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      近日IBM的研究团队自豪地宣布,他们已经成功地攻克了PCM相变存储(Phase Change Memory)的多位封装难题,为解决PCM相变存储提升容量、降低成本指出了一条明路。

      实际上PCM相变存储已经存在多年,不过一直以来有一个重大难题制约着它的发展,就是每一个PCM相变存储单元只能存储1bit的数据,即1bpc(bit-per-cell)。这对PCM相变存储提升容量、降低成本是一个巨大的阻力。

      而最近IBM的研究团队成功研发了多位存储的PCM芯片,虽然采用的是90nm的CMOS工艺制造,不过这枚PCM芯片拥有者远高于普通NAND芯片的读写速度和循环寿命,例如写入延迟仅10微秒,写入寿命达1000万次等,这些都是NAND芯片“望尘莫及”的。

      不过,IBM的研究团队并没有透露该PCM芯片的更多信息,例如每个存储单元可以储存多少数据等,而且从目前来看,多位PCM相变存储芯片距离量产还有很长的距离。

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    已有 3 条评论,共 8 人参与。
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    • 游客  2011-07-01 22:16

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2011-06-30 20:11

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2011-06-30 19:36

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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