为应对竞争而改变，海力士无锡工厂将转产NAND闪存芯片

　　有来自台湾媒体DigiTimes的消息称，在三星公司宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，海力士亦公开表示，其在中国无锡的工厂将由生产DRAM内存芯片转为生产NAND闪存芯片。

　　消息称，由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起，容量为32Gb到128Gb（4GB到16GB）的NAND闪存在需求量上不断增加，这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

　　在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外，海力士还打算扩大工厂的生产规模，甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

　　据统计，目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面，仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议，往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品，海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。