在去年GTC 2015年，曾经有一位大兄弟也做过同样的事，不过那时他发现的是HBM1，而HBM1也仅仅在AMD的R9 FURY系列上。不过今年GTC 2016上NVIDIA发布了最新的专业显卡Tesla P100，该显卡基于最新架构的大核心代号为GP-100。Tesla P100将搭载16GB HBM2显存，4096bit位宽和1.4Gbps频率，带宽达到720GB/s。要知道在上一代的Titan X只有334GB/s的带宽，而R9 FURY X也仅有512GB/s。

艾思科成立于2014年，是韩国SK集团旗下子公司，而艾思科旗下的品牌科赋则在2015年正式推出，该品牌专注于消费及级储产品，首发产品主要以游戏内存和超频内存为主，未来还会逐渐拓展至其它存储产品。在中国大陆市场首发的科赋内存将分为NEO、URBANE、GENUINE、CRAS四个系列，前三个系列以DDR3内存为主，而CRAS则以DDR4内存为主。这些内存产品均在韩国进行设计和制造，并采用了SK海力士的原厂DRAM芯片，享受终身保修售后服务。

即日起科赋内存将在京东商城进行首发销售，在9月22日则会展开促销活动，原价为229元的科赋NEO系列DDR3-1600 4GB内存仅售179元，同时还可享受购买后五星好评晒单即送50元京东E卡的优惠，详情可浏览京东商城科赋旗舰店。

据《经济日报》报道，该消息表示SK海力士无锡厂区有两台曝光机台设定参数出现问题，对OEM客户的供应可能会减半。虽然这则消息仍未获得公司证实，但这已经对DRAM现货价造成影响。集邦科技昨日晚间报价显示，涨幅最明显的是DDR3 2Gb颗粒，现货价上涨最多7.11%。与此同时，受到五一假期影响，大陆DRAM需求激增，致使前天出现了2%的涨幅，因此算下来一天涨幅超过了9%。

好消息是，DDR3 4Gb影响并没有前者那么大，昨晚最后一盘上涨1.48%，均价3.762美元，单面4GB、双面8GB内存的最终售价涨幅应该会在10块钱以内。

新闻来源：元器件交易网

SK海力士的8Gb LPDDR4芯片同样基于20nm级别工艺打造，数据传输速率可达3200Mbps，电压为1.1V，基本参数与三星的产品基本一致。SK海力士表示，LPDDR4芯片无论是速度还是功耗都要比LPDDR3有更好的表现，适合用在移动设备上。

按照SK海力士的安排，这款8Gb LPDDR4芯片会在2014年下半年开始量产，并于年底登陆旗舰级的移动设备，到了2015年就扩大产品覆盖范围，陆续在中高端产品上取代LPDDR3内存芯片，到了2016年则成为移动设备的标准配置。

　　接下来的7年内，美光将要在每季度向Rambus交付1000万美元，总计2.8亿美元，此后可选择是否续约。另外，尔必达与Rambus的纠纷也随之结束。

　　Rambus平时就靠着研发新技术、授权专利以及四处打官司盈利。其中NVIDIA、SK海力士已经在去年2月和今年6月“败下阵来”，签署了类似的协议，SK海力士的是5年2.4亿美元，每季度1200万美元，而尔必达方面的纠纷也随着收购后转移到美光身上。

　　这次与美光达成协议，对Rambus来说实际上就是两棵摇钱树变成一棵了，但他们将可以更专注于新技术和新产品的研发（像之前Rambus的DDR4 R+高速低耗内存技术），对于业界和消费者来说就是一件好事了。

　　SK海力士是全球首家推出16nm NAND闪存的芯片厂商，在6月份的时候就已经开始量产第一版16nm MLC，而现在量产的是芯片尺寸更小的第二版，他们相信新版本更有竞争力。

　　理论上来说，制作工艺越先进，单元的间隔越小，他们之间的干扰会越严重，不过SK海力士表示他们采用了最新的Air-Gap技术，以“真空孔”替代原来在电路之间的绝缘物质。

　　在新版64Gb MLC芯片的规格与耐用性的基础上，SK海力士也成功开发出16nm 128Gb/16GB MLC芯片，这是目前容量密度最大的单片MLC芯片，计划在明年年初开始投产。除此以外，他们也表示将会加快TLC和3D NAND闪存芯片的研发。

　　据协议称，未来5年内，SK海力士必须向Rambus支付2.4亿美元的专利授权费，按照每季度1200万美元的方式支付，而Rambus则向SK海力士开放相应的内存专利授权。不过具体涉及哪些专利，Rambus和SK海力士均没有公开相关信息。

　　Rambus首席执行官Ron Black认为，这次他们与SK海力士签订的授权协议是一个里程碑般的突破，两家公司在经过10年有多的专利斗争之后，终于握手言和，转变为合作关系。有了这个授权协议，双方就能专注于未来的各种挑战，继续创造更多的市场价值。

　　Rambus和SK海力士的恩怨最早可以追溯至2000年，后者曾经被Rambus认为是“杀死RDRAM的凶手”之一，后来两者也是摩擦不断，直到最近两三年才开始坐下来和谈，对Rambus来说，现在他们和SK海力士签订了授权协议，确实是一个里程碑般的突破。

　　这次官司的规模比起以往的要小很多，只能算是一个延续，实际上Rambus和SK海力士的交锋已经不是一天两天的事情，甚至不是一年两年的事情，从2000年8月前两家就开始就专利问题争吵不休，去年Rambus还遭遇了一场大败，不仅拿不到129亿美元的赔偿款，还导致公司股价下跌60%。随后其继续收集材料进行上诉，总算在近日获得了一次胜利，虽然对SK海力士“打压RDRAM技术”的控告仍然不成立，但仍然确定了对方侵犯了自家技术专利。

　　Rambus方面表示，他们对今天的判决还是很满意的，虽然目前尚未就授权问题与SK海力士进行协商，但是他们会遵从相关法律原则行事，希望两者之间的多年纠纷可以得到圆满解决。

　　据称，这种DDR3L-RS内存芯片在待机功耗上比普通的DDR3L要低70%，而性能则维持在主流水平。目前其拥有单芯片2Gb、4Gb、8Gb三种规格，可用于组装单条容量为2GB、4GB和8GB的SO-DIMM DDR3内存。

　　由于功耗比普通DDR3L芯片更低，因此这种DDR3L-RS芯片尤其适合Ultrabook、平板电脑等对功耗非常敏感的移动设备。SK海力士预计，这款芯片正式出货后，将全面渗透Ultrabook、平板电脑甚至是智能手机市场，甚至在传统笔记本电脑市场中也会很受欢迎。

　　曾有调研报告支持，虽然目前超薄性笔记本电脑的市场份额只有11%左右，不过到了2014年将达到39%，再过一年就会来到52%。如果SK海力士的DDR3L-RS芯片发展顺利，届时其市场份额将非常可观。不过我们也相信，其它DRAM厂商不可能看不到这个商机，未来肯定会有更多类似的产品，或许DRAM领域会掀起一股“低功耗潮流”也说不定。

　　有来自DigiTimes的消息称，尽管目前很多产品都要用到NAND闪存，例如USB闪存盘、各式储存卡、固态硬盘以及智能手机、平板电脑等等，但是NAND闪存的库存压力还是非常严重，大量的芯片无法消化。因此为了让市场的供求关系重返平衡，三星和SK海力士决定跟随东芝走上减产的道路。

　　从目前情况来看，虽然没有明确消息，不过美光很可能是下一个宣布减产的NAND芯片制造商，毕竟他们面临的市场是一致的。而这些厂商减产后，NAND闪存及对应产品的降价可能会暂时停止。至于何时才会恢复原有产能，目前暂无明确消息指出，不过我们认为，那个时候也该是20nm/19nm工艺产品正式登场了。

　　HMC技术之所以获得业界的认可，除了其可以提供更高的性能和更低的功耗外，其能兼容现有的DRAM标准也是很重要的因素，这意味着厂商无需对现有的产品进行大幅度的改造甚至是重新设计，也能较好地兼容HMC产品。

　　目前这些厂商都在努力让HMC技术与DRAM标准融合，据称在今年晚些时候就会有HMC内存的标准规范出炉。不过由于仍然有一定的技术难题，真正的产品需要在突破这些困难后方可面世，因此在年内看见实际产品的可能性并不高。

　　实际上，早前SK海力士就已经在日本市场试水SSD产品，首款产品型号为SH910，使用SandForce SF-2281主控，闪存芯片则是自家的26nm MLC NAND闪存，性能还是不错的，至少在同类产品中的中上水平。

　　不过SK海力士的“野心”不仅如此，他们在早前宣布收购LAMD（Link_A_Media Devices），后者是一家在数据存储系统SoC解决方案上有一定成就的公司，有足够的能力开发SSD主控。不难看出，在整合LAMD公司的技术后，SK海力士完全可以推出采用自家方案（自家主控和自家NAND闪存）打造的SSD，只要产品不会“坑爹”，要扩大业务范围自然是易如反掌了。