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    SK海力士宣布,已成功开发出目前速度最快的移动DRAM:LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)。SK海力士在去年11月,推出了全球首款集成HKMG(High-K Metal Gate)工艺的LPDDR5X内存,采用1αnm(第四代10nm级别)工艺制造,而这次的LPDDR5T是在此基础上进一步的性能提升。

    LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性,在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行,同样集成了HKMG工艺,并计划采用1αnm工艺制造,以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存,LPDDR5T的速度提高了13%,达到了9.6 Gbps。为了强调其高速特性,所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。

    SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板,为16GB容量的封装,数据处理速度为77GB/s,最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来,在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后,仅相隔两个月就再次突破技术局限,为客户提供多种容量的所需产品,可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

    SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前,大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场,能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机,还能扩展到人工智能(AI)、机器学习(ML)、以及增强/虚拟现实(AR/VR)。

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