昨天三星和GLOBALFOUNDRIES达成协议授权后者使用三星的14nm FinFET工艺，预计今年底开始投产。准备进入FinFET工艺的还有代工业老大TSMC，他们已经开始量产20nm工艺，16nm FinFET工艺也已经在试产，2015年早些时候会量产，2015年晚些时候还有改进型的16nm FinFET+工艺，明年Q4还会试产10nm FinFET工艺，量产时间预计在2016年-2017年。

TSMC上周公告称他们目前已经在试产16nm FinFET工艺，商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时，TSMC还开发出了改进型的16nm FinFET+工艺，预计在2015年晚些时候量产。TSMC预计大多数客户会从16nm FinFET工艺升级到16nm FinFET+工艺，因为后者的优势更大。

与16nm FinFET相比，16nm FinFET+工艺在同样的功耗下性能提高了15%，在同样的频率下功耗则降低了30%，相比20nm工艺则会有40%的速度优势。

此外，16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则是一样的，大部分要求都是互相兼容的，16nm FinFET的芯片设计只需要非常小的改动（如果需要的话）就能用到到16nm FinFET+工艺上，客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低。

TSMC预计16nm FinFET+工艺在今年9月份就会完全合格，他们还表示95%的晶圆厂都可以使用16nm FinFET+工艺，而目前正在生产以及准备生产20nm工艺的95%晶圆厂都可以上马16nm FinFET工艺，因此TSMC预计未来转移到16nm FinFET及16nm FinFET+工艺的时间会很快。

首批16nm FinFET+工艺芯片流片会在2014年完成，其余45个芯片流片预计在2015年完成，此前TSMC公布的今年16nm FinFET工艺芯片流片数量是16个。

除了16nm FinFET及16nm FinFET+工艺之外，TSMC还规划了下下代的制程工艺——10nm FinFET，这是该公司第三代FinFET工艺，在提高性能及降低功耗上有进一步的改进。TSMC预计，与16nm FinFET+相比，同样的功耗下10nm FinFET的频率提升25%，而同样的性能下功耗降低45%，晶体管密度则是16nm FinFET+工艺的2.2倍。

目前10nm FinFET工艺还在开发中，2015年Q4季度会进行试产。

如果进展一切顺利，那么NVIDIA、AMD以及高通公司将在2015年开始使用16nm工艺，2016-2017年间使用10nm FinFET工艺。