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    Intel在去年的12月的2020存储日上一口气推出了六款存储新品,当中就包括了最新的消费级产品SSD 670p,目前这款产品已经上架预售了,与此前市场上销售的660p相比,依然使用3D QLC闪存,但堆叠层数从64层增加到了144层,并且更换了新的主控带来了更强的性能,其实在660p之后还有个采用96层堆叠3D QLC的665p,但它已经早早停产为670p让路了。

    Intel SSD 670p依然采用PCI-E 3.0 x4接口,有512GB、1TB和2TB三个容量,它优化了主控、固件与缓存算法,与660p相比性能和耐久度都有所提升,而且有更低的功耗,针对低队列深度和混合读写进行了调整,可满足常见应用常见的存储需求,包括办公和主流游戏。


    Intel的3D QLC闪存已经发展到第四代,采用144层堆叠,存密度比较上代提升了50%

    上图是未来几年SSD的发展预期,其实到了2020年SATA SSD的市场出货占比已经相当少了,到了2021年之后只会占市场的极少一部分,随着今年Intel平台全面支持PCI-E 4.0,SSD也会开始加速升级至PCI-E 4.0,到2023年将会占出货的大头。在消费级市场上,SATA SSD与HDD的市场份额会逐渐被入门级PCI-E SSD所占据,128/256GB等小容量SSD出货量将逐渐减少,而512GB的会在很长一段时间内占据半数市场,而1TB/2TB这种大容量产品市场占有率会逐渐增多,而QLC闪存会在此扮演重要角色。

    Intel SSD 670p三个容量都采用单面设计,连续读写速度是3500/2700 MB/s,较660p相比差不多翻了一倍,4K QD1的随机读写IOPS是20K/54K,而最大随机读写IOPS则是310K/340K,质保期5年,写入耐久度是每512GB 185TBW。

    Intel SSD 670p采用改良过的动态SLC Cache,容量会比660p系列增加11%,它们的最大SLC Cache分别是70GB、140GB和280GB,最小则是6GB、12GB和24GB。

    Intel这次非常强调低队列深度的性能,其实我也很赞同这点,因为日常大部分应用都在QD1-3的范围内的,基本不会超过QD4,而目前大部分SSD厂家在宣传时只会标识产品的最大IOPS,然而这最大IOPS基本上只能在高队列深度情况下跑出来,日常基本上跑不到那种队列深度,其实连续读写也会有这种状况。

    Intel对比了自家的660p与其他厂家的两款QLC产品与一款TLC产品,在QD1下不论连续读写还是4K随机读写都比660p有很大提升,与同类产品相比也相当之有竞争力。

    此外SSD的混合读写性能也是很重要的,许多应用负载时都是在60%/40% 读/写到80%/20% 读/写这个区间内,从上图给出的官方测试数据来看Intel SSD 670p在混合读写负载下依然相当有竞争力。

    Intel SSD 670p的PCMark 10存储基准测试得分甚至比对比的TLC SSD更高,访问延迟也是这五款SSD里面最低的,比660p降低了22%的延迟。目前Intel SSD 670p已经在京东上开启预售,512GB的卖479元,1TB的卖799元,2TB卖1779元,3月10日开始发货。

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    • 超能网友终极杀人王 03-02 09:12    |  加入黑名单

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    • 超能网友博士 03-03 15:04    |  加入黑名单

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    • 超能网友一代宗师 03-03 10:03    |  加入黑名单

      超能网友 研究生

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