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根据TSMC公布的路线图，28nm工艺已经是过去时（产能问题解决了吗？），明年将启用CLN20SOC工艺，也就是20nm HKMG工艺，2014年会进入16nm FinFET时代，但是2013年11月份TSMC就会开始小批量试产这一工艺，尽可能降低2014年的工艺风险。再往后就是2016年的10nm FinFET工艺阶段了。
工艺转换的过程不一定都是那么顺利的，有公司表示他们在20nm节点就遇到了障碍，必须要重新设计像USB这样的集成电路图，花了近一年时间，原因就是20nm工艺的晶体管只有1.8V电压，而USB芯片正常来说需要5V及3.3V电压。
EDA（电子自动化设计）业界的高管们表现现在比较TSMC的16nm FinFET工艺与竞争对手比如GlobalFoundries公司的同代工艺为时过早，后者宣布将在2014年推出14nm-XM工艺，使用的也是FinFET晶体管。目前这些晶圆厂的FinFET工艺还处于初期阶段，尚未达到最优状态，虽然已经有厂商开始使用这一工艺流片了。
TSMC研发副总Cliff Hou表示他们的16nm FinFET工艺在后端工序上与20nm SOC工艺相似，其他公司在向14nm/16nm工艺迈进的时候也会选择与20/22nm工艺相近的后端处理程序以降低风险。
TSMC称将在明年1月份提供16nm FinFET工艺的设计工具，之后一个月会有首个包含cell单元和SDRAM单元的IP内核，2013年11月份会开始进行TSMC称为“Risk Production”的限量试产，四到五个季度之后会正式开始流片，换言之一切顺利将在2014年底量产16nm FinFET工艺，不顺利的话就得延后，路线图上已经留出了2015年这段时间做后路了。
TSMC表示，FinFET工艺的漏电流跟20nm差不多，毕竟它就是以后者为基础的，但是FinFET工艺可以大幅提升电路性能达35%，总的功耗也能下降35%。
来源：EETimes