关于 3d闪存的消息

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铠侠和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术，双方合作关系的新里程碑

Kioxia（铠侠）和西部数据今天宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

三星正在开发160层堆叠3D闪存，采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功，并且准备在年底投产，但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存，堆叠层数多达160层。

三星正在开发160层堆叠3D闪存，采用双堆栈技术

NAND闪存价格去年跌50%，今年还要再跌50%：64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中，DRAM内存去年底开始跌价，而NAND闪存去年初就开始跌跌不止，这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡，厂商的64层3D闪存产能量产了，但是智能手机等下游需求低了，导致NAND闪存价格降了50%。今年这个趋势还会继续下降，如果需求不振，NAND闪存价格还要再降50%。此外，今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存，不过占比只有1/3左右，过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。

孟宪瑞 | 发布于2019-01-14 10:30

长江存储明年量产64层堆栈3D闪存，2020年直奔128层堆栈

2018年NAND闪存价格由涨转跌，NAND闪存价格至少跌了50%，主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加，市场供应大增，今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存，2019年将是量产的主力。国内的长江存储今年量产了32层堆栈的3D NAND闪存，不过真正规模量产的还是明年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存，直接量产128层堆栈的3D闪存。

孟宪瑞 | 发布于2018-11-17 09:28

SK Hynix量产首个4D NAND闪存：96层堆栈，速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字，在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存，日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

孟宪瑞 | 发布于2018-11-05 12:01

西数首发96层堆栈UFS 2.1闪存：最大256GB，800MB/s速度

2018年NAND闪存价格下跌，智能手机的存储容量也越来越大，今年皇帝版手机容量提升到了512GB，锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储，中低端手机容量也达到了64GB，128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步，今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代，西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321，容量32GB到256GB，读取速度最大800MB/s，写入最高550MB/s。

孟宪瑞 | 发布于2018-10-12 10:30

SK Hynix M15工厂即将落成：15万亿韩元投资，主产96层3D闪存

前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成，主要生产96层3D NAND闪存，现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了，明天也就是10月4日就会举行竣工典礼，初期生产72层堆栈的3D NAND闪存，但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分，M15工厂主要生产3D NAND闪存，2020年还会有M16工厂建成，主要生产DRAM内存。

孟宪瑞 | 发布于2018-10-03 10:32

英特尔中国大连二期工厂投产：投资55亿，主产96层3D NAND闪存

在英特尔的转型业务中，存储芯片业务未来会占据更多的比重，尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的，也就是IMFT公司，不过IMFT现在是美光为主，在第四代3D NAND闪存及第二代3X XPoint闪存之后，英特尔将与美光公司和平分手，双方各自研发、生产自家的闪存芯片。英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，总投资55亿美元，现在二期工厂已经投产了，主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

孟宪瑞 | 发布于2018-09-25 11:54

东芝、西数最先进的闪存工厂Fab 6启用，96层堆栈/QLC闪存提速

在全球NAND闪存市场上，三星份额第一，第二、第三则是东芝及西数，这两家还是合作研发、生产NAND闪存的，尽管去年东芝出售闪存业务期间双方一度剑拔弩张，还打起了官司，不过两家公司并没有分手。今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用，配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。

孟宪瑞 | 发布于2018-09-20 09:27

长江存储3D闪存Xtacking堆栈详解：3000次P/E寿命，3Gbps IO速度

今年的智能手机存储容量越来越大，6+128GB几乎是主流配置了，但在存储D芯片中国依然依赖进口，2017年国内进口了价值897亿美元的存储芯片，而全球存储芯片的产值也不过1300多亿元。现在国内已经有三大集团投入存储芯片研发、生产中，其中紫光集团旗下的长江存储公司目前主攻NAND闪存，在上周的FMS 2018国际闪存会议上，长江存储CEO杨士宁也发表了主题演讲，介绍了他们研发多年的3D NAND闪存堆栈结构Xtacking，并获得了“最佳展示奖”（Best of Show）。

孟宪瑞 | 发布于2018-08-13 17:17

长江存储32层堆栈3D闪存4季度量产，64层闪存明年量产

国内的三大存储基地中，紫光旗下的长江存储主攻方向是NAND闪存，长江存储前者是武汉新芯科技，后被紫光收购，整合成为现在的长江存储。日前主管紫光半导体业务的联席总裁刁石京表示长江存储的32层堆栈3D NAND闪存今年Q4季度量产，64层堆栈的3D NAND闪存则会在2019年量产。

孟宪瑞 | 发布于2018-08-06 10:11

三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。