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      虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产,但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来,像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed,已经拿到了20nm的NAND闪存,并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。


    Intel NAND各制程下的Die比较

      从目前的资料看,20nm制程的L84颗粒Page会有8KB(TSOP封装)和16KB(BGA封装)两种,由于密度的上升,每个Page的Spare Byte(用来存放ECC签名)也明显增加,比如说25nm时,一个8KB的Page需要有448bytes的Spare Area,当制程进步到20nm后,Spare Area却需要744bytes,每1KB数据需要更多的ECC检验数据。对于SandForce主控来说,RAISE冗余技术显得就更加重要了。

      还是来看看20nm NAND的性能吧,测试平台采用的是微星Z77主板,Windows 7 SP1系统:


    HD Tune Pro下的Info信息(F3表示20nm制程)

      先关注一下HD Tune Pro中的Info,Serial这一项大多数情况下会显示该SSD所有闪存的型号(一般为编号后几位),对Intel闪存比较熟悉的同学应该会记得目前主流的编号后几位多是ACME3之类的,其中E表示制程,也就是25nm,而20nm的编号则是F,最后的数字可以理解为步进什么的,这次F3颗粒的具体编号为JS29F64G08ACMF3。


    CDM的成绩


    AS SSD成绩


    PCMark 7成绩

      从现有的测试成绩看,20nm NAND闪存的SSD会比25nm下闪存的性能要低10%左右,尤其是4K随机性能下降得比较多,不过目前还是试验阶段,考虑到固件还会继续针对20nm进行优化,性能应该还会有所提升。

      据SuperSSpeed透露,20nm闪存的成本会下降5-10%,反正目前SSD的性能已经足够快了,价格还是主要瓶颈,期待一下,到了年底,20nm制程闪存SSD的大量上市,120GB的SSD会下降到500元吗?

     

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    已有 9 条评论,共 9 人参与。
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    • 游客  2012-05-23 11:17

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      9#

    • 游客  2012-05-21 15:56

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      8#

    • 游客  2012-05-21 08:45

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      7#

    • 游客  2012-05-18 17:00

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      6#

    • 我匿名了  2012-05-18 15:49

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      5#

    • 游客  2012-05-18 14:58

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 游客  2012-05-18 14:53

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2012-05-18 14:08

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 我匿名了  2012-05-18 13:17

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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