根据财报数据，2019年第3季度，SK海力士的总收入相对于上个季度有所上升，涨幅达6％，不过相较于去年同期仍然是没有办法比的，少了40％。营业利润与总收入呈现出来的情况相反，相比上季度还下降了26％，比去年同期更是低了93％，主营业务可以说是非常惨淡的了。而收到种种因素影响，虽然收入在涨，但是净收入仍然是在下跌的，不过所幸的是，仍然没有到亏损的地步，但是与去年同期相比低了89％的数据还是会让投资者感到心寒。

主要DRAM和NAND颗粒厂在今年的财务状况都不太好看，大体上还是因为产业大环境呈现一种供过于求的关系，并且这种关系还将继续持续一段时间，最近的固态硬盘与内存价格走势总体平稳，没有再出现去年年末到今年年初那种价格雪崩的情况。很难说之后会出现什么样的行情，目前三家DRAM厂都在推进新工艺与更大容量的颗粒生产，而NAND那边也没歇着，都在推更高堆叠层数的3D NAND，等新工艺成熟之后产能又是一波暴增，当然也说不定会有其他情况出现。

相比起上一代1Ynm，SK海力士的1Znm制程可以提高27%的产量，并且还不需要EUV工艺的介入，在工艺的“性价比”上又提高了许多。而伴随工艺提升同时提升的还有能效比，与1Ynm的8Gb颗粒相比，功耗降低了约40%，而最高的传输速率可以提升到3200Mbps，SK海力士称他们的1Znm颗粒拥有业界最高的密度、速率和能量效率。另外，他们在新工艺中还引入了新的物质改善颗粒的电气性能，并引入了新的设计提高内存的稳定性。

现在DDR4颗粒的三大生产厂中，美光已经在今年8月份的时候宣布他们的1Znm制程量产了，而三星则是更早，在今年3月份就宣布了1Z制程的量产，不过三星是宣布用于8Gb颗粒的生产，而现在美光和SK海力士都是将1Znm用于16Gb颗粒的生产。

而随着主要内存颗粒生产厂切换到产能更高的工艺上，内存容量可能很快也要迎来一个加倍窗口，从目前主流的16GB加倍到32GB。现在市面上常见的单条16GB内存条因为使用的多为8Gb的颗粒，所以多为双面设计，而在16Gb大容量颗粒量产之后，有望普及单面16GB和双面32GB的内存条。

SK海力士还计划将1Znm工艺拓展到其他生产应用中，比如下一代DDR5、下一代移动DRAM——LPDDR5和未来的HBM3。

SK海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司排行中占第九位。在早些年，SK海力士也曾做过零售SSD产品，后悄然推出竞争市场，现在，它以Gold S31 SATA SSD，宣布回归消费级固态市场。

新款Gold S31硬盘的独特之处在于它们完全由内部制造。“Gold S31的所有关键组件，从NAND闪存和内置控制器到DRAM和固件，都是由SK海力士设计和生产的。内部组件的构建是为了提供强大的性能和可靠性，”SK海力士说。SK海力士不是唯一能做到这一点的制造商 - 英特尔，三星和东芝也是如此，具体取决于型号。但是，绝大多数SSD制造商都无法做出同样的举措。

Gold S31外表比较朴素，容量有250GB、500GB、1TB三种可选，顺序读写速度分别有560MB/s、525MB/s。全系列产品质保五年，1TB型号的TBW为600TB。在美亚上，三种型号的价格分别为：50美元、78美元和124美元，约合人民币350元、550元和873元。

SK海力士采取谨慎态度重新进入消费级固态硬盘市场。这些驱动器目前仅在美国亚马逊上独家发售，但该公司表示它将在明年扩大北美和欧洲等其他市场的可用性。作为一款回归之作，Gold S31现在看来比较中规中矩，而性能更强的PCIe M.2固态也许在骑马来的路上了。

SK海力士的HBM2E内存，其每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽，支持提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。同时，通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统等各种尖端领域。与采用模块封装形式并安装在系统板上的传统DRAM产品不同，HBM芯片可以与GPU和逻辑芯片等处理器紧密互连，间距仅为几微米，可实现更快的数据传输。

AMD目前最强的Radeon VII显卡用的就是16GB HBM2显存，拥有1TB/s带宽的带宽，可以给一些专业应用提供了便利，特别是高分辨率的4K、8K创作、渲染等工作；而NVIDIA CEO黄仁勋在采访中表示HBM2显存太贵，相比之下他还是更喜欢GDDR6显存。在NVIDIA的显卡中，面向专业市场的Tesla V100等高价显卡也使用了32GB HBM2显存，消费级的有Titan V显卡，使用了12GB HBM2显存，不过现在的图灵GPU使用的就是GDDR6显存了。目前，SK海力士尚未透露HBM2E内存可以量产出货。

三星电子在三月份也发布了自家的HBM2E内存，将传输速率从2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度达到33%。同时每芯片的容量提升了两倍，达到16GB。同样，尚未可知工作电压和量产时间。

全球的内存、闪存芯片价格也因日韩贸易战而上涨了不少，就在双方剑拔弩张的时候，日本今天突然宣布计划近期批准出口一部分此前限制的三种原材料，目前已启动最终协调，根据日本经济新闻报道，日本经济产业省约在1个月后发出第一批许可，而审查谁许最多需要90天，不过据称有企业因手续而感倒困扰，韩国半导体行业是否能拿到足够的半导体原料也是个未知数。

日本政府一直表示加强出口管制并不等于禁运，在经过日本经济产业省审查之后，认为没有转用于军事用途的话，只要手续没问题是允许出口的，他们认为如果发放一部分许可，就能够向韩方表明他们的态度。

其实自7月4日起，日本向韩国出口的氟化聚酰亚胺、光刻胶和氟化氢这三种半导体原料改成每次出口都要个别审批，而此前的出口机制是只要企业获得一次出口许可就可以在一端时间内不经审查直接出口。

由于内存和闪存的价格暴跌，SK海力士今年第二季度收入同比下降了5%，营业利润同比下降了53%，与去年同期相比，收入更是下跌了38%，营业利润下跌了89%之多。作为SK海力士的核心业务之一的DRAM内存，它的环比出货量增长了13%，然而由于价格疲软，平均售价下跌了24%，而另一个核心业务NAND闪存，环比出货量增长了40%，然而平均售价下跌了25%。

面对存储市场惨淡的市场状况，SK海力士将从第四季度开始削减其DRAM产能，下半年开始就把韩国利川的M10工厂部分DRAM生产线转换为CMOS图形传感器生产线，以此降低DRAM的产能。此外NAND的产能也打算削减15%以上，而去年他们预计只打算降低10%的产能。

至于未来的计划，今年年底前1X和1Y nm的DRAM占比将提高的80%，并在今年下半年开始销售1Y nm的内存，NAND闪存方面，SK海力士将继续专注其72层堆叠NAND，同时还计划通过下半年增加96层的4D NAND来瞄准高端智能手机和SSD市场，他们还准备批量生产和销售128层堆叠的1Tb TLC 4D NAND。

DRAM颗粒的价格上涨会影响到内存条价格的上涨，直接影响到消费者选购内存条。即使到目前8Gb DDR4内存颗粒的现货价格依旧在3.736美元。

在本月初时日本宣布对韩国实施制裁，导致半导体工业中的如聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢成为管控目标，缺少这些原材料可能会使芯片的生产停滞。同时三星及海力士是全球存储芯片领域的巨头，全球75%的DRAM芯片产自韩国，但由于生产所需原料依旧大部分依旧需要进口获得，所以产量的减少可能会导致价格的再次上涨。

不过根据DRAMeXchange发布的公告称，DRAM芯片的短期价格会受到日韩贸易争端的影响，但长期的影响依旧取决于库存水平。然而在KBS World的报道中，一位观察员称如果三星和SK海力士遭遇实际产能挫折，内存价格可能会飙升。

虽然现在三星等厂商已经开始寻找生产材料的供应商，想办法维持产能，但目前DRAM芯片价格上涨已成为事实。也希望日韩争端能尽快解决，毕竟内存等芯片价格上涨对消费者来说也不是好事情。

SK海力士的128层TLC NAND闪存提供了高达1Tb的容量，在1.2V的电压下可实现1400Mbps的数据传输速率，可以实现高性能低功耗的移动解决方案及企业级SSD。而1Tb的容量可以在更少的芯片数量下实现相同的容量。

相比于96层TLC NAND闪存，采用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技术以及各种优化使得SK海力士能将工艺步骤减少5%，并且每个晶圆的产量提升40%。

SK海力士称这是首款批量生产的128层 1Tb TLC 4D NAND闪存芯片，而这也仅离SK海力士批量生产96层4D NAND闪存芯片8个月，足以见得其研发实力。新款的3D TLC闪存芯片提供目前最多的128层堆叠，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一个将1Tb TLC NAND闪存商业化的厂商。TLC闪存芯片也占据了目前85%的市场份额，其性能及可靠性也更加优异。

到明年上半年，SK海力士承诺将基于新的1Tb 3D TLC闪存芯片推出UFS 3.1存储产品，而到了2020年晚些失火，SK海力士还会推出采用自己控制器的2TB消费级SSD以及用于数据中心的16TB及32TB的服务器SSD。

而SK海力士的脚步还没有停下来，已经在开发176层的4D NAND闪存，继续增强其产品竞争力。

由于NAND闪存价格的下跌及供需关系不确定导致了各家厂商都开始加速技术升级，提升其成本结构。更高层数的NAND闪存也会使SSD容量更大，消费者也能够购买到更大容量的SSD。

这个集体诉讼涉及到的公司有：美光科技、美光半导体、三星电子、三星半导体、SK海力士、SK海力士美国，Hagens Berman曾在2006年赢得类似的DRAM价格诉讼，三星和海力士为此认罪并支付超过3亿美元的罚金。而现在这起集体诉讼不会向公众收取任何费用，合理的律师费用将在法院宣判结果或达成和解后由法院授予。

诉讼资料其中之一，于律师事务所网站上公开

今年3月底的时候三星在西安举行了存储芯片二期项目开工奠基仪式，未来三年将投资70亿美元，将NAND晶圆的月产量翻倍提升至22万片，以此满足全球IT市场对3D NAND闪存芯片的需求，二期项目预计2019年上线。

在建新厂的不止三星一家，东芝的Fab 6即将在下一年开始运营，与此同时，在宣布“卖身”贝恩资本后，东芝表示会投资70亿美元用于Fab 7的建设，DRAMeXchange认为东芝Fab 7最快将于2019年下半年开始量产96层的3D NAND闪存。

美光方面，他们位于新加坡的第三座闪存工厂也在本月初动工，计划在2019年年中完工，第四季度投产，估计投产项目和东芝的一样，都是64层或96层3D NAND闪存。SK海力士的情况和前三家差不多，M15新厂差不多都是在明年运营。

照此情况，明年上半年NAND价格就会开始松动，下半年会出现供过于求的现象，SSD等产品的售价将会进一步降低。

用着旧机不爽的你，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

anandtech说16Gb的SDRAM不是什么新的玩意，SK海力士之前就弄过这个东西，只过是利用硅穿孔堆叠两个8Gb而成，这样有个很不好的缺点，就是延迟大，Rank多了，用这样的DDR4颗粒造出来的条子时序一般都不怎么样。

而现在单Die 16Gb就不一样了，Rank减少一半以后，内存条时序就漂亮多了，你看2666MHz的条子才CL19-19-19，一般可能要上到22左右。8个Rank就能造成单条256GB的内存条（16/8GB×16×8=256GB），是不是很恐怖？一般这种超大容量的内存条都是用在数据中心、服务器上，毕竟人家数据吞吐量大多了，可以提高服务器性能。

目前SK海力士已经开始交货部分型号的颗粒，以像最顶级的2666MHz高频颗粒要等到今年第三季度才会用。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信1111888），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

SK海力士的GDDR6暂时分为了4个型号，编号为H56C8H24MJR-S2C的GDDR6显存有14.0Gbps和12.0Gbps两个规格，编号H56C8H24MJR-S0C的速度更低，只有12.0Gbps和10.0Gbps两种规格。SK海力士的GDDR6显存都用了FCBGA封装，显存Bank数为16Bank。

再看看编号，第七位“2”代表单颗显存位宽为32bit，即海力士的GDDR6显存是1GB/32bit规格，可是三星已经做到了16GB/256bit（2GB/32bit）。三星的GDDR6显存电压固定在1.35V，虽然SK海力士的显存可以在不同电压下实现不同的频率，但他们1.35V的工作电压最多也只能飙到14.0Gbps，比三星的18Gbps慢不少。

业界认为GDDR6在今年会用于高端甚至主流级别的显卡上，NVIDIA Volta有望做到首发。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

DRAMeXchange还预测，明年全球DRAM需求增幅大概在20.6%，因此供不应求的大趋势还将持续下去，服务器和数据中心内存容量需求将在2018年推动整体DRAM需求。三星和SK海力士新建的圆晶厂可以缓解DRAM供应紧张的问题，但直到2019年才能进行量产，因为新建12英寸圆晶厂需要至少一年时间，安装设备和调试运行又要额外的时间。三大供应商各自圆晶产量在2018年仅增长5%到7%，提升动力主要来自重新分配现有产线和升级制造过程。

三星每月圆晶产量达到39万片，对于三星来说现在只能依靠其中两条产线扩大产能，因此三星计划在韩国平泽市新建第二个12英寸圆晶厂，提升DRAM产能。

SK海力士也面临订单积压的问题，在生产规划问题上，SK海力士已经将M10圆晶厂一部分产能用于代工，因为设备过于老旧，如果SK海力士厂商将DRAM工艺提升到18nm，圆晶的良品率会更低，所以将M10圆晶厂用于代工别的产品更具经济意义。

而SK海力士的M14圆晶厂预计在2017年年底实现每月8万片的产能，SK海力士已经决定在中国无锡新建一个新的12英寸圆晶厂，这是SK海力士在无锡的第二家工厂，预计在2019年投入运行。

那美光呢？调查显示美光在日本广岛和台湾（Micron Technology Taiwan）所拥有的工厂产能达到饱和状态，只有台湾（Micro Memory Taiwan）的A2工厂有60%到70%的扩产能力，转换成实际数字可达3万到4万片圆晶。虽然美光现在的产能有限，但美光却没公布任何新建圆晶厂的计划。

在2017年美光第三财政季度（截止至2017年5月）公司销售额为57.7亿美元，净利润16.5亿美元，而在2016年第四财政季度（截止至2016年8月），美光曾一度陷入亏损1.7亿美元的困境。SK海力士的情况也类似美光，在今年第二季度SK海力士销售额59.4亿美元，净利润21.9亿美元，同比增长37%，而一年前SK海力士的销售额只有33.9亿美元，净利润2.46亿美元。

在以前，当DRAM供应十分紧张时，部分DRAM厂商就会提升DRAM的产量来平衡市场。当时有不止6家DRAM供应商，可以用6个月的时间来建造新厂，两年内就可以全速生产DRAM。但是如果只剩下3家DRAM供应商会发生什么事？

美光表示在近期内不打算增加DRAM圆晶产能，相反他们要提升工艺，通过缩小die尺寸来生产更多的DRAM，最终圆晶的良品率会提升，以此直接提升产量。而SK海力士在其第二季度金融分析电话会议上表示计划增加DRAM圆晶的产量，三星的生产计划中就不打算提升其DRAM圆晶容量。

三星和美光在一段时间内都会持观望态度，但IC Insighes认为三星和美光最终都会提高DRAM的产量以此保住属于自己的市场份额。现在买内存肯定不太合适，但是关于其他装机问题小超哥（weixn：9501417）倒是可以为你解答~~~