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    近日,美光推出了基于单颗32Gb芯片的128GB DDR5-8000 RDIMM内存模块。据TomsHardware报道,美光还公布了未来五年的产品路线图,分享了对高性能、高容量存储技术的展望,其中包括了一些过去未曾公开讨论的技术。

    美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力,此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2,对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来,预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片,将会在2025年推出。

    更大变化的将是HBM4,计划在2026年发布,内存堆栈将采用2048位接口,带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间,推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E,频率将进一步提升,容量将增加至48GB到64GB,带宽增加至2 TB/s以上。

    下一个GDDR版本,也就是GDDR7将会在2024年末到来,每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps,容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末,单个芯片的容量会超过24Gb,速率也会提升至36 Gbps。

    美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块,数据传输速率为8800 MT/s,然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块,数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块,容量在128GB至256GB,带宽将达到36 GB/s,接下来还有支持CXL 3.x的内存模块,容量超过256GB,带宽超过72 GB/s。

    对于低功耗应用,业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间,然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存,速率为8533 MT/s,容量在16GB至128GB,到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

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