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南亚开始量产20nm 4Gb DDR3芯片,明年回归服务器市场

一看到DRAM供应商,可能大家都只会想到三星,SK海力士和美光,但别忘了在台湾还有一个南亚科技,只是南亚在PC市场不如三大供应商强势而已。在看到DRAM市场需求如此旺盛后,南亚自然不会坐视不理,现在南亚已经开始量产20nm 4Gb DDR3内存芯片,并计划在今年第四季度大规模量产20nm 8Gb DDR4芯片。

美光将使用16nm工艺生产GDDR6、GDDR5显存,GDDR5X使用20nm

美光公司进入GDDR显存市场比三星、SK Hynix晚得多,也没有投入HBM这种黑科技显存开发,他们在GDDR5基础上搞了GDDR5X显存,2015年量产以来倒是比HBM显存发展更稳,已经在NVIDIA的GTX 10系列显卡上大量使用。早前美光还提供不了显存路线图,今年会继续推进GDDR5、GDDR5X显存,明年初则量产GDDR6显存,其中新一代的GDDR6显存不仅速度可达16Gbps,制程工艺也会升级到16nm。

Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了:20nm制程工艺

Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了,号称性能、可靠性是NAND闪存的1000倍,容量密度是后者10倍,各种黑科技秒杀当前的闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存的Optane硬盘问世,消费级容量是16/32GB,企业级有个375GB的DC P4800X系列,随机性能确实很强大。不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存的技术内幕,好在现在可以确定一点了,那就是375GB的DC P4800X硬盘使用的是20nm工艺。

SK Hynix、三星18nm服务器内存爆良率问题,被要求暂停出货

NAND闪存的价格在涨了两年之后终于下跌了,DRAM内存芯片的涨价还是个问题,除了需求居高不下之外,内存价格降不下来还跟市场格局有关,全球内存供应几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中,其中韩国两家公司就占据3/4的全球份额。目前内存芯片也在经历20nm到18nm工艺的升级过程,三星是进展最快的,不过这两天有消息称三星及SK Hynix的18nm服务器芯片出现了良率问题,已被中国及美国的两家客户要求暂停出货。

三星2020年推16nm DRAM内存,15nm恐成DRAM终点

三星不仅是智能手机市场的老大,更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕,这三大部件上三星遥遥领先其他对手,手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上,三星不仅产能、份额最高,技术也是最领先的,去年率先量产18nm工艺,今年将完成17nm DRAM内存研发,2018年量产,2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。

联发科、海思大喜,TSMC将减少16/20nm工艺代工价格

智能手机行业今年杀到红眼,终端厂商的日子不好过,上游供应链的联发科、展讯、海思等芯片厂商也同样面临困境,他们过得不舒服,TSMC也得感冒了,因为日子紧巴的情况下芯片厂商就更不愿意选择高价的制程工艺了。TSMC已经在考虑降低16/20nm先进工艺的合约价格以拉拢客户,这对芯片厂商来说也是个好事。

GDDR5X显存夏季量产:容量8Gb,速率已达13Gbps

2016年新一代显卡旗舰显卡无疑会用上最先进的HBM 2显存,但主流显卡全面升级HBM显存不现实,毕竟HBM的成本和产量还是个问题,远不如GDDR5显存主流。美光主导的GDDR5X显存成为主流显卡的一个新选择,年初已经被纳入了JEDEC标准。根据美光日前公布的进展,GDDR5X显存预计会在今年夏季量产,使用20nm工艺,颗粒容量8Gb(1GB),速率已达13Gbps,还有潜力提升到更高。

20nm已落伍,三星、SK Hynix、美光明年量产1x nm DRAM内存芯片

随着美光前不久把台湾南亚科技纳入囊中,DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大厂商的主力制程工艺才刚进入20nm,但是20nm工艺看样子也只是过渡了,因为三星、SK Hynix明年就要量产1x nm工艺的DRAM颗粒,三星最早是明年Q1季度,美光虽然进度最慢,但也表态争取在明年量产1x nm工艺。

继三星之后,SK Hynix也量产20nm内存芯片及36层堆栈3D闪存

在全球储存芯片市场上,韩国厂商的实力雄厚,不论工艺先进程度还是产能都领先日系、美系及台系厂商。SK Hynix日前在财报会议上宣布他们已经开始量产20nm工艺的DRAM内存芯片,今年还会量产36层堆栈的3D闪存,明年规模量产48层堆栈的闪存,不过三星始终是SK Hynix挥之不去的阴影,因为有三星在,他们几乎只能做到第二。

6GB内存手机指日可待,三星量产12Gb LPDDR4-4266内存颗粒

目前新发布的中高端手机大都配备了3GB内存,旗舰手机没有4GB内存都不敢出来打招呼了。现在手机分辨率已经达到甚至超越了桌面PC,也许过不了两年,智能手机的内存容量都要超越大部分PC了,因为三星日前宣布成功量产20nm工艺的12Gb LPDDR4核心,智能手机、平板用上6GB内存指日可待。

初代20nm NAND闪存再见,Intel 530系列固态硬盘开始退役

虽然Intel的SSD固态硬盘不是市面上性能最好的,而且价格往往是最高的(之一),但很多高玩买SSD还是认准了Intel牌的。现在Intel的消费级SSD已经升级到了730及750系列,前代硬盘要退出现役了,最早使用20nm MLC闪存530系列硬盘已经开始踏上“回家路”了。

TSMC的28nm、20nm产能开工率不足,降价10%拉拢高通、联发科

TSMC台积电在28nm及20nm工艺初期占尽了先机,其中28nm代工一度占据了全球8成以上的份额,20nm则是近乎独占,不过TSMC现在青黄不接了,16nm FinFET工艺还没有量产,28/20nm工艺的出货高峰已过,现在产能利用率甚至低至60%,如此闲置的产能自然是极大的浪费,TSMC不得不降价5-10%拉拢高通、联发科这样的大客户。

SK Hynix宣布量产HBM显存:20nm工艺,不止显卡可用

随着AMD的Fury X显卡的发布,HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)技术也正式登上舞台,与目前的GDDR5内存相比,HBM单芯片的带宽从28GB/s提升到了128GB/s,同时功耗降低至少50%。HBM显存主要是AMD和SK Hynix推动的,后者表示他们正在使用20nm工艺大规模量产HBM显存,而HBM不仅可以用于显存,其他如DRAM、NAND及SSD解决方案也可以使用HBM,应用前景还是很广阔的。

一加手机2确认搭载骁龙810,承诺“真旗舰不发烧”

此前我们获悉,一加会在7、8月份推出新的一加手机2,现在他们也正式确认会采用高通骁龙810处理器。这颗处理器不是因为温度难以压制而饱受争议吗?不过一加承诺:“真旗舰,就是能给你一颗不发烧的810”。

高通骁龙810处理器“坑”了一大波队友,TSMC也躺枪了

高通的骁龙810处理器(MSM8994)本来应该是2015年最被看好的旗舰手机处理器——8核64位、Cat9 LTE网络、OpenGL ES 3.1图形能力、20nm工艺听上去都是很好很强大,但是骁龙810的过热问题已经严重影响了用户体验,虽然高通几次辟谣不存在发热、功耗问题,但事实是使用骁龙810处理器的厂商都在下调出货预期了,就连TSMC的20nm产能也空了起来。

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