TrendForce发布了最新市场报告,表示2023年至2027年全球晶圆代工市场成熟制程及先进制程的产能比重大概维持在7:3。其中中国大陆地区致力于推动本土化生产等政策和补贴,积极扩产,预计成熟制程产能占比将从2023年的29%提升至2027年的33%。
中国大陆地区的晶圆代工厂中,以中芯国际(SMIC)、华虹(HuaHong Group)、以及晶合集成(Nexchip)最为积极,扩产主要聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等特殊工艺。
Driver IC方面,主要采用HV(High Voltage)特殊工艺,近期重点在40/28nm HV制程开发,目前市场较领先的是联华电子(UMC),其次是格罗方德(GlobalFoundries)。中芯国际的28HV和合肥晶合集成的40HV将在今年第四季到明年下半年进入量产阶段,技术差距也逐渐缩小,如力积电(PSMC)以及暂时还没有12英寸晶圆厂的世界先进(Vanguard)、东部高科(DBHitek)短期内将首先受到冲击。长远来看,也将对联华电子和格罗方德造成影响。
CIS/ISP方面,3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层,主流工艺大致以40/45nm为分水岭,逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展,而CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者主要是台积电(TSMC)、联电、三星(Samsung)为主,但中芯国际、合肥晶合集成紧追其后,除了在技术层面追赶外,还会受惠于国内智能手机品牌的订单支撑,以及相关厂商积极响应政府政策将订单转会中国大陆地区。Power Discrete(功率元件)主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品,中国大陆地区的晶圆代工厂也有更多切入的机会,加上其他本土小厂加入竞争行列,若产能大幅度提升,将加剧全球Power Discrete代工的竞争压力。
目前中国大陆地区的目标是提高本土化生产的比例,大幅度扩充产能可能会造成全球成熟制程产能过剩,且随之而来的将会是价格战。随着未来几年成熟制程产能提升,业内二/三线晶圆代工厂将面临客户流失的风险及价格压力,最终取决于技术迭进与良品率。
cnbeta一代宗师 2023-10-20 12:43 | 加入黑名单
4年提升4%?开玩笑的?
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5#
zerg_hzc教授 2023-10-20 08:47 | 加入黑名单
还远远不够,至少要把全世界14nm以上制程的产量抢到80%,满足国内需求外还要尽量尽早低价抢占国际代工市场,就像当初光伏产业,把外国公司全部拖死
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4#
bxhaai一代宗师 2023-10-20 08:39 | 加入黑名单
每年提升1%?是不是太保守了
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3#
恒温麾下一代宗师 2023-10-19 15:57 | 加入黑名单
有无佬科普一下现在局势
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2#
12345jv v ji教授 2023-10-19 14:07 | 加入黑名单
中国牛逼!!!
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