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关于 NAND 的消息

部分厂商将PCIe 5.0 SSD速度限制在10GBps,或与3D NAND芯片采购策略有关

在过去一段时间里,已经有数家SSD厂商发布了PCIe 5.0 SSD,包括了技嘉、美商海盗船和Goodram,都采用了群联电子(Phison)E26系列主控芯片,不过只有技嘉的产品数据传输速率达到了12.4 GBps,其他两家厂商都限制在了10 GBps。目前没有任何3D NAND芯片的速度足能完全喂饱主控芯片,厂商限制PCIe 5.0 SSD的速度是有原因的。

长江存储将向苹果供应NAND闪存芯片,用于新一代iPhone 14系列手机

数个月前有报道称,苹果正在寻求增加iPhone存储芯片供应商,有可能是国内的长江存储。苹果正在测试长江存储生产的NAND闪存芯片样品,进行验证已有一段时间,甚至有传言长江存储128层堆叠的3D NAND闪存已通过苹果的验证。

本季度NAND闪存价格跌幅扩大到30%至35%:市场需求冷淡,卖家库存压力大

此前TrendForce表示,2022年第三季度供应链库存积压有蔓延的趋势,同时分销商去库存缓慢,客户也普遍持观望态度,使得供需平衡快速恶化,预计2023年第三季度NAND闪存价格下跌幅度为8%到13%,趋势会延续到2022年第四季度。

三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位

这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

DRAM需求按位元增长仅8.3%创新低,NAND闪存或以降价带动容量增长

此前TrendForce的调查报告显示,由于受到多方不利因素影响,导致电子需求疲软,加上DRAM现有的库存水平,预计2022年第三季度整体DRAM价格将下跌3%到8%,某些用于PC和智能手机的DRAM产品下跌幅度可能超过8%。NAND闪存也有类似的情况,TrendForce预计NAND闪存价格下跌幅度扩大至8%到13%,趋势会延续到2022年第四季度。

SK海力士宣布研发出业界最高238层NAND闪存,并计划在2023H1量产

SK海力士宣布,已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。目前SK海力士已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。在近日举行的2022全球闪存峰会上,该款238层NAND闪存也进行了首次亮相。

美光量产全球首款232层3D TLC NAND闪存:密度最高,最先用于英睿达SSD

美光宣布,已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存,采用领先行业的创新技术,为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比,232层的NAND闪存有着业界最高的密度,并提供了更大的容量和更高的能效,从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

2022Q3的NAND闪存价格跌幅扩大,供应链将面临积压问题

由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,2022年第二季度的NAND闪存价格由跌转涨。然而消费电子产品在2022年第二季度的销量低于预期,加上NAND闪存工艺进步和产能的提升,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。

苹果M2版MacBook Pro入门机型SSD性能降级,单个NAND闪存芯片所致

在这个月的WWDC 2022开发者大会上,苹果发布了全新一代的M2芯片。搭载M2的13英寸MacBook Pro及新款MacBook Air,入门机型的配置为8GB内存搭配256GB存储空间。

2022Q3的NAND闪存市场供过于求,预计价格最多下跌5%

在2022年第二季度中,由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,NAND闪存价格由跌转涨。不过随着生产的恢复,西部数据和铠侠的产量也在逐月增长,然而智能手机和笔记本电脑等消费电子产品的需求不再,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。根据TrendForce发布的最新调查报告,预计2022年第三季度NAND闪存价格将下跌,幅度在5%以内。

铠侠正在研发七级单元的3D NAND闪存,主控芯片开发亦成为难点

NAND闪存制造商一直尝试增加每个单元存储的位数来提高存储密度,从成本角度出发,这是一种非常具有价值的方法。Kioxia(铠侠)在这方面一直非常积极,早在2019年就开始讨论五级单元的PLC 3D NAND闪存,去年还曾展示六级单元的HLC 3D NAND闪存。

美光推出232层3D TLC NAND闪存:初始容量1Tb,2022年末量产

美光宣布,将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在2022年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片,并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

三星西安NAND闪存工厂全面投产,占全球总产量超10%

三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂,近期已完成了第二工厂的扩建工程,并在这个月初投产,开工率已达到100%。这将大幅度提高三星NAND闪存产量,有望扩大其市场份额。

受铠侠和西数材料污染事件影响,今年第二季度NAND闪存价格将上涨5%至10%

西部数据和铠侠(Kioxia)位于日本四日市和北上市的工厂受到材料污染事件影响,自今年1月下旬后就停产了,直到2月底才复正常运营。西部数据和铠侠合计生产的NAND闪存比行业内任何厂商都要多,占据超过三分之一的市场份额,据称至少6.5 exabytes的闪存被污染,极大地影响了3D NAND闪存的供应。

铠侠将扩建位于北上市的工厂,以提高3D NAND闪存产量

铠侠(Kioxia)宣布,将开始对位于日本岩手县北上市的工厂进行扩建,兴建新的Fab 2工厂,以提高3D NAND闪存的产量。铠侠表示,计划2022年4月开始动工,预计2023年竣工,未来会专注于BiCS Flash的生产。

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