据DRAMeXchange报道，DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌，DRAM厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌，维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，或可有效降低DRAM成本。

据悉，三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术，业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

三星的1z纳米属于第三代10nm级工艺，10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后，三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程，英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后，EUV光罩层会明显增加2～3倍以上，对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

三星宣布他们已经开发出1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，据称，1znm工艺制造的8Gb DDR4芯片在生产效率上较1ynm工艺提升了20%。10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。

三星计划在今年下半年开始大规模量产1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，，以用于预计将于2020年推出的下一代企业服务器和高端PC。三星还将增加其产量，以“满足对最先进DRAM产品不断增长的需求”。但是现在并看不到市场对于DRAM内存有更大需求的增长，由于智能手机及经济环境的变化导致需求放缓，再加上厂商库存增加，从去年Q4季度以来，DRAM内存的价格就已经开始由涨转跌 。前几天的调研报告称Q1季度内存合约价跌幅高达30%，并且预计今年上半年都会持续走低，目前业界的说法是下半年才有可能恢复正常。