E X P

关于 NAND 的消息

SK海力士收购英特尔NAND闪存业务已完成第一阶段交易,新公司名为Solidigm

英特尔在2020年10月19日,以90亿美元的价格向SK海力士出售了其NAND闪存以及存储业务。其中包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务,以及在英特尔大连的NAND闪存芯片制造厂,但英特尔仍将保留傲腾业务。此前已经有报道指出,该交易在2021年内将获得全球各地监管机构批准。

传SK海力士收购英特尔NAND闪存业务最终获得批准,交易将在2025年完成

在2020年10月份,英特尔以90亿美元的价格,向SK海力士出售了其NAND闪存以及存储业务。其中包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务,以及在英特尔大连的NAND闪存芯片制造厂,但英特尔仍将保留傲腾业务。

市场整体需求疲软,明年第一季度NAND闪存价格会跌10~15%

随着2021年第四季度进入尾声,各主要智能手机厂的备货旺季结束,ODM厂商也将迎来新年假期,而第一季度基本上都是历年的淡季,NAND市场将继续维持供过于求的状态,价格会继续下跌,预计明年第一季度NAND闪存的价格会下跌10~15%,应该会是全年最大的跌幅。

2021年第三季度NAND闪存总营收环比增长15%,三星、铠侠、SK海力士位列前三

TrendForce发布最新调查数据,显示在2021年第三季度,由于服务器和智能手机的需求推动,NAND闪存市场迎来了较大幅度的增长。企业客户和大型设备厂商延续了2021年第二季度的大规模采购活动,以部署基于新款处理器的平台。与此同时,主要智能手机制造商也扩大了采购活动,为即将到来的旗舰手机发布做准备工作。值得注意的是,PC的OEM订单开始出现下滑。

西部数据已开始销售采用OptiNAND技术的20TB硬盘,售价为679.99美元

在这个月初,西部数据首席执行官David Goeckler就表示,将会在11月份开始批量出货采用OptiNAND技术的20TB硬盘。根据之前西部数据在HDD Reimagine活动期间的介绍,OptiNAND架构特殊之处在于PCB上集成了iNAND嵌入式通用闪存驱动器(EFD),通过一系列的技术结合,可以有效提升硬盘容量,提高性能和可靠性,是一种创新性的架构。

西部数据将在11月开始出货OptiNAND硬盘,未来或推向消费级市场

在两个月前举办的HDD Reimagine活动期间,西部数据就介绍了最新的OptiNAND架构,特殊之处在于PCB上集成了iNAND嵌入式通用闪存驱动器。西数表示,OptiNAND架构区别于过去的混合架构硬盘(SSHD),是一种创新性的架构。

2021年第四季度NAND闪存价格将转跌,整体合约价格最多或下跌5%

据近期TrendForce的市场研究发现,今年下半年智能手机、电视和Chromebook等消费类电子产品的出货量低于预期,同时存储卡和U盘在内的零售存储产品需求仍然处于低迷状态,数据中心和企业市场是唯一需求相对强劲的领域。随着库存水平的上升,未来NAND闪存买家的采购动力会下降。这种需求的减弱也缓解了NAND闪存主控芯片的供应短缺情况。TrendForce预测,NAND闪存产品的价格将在2021年第四季度开始下跌。

西数将推出采用OptiNAND技术的20TB硬盘,以提升容量、性能和可靠性

在去年11月,希捷(Seagate)开始向数据中心提供采用热辅助磁记录(HAMR)技术的20TB硬盘。此外,希捷正在开发多款容量为20TB的消费类硬盘,将使用垂直磁记录(PMR)和叠瓦式磁记录(SMR)技术,预计采用SMR/PMR+Mach.2技术的硬盘将会在今年下半年上市,会有更高的性价比。

NAND和DRAM业务强势助力,三星时隔近3年重回半导体市场第一

相比GPU这类芯片供应短缺的苦不言堪,在今年刚过去的Q2季度,市场对SSD和内存需求依然有很强的需求量,加上产能相对足够,这帮助到主营NAND以及DRAM这两类业务的半导体公司保持营收增长,三星电子便借此爬上了半导体市场第一位置。

NEO半导体已获得X-NAND技术专利,具有SLC速度的QLC闪存

在2020虚拟闪存峰会期间,NEO半导体首席执行官兼创始人Andy Hsu展示了一种新颖的NAND技术。这是被称为X-NAND的闪存技术,其特点是将SLC的速度与QLC的高密度与低价结合在一起。据Blocks And Files报道,NEO半导体已获得了X-NAND技术的专利。这家位于圣何塞的公司成立于2012年,目前拥有20多项与内存相关的专利,而且还在不断研发中。

SK海力士计划将收购的英特尔NAND闪存以及存储业务作为独立公司运营

在2020年10月份,SK海力士以90亿美元的价格收购了英特尔的NAND闪存以及存储业务,包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务,以及在英特尔大连的NAND闪存芯片制造厂,不过英特尔将会保留傲腾业务。

铠侠演示HLC 3D NAND,并展望OLC 3D NAND

目前市面上的SSD大多使用TLC或者QLC 3D NAND闪存,Kioxia(铠侠)早在2019年就开始讨论PLC 3D NAND闪存,应该是闪存制造厂商里的第一家。铠侠已不满足于五级单元的PLC 3D NAND闪存,今年展示了六级单元的HLC 3D NAND闪存,并且展望未来八级单元的OLC 3D NAND闪存。

第三季度NAND闪存涨幅在5~10%之间,奇亚币的影响正在消退

根据TrendForce的市场研究,今年第三季度的NAND闪存价格走势相对来说比较稳定,消费级SSD的涨幅不大,消费级闪存存产品受到手机预期出货量降低的影响,降幅更低,企业级SSD这是下季度的主要涨价压力源。4月以来对大容量SSD价格带来影响的奇亚币,挖矿热潮正在迅速消退,预计第三季度整体NAND闪存会涨5~10%左右,其中2D MLC NAND晶圆涨价在0~5%之间,3D TLC/QLC NAND晶圆的涨幅在8~13%之间。

美光表示全球疫情反复可能会影响DRAM、3D NAND供应链

今年春天,中国台湾地区的芯片和显示面板的生产受到了严重的干旱影响,台积电(TSMC)、联华电子(UMC)和美光(Micron)等芯片制造厂商不得不通过各种方式,保证生产用水的供应,以降低对生产的影响。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与分析师和投资者的财报电话会议上表示,已成功减轻了中国台湾地区干旱的影响,美光的产能并没有减少,同时近期开始有降水,应该会有足够的供水满足美光的制造需求。

三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备,未来将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

加载更多
热门文章
1Radeon RX 6500 XT天梯榜首发评测:千元光追显卡,新世代网游杀手
2AMD Ryzen芯片会让特斯拉Model 3续航能力下降,平均降幅在2.4%
3[视频] AMD Radeon RX 6500 XT显卡评测:没那么“甜点级”的甜点新品?
4Intel在准备新一代傲腾SSD DC P5810X/5811X,但有可能是最后一代了
5EVGA发布Z690 CLASSIFIED主板,专为终极游戏体验而设计
6Radeon RX 6500 XT解禁前夕AMD删除社区文章,或与4GB显存争议有关
7联发科展示全球首个WiFi 7技术:速度比WiFi 6快2.4倍
8微软若收购动视暴雪失败,需要支付20到30亿美元
9iPhone SE3有望在4/5月份发布,3月开始生产显示面板