上一座晶圆厂,位于日本三重县四日市的Fab 7也是没多久之前的事。这是在不到两个月的时间里宣布的第二座晶圆厂,从另一个侧面表明了铠侠对未来几年3D NAND闪存不断增长的需求充满了信心。

西部数据和铠侠宣布其BiCS5技术开发成功:3D NAND堆叠层数达到112层

西部数据和铠侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS,成功开发出了第五代,即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产,相对于上代BiCS4,在存储密度上面有明显增加。

三星将在中国提升3D NAND产量,已累积投资258亿美元

如同往年一样,三星手机今年在国内的表现也是相当不景气,已经都把国内的生产工厂都关闭,并且准备把自己的A系列产品转交给ODM厂商了。不过,三星的其他业务倒是和手机业务相反,比如说NAND闪存芯片业务,这家公司甚至继续往西安工厂投资80亿美元展开其芯片项目,来提高其闪存芯片的产量。

紫光集团旗下长江存储宣布量产64层TLC 3D NAND

北京时间今天上午,我国著名厂商紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司正式对外宣布基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存已经开始量产。

美光新加坡Fab 10工厂扩建完毕,年内将开展96层堆叠3D NAND生产

美光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂,扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且保持和现在一样的晶圆产量,上周他们举办了Fab 10 Expansion的开幕仪式,新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数,存储密度更大的闪存。

英特尔计划不再增加NAND产能,将3D XPoint生产线搬至中国

Anandtech报道,由于闪存市场供过于求,价格不断下跌,英特尔决定今年降低NAND产量。此外在上周的英特尔投资公告上,CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。同时因为跟镁光的解约,英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的生产线转移至中国。

长江存储今年将量产64层3D NAND闪存:进展顺利,没有任何障碍 ...

紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司,也是目前进度最好的,去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存,前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会(CITE2019)上展示了企业级P8260硬盘,使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前计划进展顺利,没有任何障碍。

长江存储年底投产64层堆叠3D NAND,将进一步加剧市场竞争

长江存储YMTC日前表示他们将在年底前量产64层堆叠的3D NAND闪存,虽然近段时间NAND闪存价格下跌得很严重,但是64层堆叠3D NAND的量产这代表着国内和国外在闪存方面的技术差距缩小到2年左右,并且64层堆叠的产品会比之前32层堆叠的获得更多的的市场订单。

长江存储年底量产64层堆栈3D NAND闪存,与国外差距缩小到2年

前不久紫光公司推出的纯国产SSD的消息刷遍了网络,爆料称该系列SSD容量128GB到1TB,使用的是国产联芸科技的主控以及紫光自产的64层堆栈TLC闪存,P/E寿命可达1500次,这已经是相当高的水准了。不过爆料的紫光SSD也有很多蹊跷之处,紫光公司随后找媒体删除了相关报道,并不愿意声张此事。对国内NAND闪存来说,最有希望的还是长江存储公司,日前该公司联席CTO程卫华表示今年底量产64寸堆栈的3D NAND闪存,市场分析称这样一来国内的NAND闪存与国外的技术差距就从之前的三四年缩小到了两年左右。

美光发布1300系列SSD,96层3D TLC NAND闪存颗粒、M.2/SATA可选

现在SSD如何把容量做大?除了使用了QLC颗粒以外,还可以提升NAND Flash的堆叠层数。目前市面产品多数都是64层 3D TLC堆叠,但进入了2019年,多家厂商开始推出96层3D TLC NAND产品,比如说东芝 96层 3D TLC闪存 BG4系列M.2 SSD,三星第四代96层堆叠V-NAND 970 EVO Plus M.2 SSD。现在美光也带了使用96层 3D TLC NAND 闪存颗粒的1300系列SSD,包含有M.2/SATA两种接口形态,并提供256GB-2TB容量可选。

英特尔中国大连二期工厂投产:投资55亿,主产96层3D NAND闪存

在英特尔的转型业务中,存储芯片业务未来会占据更多的比重,尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的,也就是IMFT公司,不过IMFT现在是美光为主,在第四代3D NAND闪存及第二代3X XPoint闪存之后,英特尔将与美光公司和平分手,双方各自研发、生产自家的闪存芯片。英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂,总投资55亿美元,现在二期工厂已经投产了,主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

紫光赵伟国:手机芯片全球第三,研发128层堆栈3D NAND闪存

前两天在重庆的国际智能产业博览会上,紫光集团董事长赵伟国对高通等海外芯片公司开炮,建议这些公司在中国市场上要有远见一些,给中国企业一口饭吃。同样在这次的会议上,赵伟国还谈到了紫光集团这几年的成绩,尤其是芯片产业上,紫光集团去年出货芯片34亿颗,手机芯片做到了全行业第三,而存储芯片上明年将量产64层堆栈的128Gb核心3D NAND闪存,还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

长江存储正式公布3D NAND新架构Xtacking,可达DDR4级别的I/O

在FMS国际闪存会议上,长江存储公开了新型3D NAND闪存结构Xtacking,该技术将为3D NAND闪存带来将近DDR4内存水平的I/O接口速度,同时具有业界领先的存储密度。

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