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    随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

    根据SK Hynix之前公布的信息,所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

    SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的,核心容量分别是512Gbt、1Tb,都是96层堆栈,IO接口速度1.2Gbps,不过两者的BGA封装面积是不一样的,1Tb版显然更大一些。

    至于QLC类型的,这个未来会是SK Hynix量产的重点,核心容量1Tb,但量产时间会在明年下半年,还需要一些时间。

    韩联社报道称,SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比,4D NAND闪存的核心面积减少了30%,单片晶圆的生产输出增加了50%,而且性能也更强——读取速度提升30%,写入速度提升25%。

    根据官方所说,4D NAND闪存今年内会量产,而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂,总投资高达15万亿韩元,约合135亿美元。


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    • 超能网友等待验证会员 2018-11-06 10:59    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 超能网友研究生 2018-11-05 13:44    |  加入黑名单

      超能网友 博士

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2018-11-05 13:01
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    • 该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 超能网友博士 2018-11-05 13:01    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 超能网友教授 2018-11-05 12:54    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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