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关于 3D NAND 的消息

美光推出232层3D TLC NAND闪存:初始容量1Tb,2022年末量产

美光宣布,将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在在2022年年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片,并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

铠侠将扩建位于北上市的工厂,以提高3D NAND闪存产量

铠侠(Kioxia)宣布,将开始对位于日本岩手县北上市的工厂进行扩建,兴建新的Fab 2工厂,以提高3D NAND闪存的产量。铠侠表示,计划2022年4月开始动工,预计2023年竣工,未来会专注于BiCS Flash的生产。

西数和铠侠称遭遇材料污染问题,将影响3D NAND闪存的生产

西部数据和铠侠(Kioxia)先后发表声明,称制造过程中使用的某些材料受到了污染,自2022年1月下旬以来,双方位于日本四日市和北上市的工厂部分业务受到了影响。目前推测的原因是BiCS Flash特定生产过程中使用了含有杂质的组件,这将影响3D NAND闪存的生产。

铠侠演示HLC 3D NAND,并展望OLC 3D NAND

目前市面上的SSD大多使用TLC或者QLC 3D NAND闪存,Kioxia(铠侠)早在2019年就开始讨论PLC 3D NAND闪存,应该是闪存制造厂商里的第一家。铠侠已不满足于五级单元的PLC 3D NAND闪存,今年展示了六级单元的HLC 3D NAND闪存,并且展望未来八级单元的OLC 3D NAND闪存。

美光表示全球疫情反复可能会影响DRAM、3D NAND供应链

今年春天,中国台湾地区的芯片和显示面板的生产受到了严重的干旱影响,台积电(TSMC)、联华电子(UMC)和美光(Micron)等芯片制造厂商不得不通过各种方式,保证生产用水的供应,以降低对生产的影响。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与分析师和投资者的财报电话会议上表示,已成功减轻了中国台湾地区干旱的影响,美光的产能并没有减少,同时近期开始有降水,应该会有足够的供水满足美光的制造需求。

美光宣布推出业界首个采用176层3D TLC NAND闪存的SSD,包括两个系列产品

美光宣布推出两款采用业界首款176层3D TLC NAND闪存芯片的新款SSD,分别是2450系列和3400系列,均支持PCI-E 4.0,以针对不同类型的PC和市场。美光表示这些SSD正在生产中,很快就会出现在零售市场上。

SK海力士的未来计划:用EUV来造DRAM,还有600层堆叠的3D NAND

SK海力士CEO李锡熙今日在IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上作了主题演讲,讲述了SK海力士产品的未来计划,分享了一些概念性技术,比如用EUV光刻生产的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

三星正式推出870 EVO系列SATA SSD,采用128层堆叠3D NAND

其实在月初就走漏了三星870 EVO的消息,现在三星正式发布了这款SSD,去年推出的870 QVO用QLC闪存不同,它用的是TLC闪存,有着更好的性能与耐久度,是三年前推出的860 EVO的正式继承者。

铠侠两个月内宣布建设第二座3D NAND闪存晶圆厂,市场份额赶超三星

铠侠(Kioxia)宣布计划扩大生产基地的规模,新建名为K2的晶圆厂。这是一个令人有点惊讶的举动。毕竟距离铠侠宣布上一座晶圆厂,位于日本三重县四日市的Fab 7也是没多久之前的事。这是在不到两个月的时间里宣布的第二座晶圆厂,从另一个侧面表明了铠侠对未来几年3D NAND闪存不断增长的需求充满了信心。

西部数据和铠侠宣布其BiCS5技术开发成功:3D NAND堆叠层数达到112层

西部数据和铠侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS,成功开发出了第五代,即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产,相对于上代BiCS4,在存储密度上面有明显增加。

三星将在中国提升3D NAND产量,已累积投资258亿美元

如同往年一样,三星手机今年在国内的表现也是相当不景气,已经都把国内的生产工厂都关闭,并且准备把自己的A系列产品转交给ODM厂商了。不过,三星的其他业务倒是和手机业务相反,比如说NAND闪存芯片业务,这家公司甚至继续往西安工厂投资80亿美元展开其芯片项目,来提高其闪存芯片的产量。

美光新加坡Fab 10工厂扩建完毕,年内将开展96层堆叠3D NAND生产

美光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂,扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且保持和现在一样的晶圆产量,上周他们举办了Fab 10 Expansion的开幕仪式,新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数,存储密度更大的闪存。

英特尔计划不再增加NAND产能,将3D XPoint生产线搬至中国

Anandtech报道,由于闪存市场供过于求,价格不断下跌,英特尔决定今年降低NAND产量。此外在上周的英特尔投资公告上,CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。同时因为跟镁光的解约,英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的生产线转移至中国。

长江存储今年将量产64层3D NAND闪存:进展顺利,没有任何障碍 ...

紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司,也是目前进度最好的,去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存,前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会(CITE2019)上展示了企业级P8260硬盘,使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前计划进展顺利,没有任何障碍。

长江存储年底投产64层堆叠3D NAND,将进一步加剧市场竞争

长江存储YMTC日前表示他们将在年底前量产64层堆叠的3D NAND闪存,虽然近段时间NAND闪存价格下跌得很严重,但是64层堆叠3D NAND的量产这代表着国内和国外在闪存方面的技术差距缩小到2年左右,并且64层堆叠的产品会比之前32层堆叠的获得更多的的市场订单。

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