K1工厂的外壳将用一个工期来建造，而内部的无尘室则分为四个工期建造。当完工后，该工厂将成为东芝存储和西部数据面积最大的工厂，并提供最大的产能。预期第一块搭载了96层3D NAND闪存的硅晶圆将在2020年早期出厂，而下个半年产量将逐渐增加。除了建造K1工厂，两家公司还将在此扩宽研发活动。

根据合同规定，西部数据将提供K1工厂50%的启动资金和50%的一期建设资金。西部数据总共需要拿出6.6亿美元，用于支付设备采购、搬迁和启动所需开销，另外还要预付3.6亿美元用于K1大楼从2019后半年开始为期三年的折旧费。

关于本次合约的更多细节将于2019年6月28日由西部数据公布。

TrendForce报道称，在一季度长江存储就已经向部分客户和控制器厂商提供了样品，而且长江存储武汉工厂已完成建设，不过仅为32层闪存产品提供有限的产量，而在生产64层闪存芯片时会提高产量并扩大产能。在2020年时，计划将晶圆产量提高到60K/m。不过相对于竞争对手的200K/m还有差距，但这还是会给闪存芯片市场带来一定的冲击。

图片来自TrendForce

同时在2020年，长江存储还计划跳过72层/96层技术，直接生产128层的3D NAND闪存，以此追上美光、英特尔、海力士等竞争对手，而这些厂商计划在2020年推出128层闪存芯片。

长江存储在技术上也在追赶。去年长江存储推出了Xtacking 3D NAND堆栈结构，这种结构相对于传统闪存有极高的I/O速度，更高的密度以及衍生品开发更容易的优势。

此前长江存储CTO程卫华在接受采访时就表示了大规模量产计划，而且他也表示计划进展顺利，没有任何障碍。如果长江存储计划真的顺利执行，那将会对接下来的闪存芯片市场带来一定冲击。

TrendForce称，今年NAND闪存行业出现了供过于求的迹象，SSD供应商已经陷入了价格战，导致PC OEM厂商的SSD价格下跌，到今年年底512GB及1TB的SSD价格会跌至0.1美元/GB，也就是说未来1TB的SSD价格仅需要100美元左右，相比于目前仍有下跌空间。

图片来自TrendForce

根据TrendForce的调查，PC OEM市场的SSD平均合约价格已经连续多个季度下滑。而如果预测2019年第二季度下滑预测成立的话，SSD的平均合约价格将达到连续6个季度下滑。

导致下滑的原因有PC、智能手机、服务器/数据中心OEM厂商对终端市场销售和高库存水平的谨慎态度到时导致NAND闪存市场供过于求；提前的SSD供应商价格战持续压低SSD价格；以及QLC闪存的价格对比导致SSD价格更加低廉。

虽然到第三季度由于市场需求以及NAND闪存供应商削减投资，SSD市场价格大幅下降的情况会缓解，但是由于高库存情况，实际上SSD价格还会持续下跌，不过跌幅放缓。而PCIe和SATA SSD价格差异逐渐减小也会使得更快的PCIe接口成为主流。

图片来源：海力士官网

根据TechPowerUp的消息，海力士表示他们最近已经向开发和销售固态硬盘控制器和NAND存储设备的公司发送样品，以确保相关产品的顺利生产和产品性能。汇融科技总经理苟嘉章表示：“我们从海力士那里获得了QLC工程样品，并对其整体性能印象深刻，样品符合客户的SSD产品要求。”海力士同时也在开发自己的QLC软件算法和控制器，并计划近期内将其推出相关解决方案产品以满足客户需求。

QLC在一个NAND单元中存储四位数据，与每单元存储三位的TLC相比可以提供更高的数据密度。使用QLC可以开发具有成本竞争力的高密度产品。

海力士此次寄出的产品已将面积减少至现有基于3D的QLC产品的不到90％。通过使用体积更小的芯片，海力士可以允许厂家将单个平面当中的芯片数量从2个增加到4个，同时也将数据带宽从32KB增加到了64KB。海力士希望可以凭借这款可以同时处理多达64KB数据的高性能产品来确保了成本和性能竞争力。

“我们计划从明年开始推出我们自己基于款QLC的固态硬盘产品，这对其他企业对于QLC NAND的需求很有意义”海力士NAND发展战略办公室负责人表示，“我们打算在高密度eSSD市场中建立稳固的地位，该解决方案正在取代机械硬盘，我们的NAND闪存解决方案可以实现16TB或者更大的容量。”

根据IDC此前的预测，NAND闪存市场中QLC的比例将会从2019年的3%增加到2023年的22%，同时eSSD会在今年内迅速取代机械硬盘。

NAND闪存价格在2016年中与DRAM内存价格一起上涨，持续了一年多时间，不过2018年上半年的时候就开始降价了，主要原因是当时NAND闪存厂商的64层堆栈3D闪存良率解决了，产能大涨，改变了市场上的供需比例，NADN闪存价格大跌。

从去年到现在，NAND闪存价格还是一路下跌，一方面是产能稳定增长，而且业界开始从64层3D闪存向96层3D闪存转变，一旦完成制程转换，NAND闪存产能还会继续增加，但需求端目前并没有明显增加，智能手机销量今年还是会继续下滑，PC也是如此，只有服务器、数据中心等市场的需求是增长的。

此外，NAND上游供应商今年也削减了投资，早前美光发布上季度财报的时候就提到DRAM内存及NAND闪存产能都会削减5%，三星在之前也确定了削减投资、减少产能的策略，其他厂商预计也会跟进。

从产业链的消息来看，NAND闪存价格还在跌，但跌幅已经开始收窄了，美光上季度的财报中提到NAND闪存的ASP均价跌了20%，但Q2季度预计NADN闪存价格跌幅只有10%。随着NAND闪存价格逐渐逼近成本，闪存降价的空间也没多少了，预计今年底NAND闪存价格就会停止下滑了。

值得一提的是，早前三星美光等厂商也预测DRAM内存价格在今年底也会停止下滑，甚至有恢复涨价的可能，这意味着今年底NAND、DRAM两大存储芯片价格有可能再次迎来一个分水岭——在厂商减产的情况下，如果需求反弹了，那么这两种存储芯片价格不会再跌了，最差也是持平，最好的情况则是如厂商所愿而恢复上涨。

韩国Businesskorea网站报道称，长江存储公司CTO程卫华在接受日本媒体日经新闻亚洲版采访时表示“我们已经制定了大规模量产的计划。”，目前在中国政府的支持下，长江存储在武汉建造了价值240亿美元的半导体工厂，日经报道称该工厂将量产64层堆栈3D NAND闪存。

在采访中，CTO程卫华表示“长江存储公司的计划进展顺利，没有任何障碍。”他并没有正式宣布今年量产64层堆栈的3D NAND闪存，但专家分析称一旦该公司的量产计划实现，他们今年就能够推出64层堆栈的3D NAND闪存。

目前三星、SK Hynix正在使用90层堆栈的3D NAND闪存，去年完成开发之后，SK Hynix今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年能够量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么他们与三星等公司技术差距就可以缩小到2年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。

一些专家依然怀疑长江存储今年是否能够量产64层堆栈3D NAND闪存，因为这家中国半导体制造商还没办法量产32层堆栈的NAND闪存。

但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域似乎取得了进展。如果今年下半年量产64层堆栈的NAND闪存，中国政府可能要求中国智能手机及PC制造商采用国产NAND闪存。如果发生这种情况，将严重影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

继续摩根大通下调美光股票评级之后，Cowen分析师Karl Ackerman也跟进下调美光股票评级，并且将目标股价从46美元降至45美元，理由是市场竞争环境正在发生根本性变化，美光在3D NAND闪存领域的成本优势正在遭到侵蚀，DRAM内存降价也会导致美光公司2020年的盈利会下滑。

在Karl Ackerman的报告中，除了内存降价的影响之外，他还提到了美光3D NAND闪存的问题，认为2020年他们的成本优势就会被削弱，导致美光3D NAND闪存落后于行业，这将会限制该公司抵消供需失衡带来的价格波动的能力。

至于未来，虽然美光等存储芯片领域的公司预计今年下半年（最迟Q4季度），内存芯片市场就会复苏，但是Karl Ackerman调查的结果没这么乐观，他研究了内存及闪存经历的7次行业周期及供应链情况，认为这次的低谷会持续几个季度，NAND闪存及DRAM内存价格改善要等到2020年Q1季度才有可能出现。

他们预计2019年内存及闪存芯片平均销售价格将降低40%，内存芯片的毛利率将从今年Q1季度的59%跌至Q4季度的36%，到了2021年毛利率才有可能在36-37%范围内正常化。

在2019中国(深圳)IT领袖峰会上的“全球科技合作与竞争”对话中，有记者向紫光集团联席总裁、新华三CEO于英涛提问——“现在长江存储国产的芯片逐渐量产，但是国际上的芯片价格下降比较厉害，国际上是不是有打压中国芯片崛起的意图？”

对于这个问题，于英涛回应道：我不敢说有阴谋论，我也不想讲阴谋论，市场是丛林法则，追赶者永远会被领先者打压，这是一个规律，当你没有的时候他卖高价，八几年刚出大哥大的时候3万块钱一台，现在手机是一千块钱一台，这是社会进步的表现。你说他是不是刻意打压，这个我不敢说，起码由于长江存储自主创新的芯片出现，把整个存储芯片的价格大大下降，这就是社会的进步。

根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

在NAND闪存芯片上，长江存储之前斥资10亿美元研发成功国产3D NAND闪存，今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

号称是纯国产的紫光SSD硬盘前不久就曝光了，对此我们之前也做了报道——真·国产SSD硬盘来了：紫光64层3D TLC闪存，1500次P/E，不过之前这事也有很多疑点，报道紫光用了国产闪存的文章都被删掉了，而且挂名紫光国产SSD的至少有两款型号，主控都不一样，到底使用了什么样的主控及NAND闪存还是个谜。

日前友媒泡泡网也刊发了一篇紫光国产SSD的评测——国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测，他们说是从特殊渠道搞到的，看了下太平洋电脑网、中关村在线还没有发评测，这个产品应该不是紫光存储公司统一安排送测的。

想要了解紫光国产SSD硬盘的玩家可以去看看这篇评测，内容的写的不错。紫光S100硬盘的包装，测试的是480GB版的，SATA接口的。

下面就是我的看法了：

从原文的介绍来看，紫光S100硬盘的闪存的规格很不错，不论容量还是性能都是目前的主流甚至可以说是高端水准，但问题就出在这里——紫光存储并没有生产NAND闪存的能力，紫光存储主要的业务是存储产品集成，下到U盘上到存储阵列，做个SSD硬盘对他们来说不难，但紫光存储的NAND、DRAM内存主要是采购别人的。

紫光集团旗下还有长江存储，这家公司是目前国内最重要也是最有可能成功的NAND闪存厂商，也一直有报道说今年量产NAND闪存，实际上他们去年就小批量量产了部分32层堆栈的TLC闪存了，但是主要用于U盘等低端产品，因为32层堆栈、64Gb核心容量竞争力太低了，不论性能还是容量都没可能做480GB的SSD硬盘，而紫光官网列出的NAND闪存规格是超出长江存储已知产品水平的，256Gb核心、512Gb核心容量是三星、美光、英特尔、西数等公司才有的。

带有UNIC紫光logo的闪存意味着是紫光自行封装的，但不代表里面的颗粒就是紫光自己的。在这个问题上，之前的文章也说了紫光存储主要做集成，NAND供应商可以有多个，很多人没注意到的是紫光公司去年跟英特尔公司宣布了战略合作——Intel将和紫光展开合作，后者自有UNIC品牌进军存储市场，其中一个重要合作就是紫光采购英特尔的NAND闪存，去年9月份英特尔在中国大连投资的3D NAND闪存工厂已经量产。

“DRAMeXchange还透露了Intel正与中国紫光存储正积极拟定长期合约，紫光可以根据合作协议获得来自Intel的NAND晶圆，经过自行封装后由紫光的渠道进行销售。事实上昨天紫光存储已经在北京使用“UNIC”品牌发布了一系列存储卡，固态硬盘等新品，正式进入PC存储产品市场。”

结合紫光S100硬盘的性能及规格，现在大家应该知道目前曝光的所谓国产闪存SSD硬盘的来源了吧。

写这篇文章并不是为了diss紫光或者媒体同行，即便S100硬盘真的是采购了英特尔或者其他家的NAND闪存自行封装的，这在国产SSD硬盘品牌中已经是个进步了，意味着紫光SSD有自己的检测封装能力了。

对于国产NAND闪存，国内是有强烈需求的，但是如何界定“国产”也是个麻烦事，这个标准很严格，但也没有固定标准——iPhone手机是中国工厂制造的，但是没人会把iPhone当国产机；AMD及NVIDIA的芯片也是GF、台积电代工生产的，但不会有人觉得AMD、NVIDIA就没技术能力了。

紫光封装的NAND闪存算不算国产NAND？这个定性会影响很多结论，但综合来看现在说国产NAND闪存还是太早了。作为国产自主技术的坚定支持者，我个人非常希望看到国厂商尽快掌握自主的NAND闪存、DRAM内存以及高性能CPU、GPU技术，但是这个过程急不来，指望国产厂商在几年时间里去超越别人有数十年积累的技术、经验是不现实的，NAND闪存的良率/产能提升是个残酷的过程，国内厂商要慢慢摸索，指望紫光或者长江存储一下子就拿出性能、规格这么强的产是不可能的。

最后，消费者个体对是否国产这事并不需要多在意，更没必要冲着国产的情怀去支持，这不仅是对国产NAND闪存而言，对所有产品也是如此。在开放竞争的市场上，国产品牌要想立足就只能靠自己实力过关，消费者最终会用脚投票。

总之，在国产SSD这个问题上，不必贬低国内公司的努力，同样也不要拔高国产闪存/硬盘。

以下为集邦科技原文：

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重，甚至透过减产压抑产出，虽无法立即扭转供过于求的态势，但对于市场环境确实有正面的帮助。综上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌，但跌幅相较第一季则是有所收敛，落在10~15%的水位。以第二季的渠道市场而言，随着256Gb TLC Wafer自2017年11月走跌以来，产品价格已大跌逾70%，每GB单价跌破0.08美元，属各类产品当中跌幅之最。随着价格逐渐逼近成本线使得下跌空间有限，加上原厂良率提升，市场流通的次品数量减少，反应在终端产品（如记忆卡及随身碟等）价格方面可能出现一至二波的调升，因此在价格调升的刺激下，带动模组厂备货力道有所增加，合约价跌幅则逐渐趋缓，预期第二季合约价将呈缓跌走势。叶茂盛指出，除了渠道市场以外，供应商将眼光转向高容量的UFS及SSD产品，除希望透过降价刺激需求增长，也争相以优惠价格竞逐市占；在移动领域部分，包含西数、三星在内的供应商纷纷推出高容量的UFS 3.0产品吸引客户采用，目标借由效能提升以及价格诱因刺激下半年需求成长，同时供应商也完善UMCP产品线，除刺激中高端机种往256GB转移以外，也让32GB机种逐渐往64GB转移。在Client SSD方面，供应商为刺激搭载容量提升，加大512GB/1TB产品的跌价力道，追求CP值的Value PCIe SSD(Gen 3.0×2)产品出货比重同时逐渐提升，使得均价跌幅扩大，有助于SSD于笔记本电脑搭载率成长增速。而在enterprise SSD方面，server/data center作为2019年唯一增长的主要需求，加上产品毛利高于其他类型，已成为兵家必争之地，各厂商皆投放目光在更有成长空间的PCIe产品领域，竞争态势激烈，合约价亦将持续走跌。

这里要说一点，虽然都是紫光集团旗下，但是紫光存储跟长江存储并不是一回事，紫光存储就是那个做U盘、SSD及磁盘阵列的公司，主要做终端产品，长江存储虽然也算是紫光旗下的，不过这是紫光收购武汉新芯科技之后的公司，紫光控股，但公司还是独立运营的，他们主要是做NAND研发、生产，未来他们可能是紫光存储产品的NAND供应商，但紫光存储并不是只有长江存储的闪存可用，去年紫光存储跟英特尔达成了战略合作，推出的很多存储产品使用的其实是英特尔的闪存。

长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存，并且少量生产用于U盘等产品，但32层64Gb容量的NAND闪存已经没有竞争力了，长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

日经新闻报道称，长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行，与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶，惹上了侵权知识产权的麻烦，而晋华公司也被美国政府制裁，美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备，导致公司运转停止。

长江存储今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

更正：长江存储公司表示程卫华并没有提及有关知识产权及产能的表态，文章已经更新。