三星电子近日在首尔举行了2013下半年的分析师会议，主要的业务子公司高管在会议上谈论了三星目前及未来产品线的路线图，我们这里来看一下三星LSI集成电路业务的进展和远期计划。

　　三星LSI部门涉及的不只是处理器，还包括传感器、显示器电路、制程工艺等等，我们按照PDF介绍的逐一看下。

屏幕路线图

　　三星今年的手机已经实现了FHD（1920x1080）分辨率，下一个阶段是2560x1440分辨率的WQHD，步步高的Xplay 3S是目前第一个宣布使用2560x1440分辨率的手机，看起来三星明年的Galaxy S5及Note 4都会使用2560x1440分辨率了，而2015年则会本着UHD标准的3840x2160分辨率去了。

传感器路线图

　　今年三星的手机传感器使用了1300万像素的，但是不支持OIS光学防抖，明年会使用1600万像素的，此前消息显示会支持OIS防抖，2015年则会提高到2000万像素。

目前的处理器

这部分是业绩宣传表，三星今年还有可能推出2.xGHz的Cortex-A15处理器？

Exynos 5 Octa是首款使用big.LITTLE架构的处理器

三星的工艺进展

　　三星目前的主力工艺是28nm HKMG，工作电压在1.0V左右，2014年则会使用20nm HKMG工艺，而且首次使用Gate First工艺，电压会降低到0.9V，之后会使用14nm FinFET工艺，电压降低到0.8V，第二代FinFET工艺在10nm节点，电压继续降低到0.7V。

2014-2015年的新产品

明后年的传感器

　　明年三星将会推出1600万像素的传感器，像素大小1.12微米，不同于目前的BIS，三星的1600万像素传感器支持ISOCELL，三星称ISOCELL传感器是无损失感光的，效果比BIS传感器更好。

　　三星的相机产品线也会迎来新的APS-C传感器。

14nm工艺

　　目前三星正在研发14nm工艺，此前有消息说三星明年就会开始量产14nm工艺，Galaxy S5的处理器就是14nm工艺所产，不过现在看来进度不会有这么快，三星的14nm FinFET工艺在调试阶段，已经试产了Cortex-A7处理器了。

未来前瞻

三星的TSV硅穿孔工艺

　　三星此前已经在NAND上使用了TSV工艺，详情可以参考：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解

三星的处理器也要两条腿走路了

　　终于说到三星的处理器了，明年无疑是ARM阵营开启64位的日子，三星的64位处理器除了之前说的使用Cortex-A57和A53组big.LITTLE之外，三星还会开发兼容架构的Exynos处理器，此前有消息称三星在美国奥斯丁的研发中心已经开始设计自主架构的ARM处理器了，明年上半年问世，进度顺利的话三星的Note 4有可能就使用这个处理器呢。

三星的基带计划

　　此外，三星还提到了整合基带的计划，高端产品会继续坚持应用处理器+独立基带的做法，不过中端及低端产品会使用整合基带的处理器，三星并没有提及整合的基带源于哪家，不过他们自己就有做基带的能力，从公司角度来讲有可能会在中低端产品上使用三星自己的基带，而在高端产品上继续使用高通的基带。

整合基带的产品在Q3季度已经出货

三星未来会开发10nm工艺，也会逐渐转向EUV极紫外光刻工艺