SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4D NAND闪存，成为全球首家量产128层闪存的厂家，不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。

现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。