三星计划2025年引入背面供电技术：采用BSPDN打造2nm芯片，进一步提高能效

三星在SEDEX 2022上，介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，称经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，2nm芯片的性能将提高44%，功率效率提高30%。在去年的VLSI研讨会上，三星又公布了最新的BSPDN研究成果，表示BSPDN相比FSPDN的面积可以减小14.8%。

据相关媒体报道，三星正在推动BSPDN的应用，计划明年量产的2nm工艺引入背面供电技术。三星希望通过BSPDN改变游戏规则，让其能够更好地与台积电（TSMC）在代工业务上竞争。

传闻三星已经在两个Arm内核上进行了测试，设法更好地实践如何减少芯片的内核面积，应用BSPDN后，两个Arm内核的芯片面积分别减少了10%和19%。随着芯片面积的缩小，三星可以更有效地批量生产更小的SoC设计。早期的测试显示，引入背面供电技术还成功地提高了性能和能效，甚至超出了三星制定的指标。由于尚未商业化，只是初步的技术探索，暂时还不清楚对生产成本的影响。

除了三星以外，英特尔过去也介绍了开发中的PowerVia技术，计划在Intel 20A制程节点首次引入。这是英特尔独有的、业界首个背面供电网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。按照英特尔的说法，背面供电可以让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，同时解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈。