在全球四大NAND豪门中,三星不仅是最早量产TLC闪存的,也是第一家量产3D闪存的,前者已经有了840、840 Evo两代产品,3D闪存中也推出了850 Pro这样的产品,三星下一步就是推出3D V-NAND技术的TLC闪存,具体产品也没有悬念——那就是850 Evo,之前已经预定了。
与主流的MLC闪存良好口碑相比,TLC闪存则是毁誉参半,三星已经改用3bit MLC这个名字了,而之前iPhone 6手机采用TLC闪存一事也闹得人心惶惶,虽然很多人根本说不出来TLC闪存到底哪里不好,不过肯定没谁高兴自己买到TLC闪存的iPhone 6。
TLC闪存在可靠性及性能上有天生劣势,不过三星的V-NAND技术又能在一定程度上改善TLC闪存性能差、可靠性低的问题(详情可以参考之前的V-NAND技术解析),现在850 Evo硬盘身上同时具备TLC和V-NAND两种技术,其表现又会如何呢?
日本4Gamer网站日前就测试了三星850 Evo硬盘,并与前代的840 Evo做了详细对比,关注850 Evo硬盘的玩家可以先看看了。
850 Evo硬盘型号及规格
三星840 Evo发布时容量最高750GB,不过之后提升到了1TB,850 Evo现在也是120GB、250GB、500GB及1TB,SATA 6Gbps接口,缓存容量分别是256MB、512MB、512MB及1GB,读取速度540MB/s,写入速度520MB/s,其中前三个型号搭配的是MGX主控,1TB版使用的是MEX主控。
850 Evo升级变化之V-NAND闪存
包装上就可以看到V-NAND技术的印记
与前代840 Evo相比,850 Evo最大的变化就是升级了V-NAND技术,之前850 Pro上已经使用了这种技术,详细技术介绍不多说了,可以参考之前的介绍,850 Evo使用的也是第二代的32层堆叠,不过具体的制程工艺没有看到4Gamer提及,还是假定跟850 Pro是一样的40nm工艺吧。
850 Pro升级变化之二:MGX新主控
在四个容量的850 Evo硬盘中,1TB版使用的MEX主控跟840 Evo是一样的,而前面三款容量使用的则是新开发的MGX主控,三星表示新主控优化了SSD的性能,特别是低容量下的随机性能,它与840 Evo的对比如下:
850 Evo同容量与840 Evo的性能对比
850 Evo升级变化之TurboWrite改进
第三个变化就是840 Evo上所用的缓存加速技术TurboWrite的改进,简单来说就是在SSD中集成SLC缓存以提高SSD的性能,特别是写入性能,850 Evo上的TurboWrite性能更强,500GB、1TB版写入性能提升了20%左右,如上图所示。
850 Evo升级变化之四:5年质保
前面的技术指标变化对用户来说还不算特别的,但850 Evo的质保时间从之前的3年提升到5年对用户的影响就大了,而三星提高质保时间所依赖的也是V-NAND技术带来的可靠性提升,之前840 Evo的120GB、250GB型号数据写入寿命只有44TB,现在提高到了75TB,500GB及1TB版还可以达到150TB,可靠性大大提高。
游客 2016-03-30 16:33
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游客 2015-10-26 12:57
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游客 2015-10-20 16:51
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游客 2014-12-10 20:51
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游客 2014-12-10 19:49
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游客 2014-12-10 16:22
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游客 2014-12-10 10:27
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我匿名了 2014-12-09 12:06
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超能网友终极杀人王 2014-12-09 11:16 | 加入黑名单
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超能网友教授 2014-12-09 10:58 | 加入黑名单
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游客 2014-12-09 10:52
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超能网友一代宗师 2014-12-09 10:48 | 加入黑名单
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超能网友终极杀人王 2014-12-09 10:46 | 加入黑名单
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超能网友终极杀人王 2014-12-09 10:44 | 加入黑名单
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游客 2014-12-09 10:44
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游客 2014-12-09 10:30
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游客 2014-12-09 10:21
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游客 2014-12-09 03:45
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游客 2014-12-08 22:23
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游客 2014-12-08 20:45
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我匿名了 2014-12-08 20:26
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超能网友教授 2014-12-08 16:22 | 加入黑名单
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游客 2014-12-08 15:17
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超能网友终极杀人王 2014-12-08 15:09 | 加入黑名单
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超能网友一代宗师 2014-12-08 15:05 | 加入黑名单
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游客 2014-12-08 14:22
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游客 2014-12-08 13:23
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超能网友一代宗师 2014-12-08 12:04 | 加入黑名单
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游客 2014-12-08 11:46
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