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三星准备推出512GB DDR5-7200内存，采用8层TSV堆栈封装

在HotChips 33大会上，三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存，而现在三星的DDR4是用4层TSV封装的，这使得DDR5内存的容量是DDR4的两倍，未来单根512GB的DDR5成为可能。

Strike | 发布于2021-08-23 10:23

三星正在开发8层TSV的DDR5内存模块，预计年底前将开始生产

近期三星的势头比较猛，根据分析公司IC Insights的数据，在2021年第二季度超越英特尔，成为全球最大的半导体产品供应商。此外，市场调研公司Trendfocus的数据显示，2021年第二季度在SSD的出货数据和出货容量上，三星都占据了最大的份额。

吕嘉俭 | 发布于2021-08-23 09:01

东芝发布首款16核堆栈的NAND闪存：容量256GB，功耗降低50%

东芝、闪迪今年底就要正式推出48层堆栈的BiCS 3D闪存，MLC核心容量可达128Gb，现在东芝又宣布了世界首款16核堆栈的NAND闪存，这两者别搞混了，前者的3D堆栈指的是闪存核心（die）内部的堆栈，现在的堆栈使用的是跟AMD的HBM显存一样的TSV工艺，是16个闪存核心的堆栈，目前的原型产品中封装容量最高256GB，I/O接口速度1Gbps，要比其他闪存更快，而耗电则低了50%。