SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

2018-11-5 12:01  |  作者:孟宪瑞   |  关键字:SK Hynix,4D NAND,闪存,3D NAND,3D闪存

SK Hynix在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

根据SK Hynix之前公布的信息,所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的,核心容量分别是512Gbt、1Tb,都是96层堆栈,IO接口速度1.2Gbps,不过两者的BGA封装面积是不一样的,1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的,这个未来会是SK Hynix量产的重点,核心容量1Tb,但量产时间会在明年下半年,还需要一些时间。

韩联社报道称,SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比,4D NAND闪存的核心面积减少了30%,单片晶圆的生产输出增加了50%,而且性能也更强——读取速度提升30%,写入速度提升25%。

根据官方所说,4D NAND闪存今年内会量产,而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂,总投资高达15万亿韩元,约合135亿美元。



  • visionsone等待验证会员 2018-11-06 10:59

    所以现在买机械和固态选什么牌子?

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    4#

  • 拔刀斋研究生 2018-11-05 13:44

    王林的大哥 研究生 :

    然后寿命减少25%
    2018-11-05 13:01
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  • 第4d是时间,毫无争议,实至名归
    棒子海力士暗示你了,我们的容量、速度、可靠性是可以随着时间T快速变动的呦

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    3#

  • 王林的大哥研究生 2018-11-05 13:01

    然后寿命减少25%

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    2#

  • Adonis博士 2018-11-05 12:54

    4D NAND闪存?棒子净来虚的!
    反正3D NAND闪存品质和性能,东芝第一、西数第二。
    棒子的NAND闪存,犹如它的整容假脸,外表光鲜亮丽而已。

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    1#

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