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    SK海力士宣布,已在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit(Gb)LPDDR4移动端DRAM产品,这属于第四代10nm制程技术,是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。

    10nm级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名,第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm,SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是,SK海力士通过部分采用了EUV(极紫外)技术,完成了对其稳定性的验证,首次使用EUV光刻设备进行量产。

    SK海力士表示,非常期待新技术带来的生产力提升,并在成本上进一步提升竞争力。预计采用1a nm级工艺技术可以在使用相同尺寸晶圆的情况下,生产的DRAM产品数量比前一代的1z nm级工艺技术增加25%,这有助于缓解全球市场的供应短缺情况。随着技术的迁移,越来越多的半导体企业采用EUV光刻设备生产芯片,一家半导体企业在技术上的领先取决于如何充分利用DUV光刻设备。

    新产品的速率将稳定在4266 Mbps,是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率,同时功耗将降低20%,SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来,三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品,但美光会更晚一些,按计划要等到2024年。

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