早前我们曾经报道,美光发布了其创新内存技术Hybrid Memory Cube(混合内存立方体,以下简称HMC)。这个技术通过堆叠封装技术,将多层的DRAM芯片和一个逻辑处理层封装在一起,就可以提供比DDR3内存高出很多的内存带宽。很明显,如果这个技术能够顺利推广的话,那么内存领域将会发生一次“革命”。
作为IT界的龙头老大,英特尔对HMC内存技术抱有很大的期望,其在IDF 2011大会的最后一天与美光联合宣布,两者已经决定携手发展HMC内存技术,目前已经有相应的样品出炉了。据双方称,现有的HMC内存样品能耗与低电压版DDR3内存大致相同,但是能够提供高达128GB/s内存带宽,是主流DDR3内存系统的10倍。
尽管HMC内存性能强悍,但是英特尔和美光并未有相应的量产计划,毕竟兼容性、封装难度等问题仍未解决。不过双方非常有信心,当业界真的需要这种技术的时候,一切难题都能迎刃而解。
消息来源:[Xbit-Labs]
游客 2011-09-16 20:42
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2011-09-16 16:42
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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超能网友高中生 2011-09-16 11:31 | 加入黑名单
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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