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关于 3d闪存 的消息

铠侠和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术,双方合作关系的新里程碑

Kioxia(铠侠)和西部数据今天宣布,双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑,也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

NAND闪存价格去年跌50%,今年还要再跌50%:64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中,DRAM内存去年底开始跌价,而NAND闪存去年初就开始跌跌不止,这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡,厂商的64层3D闪存产能量产了,但是智能手机等下游需求低了,导致NAND闪存价格降了50%。今年这个趋势还会继续下降,如果需求不振,NAND闪存价格还要再降50%。此外,今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存,不过占比只有1/3左右,过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。

长江存储明年量产64层堆栈3D闪存,2020年直奔128层堆栈

2018年NAND闪存价格由涨转跌,NAND闪存价格至少跌了50%,主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加,市场供应大增,今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存,2019年将是量产的主力。国内的长江存储今年量产了32层堆栈的3D NAND闪存,不过真正规模量产的还是明年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存,直接量产128层堆栈的3D闪存。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

西数首发96层堆栈UFS 2.1闪存:最大256GB,800MB/s速度

2018年NAND闪存价格下跌,智能手机的存储容量也越来越大,今年皇帝版手机容量提升到了512GB,锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储,中低端手机容量也达到了64GB,128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步,今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代,西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321,容量32GB到256GB,读取速度最大800MB/s,写入最高550MB/s。

SK Hynix M15工厂即将落成:15万亿韩元投资,主产96层3D闪存

前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成,主要生产96层3D NAND闪存,现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了,明天也就是10月4日就会举行竣工典礼,初期生产72层堆栈的3D NAND闪存,但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分,M15工厂主要生产3D NAND闪存,2020年还会有M16工厂建成,主要生产DRAM内存。

英特尔中国大连二期工厂投产:投资55亿,主产96层3D NAND闪存

在英特尔的转型业务中,存储芯片业务未来会占据更多的比重,尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的,也就是IMFT公司,不过IMFT现在是美光为主,在第四代3D NAND闪存及第二代3X XPoint闪存之后,英特尔将与美光公司和平分手,双方各自研发、生产自家的闪存芯片。英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂,总投资55亿美元,现在二期工厂已经投产了,主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

东芝、西数最先进的闪存工厂Fab 6启用,96层堆栈/QLC闪存提速

在全球NAND闪存市场上,三星份额第一,第二、第三则是东芝及西数,这两家还是合作研发、生产NAND闪存的,尽管去年东芝出售闪存业务期间双方一度剑拔弩张,还打起了官司,不过两家公司并没有分手。今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用,配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了,新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存,QLC闪存也将是重点,该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。

长江存储3D闪存Xtacking堆栈详解:3000次P/E寿命,3Gbps IO速度

今年的智能手机存储容量越来越大,6+128GB几乎是主流配置了,但在存储D芯片中国依然依赖进口,2017年国内进口了价值897亿美元的存储芯片,而全球存储芯片的产值也不过1300多亿元。现在国内已经有三大集团投入存储芯片研发、生产中,其中紫光集团旗下的长江存储公司目前主攻NAND闪存,在上周的FMS 2018国际闪存会议上,长江存储CEO杨士宁也发表了主题演讲,介绍了他们研发多年的3D NAND闪存堆栈结构Xtacking,并获得了“最佳展示奖”(Best of Show)。

长江存储32层堆栈3D闪存4季度量产,64层闪存明年量产

国内的三大存储基地中,紫光旗下的长江存储主攻方向是NAND闪存,长江存储前者是武汉新芯科技,后被紫光收购,整合成为现在的长江存储。日前主管紫光半导体业务的联席总裁刁石京表示长江存储的32层堆栈3D NAND闪存今年Q4季度量产,64层堆栈的3D NAND闪存则会在2019年量产。

三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

长江存储7200万美元购置ASML光刻机,国产闪存下半年量产

前几日有消息称中芯国际花费1.2亿美元购买了ASML公司的EUV光刻机,为未来7nm工艺研发打下了基础。随着国内12英寸晶圆厂的大量建成,光刻机等半导体生产装备还会更多。周末有消息报道称长江存储购买的光刻机已经运抵武汉,售价高达7200万美元(约合4.6亿),可用于生产14-20nm工艺晶圆。

3D NAND未来线路图,到了2021年我们将用上140层堆叠的闪存

在正在举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图,到了2021年,3D-NAND的堆叠层数会超过140层,而且每一层的厚度会不断的变薄。

紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发,2018年内量产

NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础,也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片,国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂,预计今年内量产,据悉国产NAND闪存是32层堆栈的,是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。

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