关于 DRAM 的消息
DRAM产业2024Q1营收增长5.1%，合约价上涨抵消淡季效应
TrendForce发布了新的调查报告，显示2024年第一季度DRAM产业的营收约为183.5亿美元，环比增长了5.1%，推动了大部分行业企业延续了季度营收增长的趋势。如果从出货量来看，第一季度三大厂都出现了季度减量，反映了产业的淡季效应，不过合约价继续上涨，再加上库存仍处于健康水位，从而抵消了出货量减少带来的影响。
SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶，三星也有同样的考虑
此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺，在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。
美光计划在日本建造新的DRAM工厂，预计2027年末投入运营
据TrendForce报道，美光计划在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，预计投资金额在6000亿至8000亿日元之间（约合人民币277.06亿至369.41亿元）。美光计划2026年初开工建设，目标2027年末投入运营，其中将会安装极紫外（EUV）光刻设备，将以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。
2024Q2存储产品价格涨幅扩大，DRAM和NAND闪存可达18/20%
TrendForce针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势，发布了新的调查报告，表示两者不但会延续过去多个月的增长趋势，而且涨幅扩大。其中DRAM合约价季涨幅将达到13~18%，而NAND闪存的合约价季涨幅将扩大至15~20%。
“DRAM之父”Robert Dennard去世，享年91岁
电子和计算机工程的先驱Robert Dennard已于2024年4月23日去世，享年91岁。其凭借对DRAM（动态随机存取存储器）的杰出贡献而广为人知，被誉为“DRAM之父”。Robert Dennard的发明，使数十亿的智能手机、电脑和其他消费电子产品成为可能。
明年HBM产品或涨价5~10%，占DRAM总产值超过30%
近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升，价格也是水涨船高。即便各个存储器供应商不断提升HBM的产能，仍然难以满足市场的需求，传闻SK海力士和美光至2025年底之前的HBM产能已经售罄。
美光宣布为AI数据中心提供关键内存：32Gb DRAM打造的128GB DDR5 RDIMM
美光宣布，率先在领先服务器平台上验证并交付了基于32Gb DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存模块，引领了行业。其采用了最新的1β（1-beta）工艺节点批量生产，与3DS硅通孔（TSV）产品相比，密度提升了45%以上，能效提高了22%，延迟降低了16%。
三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品
近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。
美光在《芯片法案》获得61.4亿美元补贴，未来约40%的DRAM芯片生产转移到本土
美国商务部宣布，已经与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的直接拨款，另外还有75亿美元的贷款，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。这些投资将推进美光的计划，即未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到美国本土。
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
今天SK海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来，提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
受地震影响内存厂已经停止公布DRAM合约价，预示会进一步涨价
4月3日在中国台湾地区花莲发生的地震即使对岛内的晶圆厂是肯定有影响的，即使厂房没有损坏光刻机也得停下来检修，美光在当地的厂区当时就有进行停机评估，在地震过后内存制造商已经停止披露2024年第二季度DRAM内存合约报价，这可能预设着即将涨价。
2024Q2存储产品价格涨势持续，DRAM和NAND闪存涨幅可达8/18%
TrendForce发布了新的调查报告，分别针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势。两者都会延续过去多个月的增长趋势，不过DRAM合约价季涨幅将缩小至3~8%，而NAND闪存则会保持强势，合约价将上涨约13~18%。
2024年HBM产值占比将达到DRAM产业约20.1%，相比2023年8.4%大幅增长
近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升。虽然去年存储半导体行情疲软，但是HBM3这类高附加值产品需求激增，填补了存储器厂商其他产品的损失。此前有报道称，随着英伟达和AMD等公司大量生产AI GPU，市场需求飙升了500%，而且价格创下了历史新高。
经过长时间与库存及需求的纠缠，三星DRAM业务时隔5个季度实现盈利
作为全球最大的芯片制造商之一，过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，DRAM业务陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上，但是进展一直不太顺利。
