根据eetimes报道，海力士在国际固态会议上公布了首个DDR5内存芯片的细节。同时三星也在此次会议上描阐释了基于低功耗规范的LPDDR5的SDRAM的实现。

DDR5内存提供了两倍于DDR4内存的带宽，同时电压更低，数据传输效率更高。作为制定DDR5内存标准的组织，原计划于2018年底完成标准制定，但事实上这项工作依旧在进行中，预计在今年年底有相关产品会出现。

此次会议中，在海力士发表的论文中，提到了其DDR5产品可以提供每针脚6.4Gb/s的速率，16Gb的容量，同时工作电压为1.1v，低于现在的DDR4内存，与LPDDR4相当。制造工艺为1ynm，芯片面积为76.22平方毫米。

与此同时三星也公布了其10nm级别制造工艺额LPDDR5 SDRAM芯片，可提供7.5Gb/s的传输速率，工作电压仅为1.05v。但更多的细节三星并没有公布。

而在2019年2月19日，JEDEC公布了LPDDR5更新标准，但依旧不是最终标准。根据标准其可以提供比LPDDR4高50%的I/O速率，达到6400MT/s。同时由于更低的工作电压，可以为智能手机、平板、笔记本电脑等便携式设备提供更高的性能和更长的续航时间。

三星和海力士都证明将在今年四季度发布DDR5内存产品。而Cadence和Micron也已在201810月份表示将在今年年底生产DDR5内存。

初期DDR5内存价格相较于DDR4内存更贵，大规模上市依旧需要时日。

这两天中国贸易谈判团队赴美进行新一轮谈判，之前的谈判中有爆料称双方已经达成了一项备忘录，同意解决双方存在的一些问题。英国金融时报日前援引消息人士的话称中美谈判代表也就半导体领域存在的美光与晋华长期存在的争端做了沟通，有意将此问题纳入双方的贸易协议中，这也是双方建立互信的的措施之一。

美光与晋华之间的纠纷最终能否解决、怎么解决还是个悬念，不过专利纠纷这样的事通常都是双方和解，然后达成专利授权，最可能的情况还是晋华方面出钱获得美光的技术授权，而美光及美国方面也不会再用政策阻碍晋华发展内存芯片。

当然，晋华及联电方面此前一直否认侵犯了美光的内存专利权，如果有足够支持让晋华、联电不用花钱就能了结专利纠纷，这自然是最好的结果了。

从美国总统最新的推文来看，他在中美科技竞争中的态度已经发生了变化，强调美国公司要通过竞争取胜，而不能通过封锁的手段取胜，这个变化也被视为中美贸易谈判重要进展的一个信号。

无论半导体领域的纠纷能不能解决，国内发展半导体芯片，特别是存储芯片的决心是改不了的，2017年中国进口半导体芯片2700多亿美元，其中存储芯片占了886亿美元，高价值的DRAM内存芯片又占了多数部分，2018年中国进口的半导体芯片价值3121亿美元，存储芯片预计会过千亿美元，而国产存储芯片占比几乎是0，这部分差不多是完全依赖进口。

路透社称，SK Hynix公司本周四宣布将投资1070亿美元建设四家晶圆厂，在韩国首尔以南450万平方米的场地上，2022年会开始建设两座新的存储芯片晶圆厂，与现有的两座工厂比邻而居，未来十年投资高达55万亿韩元，约合490亿美元。

路透社称SK Hynix大手笔建厂试图在中国努力成为先进芯片制造国的过程中保持其竞争优势。

尽管这两年全球智能手机销售不振导致芯片热炒放缓，但SK Hynix正在为5G及AI人工智能等技术带来的需求激增做准备。“虽然目前自动驾驶汽车对芯片的需求不足，但我相信未来10年里，最早在2023-2024年自动驾驶汽车对芯片的需求就会更多。”，Mirae Asset的分析师Kim Young-gun表示这将为SK Hynix创造更多芯片需求，未来几年的5G市场也会如此。

CNBC称SK Hynix的这项计划加剧了全球最大的存储芯片出口国韩国与中国之间的竞争，中国一直在积极鼓励投资芯片制造业，以减少与美国贸易争端中的进口依赖。

中国是世界上最大的芯片进口国，2017年进口价值2700多亿美元的芯片，超过了原油进口总额。

SK Hynix表示投资计划需要经过当地部门批准，未来将有超过50家国内外供应商进入距离韩国首都40公里外的龙仁工厂。

这家芯片制造商在中国无锡还有第三家工厂，该公司表示尚未确定产能增加。（注：SK Hynix在中国无锡除了有一期晶圆厂之外，还投资了36亿美元建设二期工厂，并且一期工厂也在扩增产能中）

该发言人Olivia Lee告诉路透社，“这确实是一项长期投资，我们的策略可能会根据市场情况改变。”

今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。

DRAMeXchange指出，2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱，以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB均价降至55美元或更低的共识，预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%，并且2、3月持续下探的可能性极高。整体来看，第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%，扩大到近20%，尤其以服务器内存的下修最为明显。

2017年底8GB内存价格差不多要1000块了

Q1季度价格跌幅20%？之前每次报道内存跌价的新闻，有读者表示价格并没有降这么多啊！刚刚检索了下内存价格风向标金士顿Fury 8GB单条的价格，1月1日价格是469元，这几天最便宜的价格是379元，当前价格是399元，这么算的话价格也确实降了，只不过这点差距很多人不太敏感。

当然，单一型号的内存价格其实个例子，有些内存降的可能多一些，有些内存因为定位、功能等问题可能降的少一些，反正随着基数的降低，10%甚至20%的降幅反映到最终价格上只会越来越小。

Q1季度内存跌价20%，接下来的Q2季度内存价格也没可能反弹了，集邦科技预测Q2当季可能略有回温，但是因为累积的库存依然需要时间消化，Q2季度依然是供过于求的状态，认为DRAM内存价格还会再降15%。

从此前三星及SK Hynix等公司的预测来看也是如此，上半年内存市场复苏是没可能的，价格还会继续降，Q3季度供需关系才有可能改变，这些厂商看好下半年的趋势。

虽然2019年才刚刚开始，距离今年的iPhone发布会还有至少7个月时间，但是熟悉iPhone爆料风格的人都应该知道针对iPhone新机的消息已经开始了，有小道消息也有行业分析师。天风证券分析师郭明錤日前发表报告，指苹果今年会推出3款iPhone新机、2款iPad、3款Mac电脑及新一代Apple Watch手机等。

iPhone手机方面，目前还没有新机的确定命名，不知道今年是不是叫做iPhone XR2/XS2/XS2 Max这样的命名，但新机的尺寸跟去年的三款是一样的，依然是6.1寸LCD、5.8寸OLED及6.5寸OLED，也还是刘海屏设计，刘海大小跟现在的手机一致，接口也是Lightning，没有预期中的USB Type-C接口，不过会用上雾面玻璃外壳，并且支持双向无线充电，可以给其他设备充电，这个技术在华为Mate 20系列手机上已经有过应用了，苹果的方案也大体如此。

尽管外观及设计没有大改，但配置及功能还是有变化的，6.1寸LCD版iPhone内存容量会增加到4GB，不再低人一等，而5.8寸OLED版也会支持双卡双待，不再留下选择纠结症了。

今年的三款iPhone还会支持UWB（超宽带无线通信技术）定位技术，Face ID也会提升照明功率。

如果这些还不够，那么电池容量提升、广角长焦及超广角三摄技术对大多数人来说就更有意义了，只是目前还不能确定续航及拍照方面能提升到什么程度。

Digitimes收到业内人士的消息，1TB SSD在2018年前的售价约为10000新台币（约2200元人民币），而到了2018年初则只需要8000新台币，而现在只需要4000到5000新台币，甚至有可能会跌至3000新台币（约660元人民币），造成价格暴跌的原因是原料NAND闪存产能的增加导致的价格大幅下滑。

尽管现在用SSD的电脑越来越多，但由于PC和手机市场的需求不足，导致2019年第一季度SSD的价格会继续下降超过15%。

另外内存市场方面，现在主流容量的8GB和4GB DDR4内存模组价格已经下滑到60美元和30美元左右，并且在今年第一季度进一步下降，而且在内存生产商将面临巨大的库存压力，但终端市场大多保持观望态度，所以这库存并不太好清。

另外由于受到Intel处理器缺货的影响，很多游戏玩家转向AMD平台，这使得AMD在游戏市场的份额增长到17%，拉动了DDR4-3200内存模块的出货量，而3600-4000MHz频率的DDR4内存的出货量则有所放缓。

DDR5是新一代内存标准，相关规范去年已经公布了，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星去年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix去年宣布了16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺，频率达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%，是目前已宣布的DDR5内存中频率最高的，距离标准上限DDR5-6400MHz也没多远了。

至于DDR5的量产时间，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在2019年底开始量产DDR5内存。总之，不论哪家内存芯片公司，量产DDR5内存的时间都不会很早，2020年才是起步时间。

但在技术研发方面，DDR5内存的工作是已经完成了，下一步就是DDR6内存了，韩国先驱导报援引SK Hynix公司内存研发人员Kim Dong-kyun的消息称，他们已经开始预研DDR6内存了，预计需要5-6年时间才能完成。

目前业界还没有统一的DDR6规范，SK Hynix方面提出了DDR6内存的两个方向，一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线，另一个则是跟系统技术结合起来，比如跟CPU结合，目前都没有定论呢。

继续提高频率的话，DDR6内存的频率将达到12Gbps，比目前的DDR5内存标准上限DDR5-6400再翻一倍，带宽也会翻倍，意味着单条内存带宽能达到100GB/s。

不过现在说的这些依然只是DDR6内存技术的潜在选择，5年后内存市场变化会很大，DDR6标准依然是起步阶段，提升频率只是其中一个方向，未来3D堆栈的内存技术必然会对DDR内存发起挑战。

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路，JHICC)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。

在DRAM内存研发上面，晋华是委托台湾公司联电开发的，联电在台湾招募相关人才时从华亚科（已经被美光全资收购）等公司挖人，因此与美光公司产生了冲突，美光指责联电窃取商业机密，侵犯专利权等等，随后打起了官司，联电也在大陆起诉了美光，福州法院去年发布禁售令，将美光旗下的SSD及内存产品禁售，虽然实际上并没有影响美光产品在中国市场上的销售。

此后美国政府部门也加入了对联电及晋华的制裁行列，去年10月底先是美国商务部制裁晋华、联电，理由是晋华生产的DRAM内存芯片有严重风险，会威胁到为美国军方提供芯片的美国公司，被美国列入制裁名单之后，任何美国公司都将被限制向晋华集团出口产品、技术及软件，除非得到许可，理论上依然有可能出口，但分析认为这种许可申请普遍都会被驳回。

随后美国司法部也宣布起诉这两家公司，还有三名前美光公司员工，理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密，该市场价值1000亿美元，给美光造成的损失将近90亿美元。

联电及晋华方面也发表了声明，否认侵犯美光的专利权，并且会积极应诉。

今天晋华集团也发表了新的公告，将向美国商务部最终用户审查委员会提交信函，声明公司准备递交正式申诉，要求移出美国商务部实体清单。为更充分了解和解决美商务部的顾虑，信函同时也要求美商务部提供其最终用户审查委员会做出将晋华列入实体清单决定所依据的文件材料。

在接下来的几个月中，晋华希望澄清公司并不存在危害美国国家安全的风险，并说明公司始终一以贯之地遵守美国法律。

Benchlife爆料称，华硕已经在ASUS ROG Zenith Extreme上实现了单条32GB non-ECC内存支持，这样一来8条内存插槽就可以上到256GB内存，比原定支持的128GB容量翻倍。

从他们获得的截图来看，ROG Zenith Extreme主板使用的是1601版本的BIOS，但AGESA部分似乎有些许不同；就目前的信息来看，这组内存与早前在ASUS ROG Maximus XI Hero这个英特尔Z390平台上使用的应是同一组内存，不过CL值有些许不同，英特尔Z390部分为CL19-19-19-43，而AMD X399部分的设定为CL20-19-19-43。

目前只是华硕这方面透露了支持单条32GB non-ECC内存的消息，AMD官方还没有公布相关信息。

在全球DRAM内存芯片市场上，三星、SK Hynix及美光三家是最大的，他们占了全球大约95%的市场份额，剩下的市场空间主要是台湾厂商，包括南亚科技Nanya、Winbong华邦、Powerchip力晶等，其中南亚科在去年Q3季度的份额约为2.8%，季度营收约为8亿美元。

由于去年Q4季度内存开始跌价，南亚去年10-12月份的营收不断下滑，12月份南亚合并营收仅为48.29亿新台币，相比11月份减少了10.6%，相比去年同期大减18.9%，这也是2017年10月以来的新低。

不过看全年的话，南亚因为受益于前三季度内存涨价，所以2018年的业绩依然是大涨，全年合并营收847.2亿新台币，同比增长54.3%，55%的毛利率虽然没有三星、SK Hynix等公司60-70%的毛利率那么夸张，但也2017年的44.8%毛利率大幅增长了，推动运营利率从之前的34.2%增加到了46.5%。

南亚科技去年的运营利润达到了393.55亿新台币，相比2017年的187.9亿新台币增长了100%，不过净利润同比下滑了2.3%。

对于2019年的内存市场继续大幅降价的趋势，南亚同样也会削减内存投资，从去年Q4季度开始就在减少了，2018年的内存投资从预期的240亿新台币减少到了210亿新台币，而2019年更是直接减少到100亿新台币，同比减少了50%以上。

集邦科技旗下的DRAMeXchange今天发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。

DRAMeXchange指出，2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱，以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB均价降至55美元或更低的共识，预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%，并且2、3月持续下探的可能性极高。整体来看，第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%，扩大到近20%，尤其以服务器内存的下修最为明显。目前DRAM市场最大问题并非供给端的增加，而是需求端在2018年第四季提前进入淡季，使得库存攀升问题提早浮现。以2018年第四季来看，所有供货商当中以美光降价幅度最大，因此部分偏高的库存水位得以适时去化。而韩系厂因为降价幅度较小，导致出货量萎缩，库存持续累积至2019年第一季将相当可观。短期之内，生产位元成长(supply bit growth)将持续大于销售位元成长(sales bit growth)，库存水位的不断上升，成为价格的最大压力。预期自2018年第四季开始的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。上肥下瘦，模组厂获利空间遭压缩虽然DRAM价格自2018年下半年开始走跌，但由于产业集中度高，削价竞争只会侵蚀目前丰厚的获利，因此，2019年各厂纷纷计划减少资本支出，以稳定DRAM价格并平衡市场供需环境。

值得注意的是，上游原厂享有高毛利，但下游的内存模组厂与客户的获利空间却遭到压缩，这使地整体内存产业获利表现在2018年呈现上肥下瘦。2017年因DRAM价格在短期大幅上涨，模组厂受惠于手中持有的低价库存得以转为实际获利，大多数模组厂获利表现相当优异。但从2018年开始，DRAM价格已处于高档水位，颗粒价差获利空间变小，模组厂仅能从加工费用中获利。加上DRAM价格于下半年开始下跌，下游模组厂手上持有的库存损失则拖累获利，不少下游厂商2018年的实际获利较前一年相比仅剩一成水平，甚至开始亏损。由此，DRAMeXchange预期2019年模组厂的生存将面临更严峻的考验。