去年Q3季度，三星电子营收65.46万亿韩元，约合4004亿人民币/574.8亿美元，环比增长5%，同比增长12%，运营利润17.57万亿韩元，约合155亿美元或者1075亿人民币，而2017年同期运营利润为14.53万亿韩元，去年Q2季度是14.87万亿韩元，同比、环比大涨21%、18%。净利润则达到了13.15万亿韩元，约合804亿人民币或者115.5亿美元，同比、环比增长5%、19%。

三星去年Q3季度的业绩是创纪录的，但是Q4季度的情况就要变了，因为贡献了大约70%利润的半导体部门迎来拐点，特别是存储芯片业务，NAND闪存去年一直在跌价，DRAM前三季度微幅上涨，但是Q4季度的10月份开始就跌了10%，并一直保持跌价的趋势，即便三星、SK Hynix及美光等公司采取了削减投资减少产能的方式力阻内存降价，但是DRAM内存芯片的价格是止不住了。

市场预期三星Q4季度业绩会受到内存降价的影响，三星自己发布的财报指引比分析师预期还要低，预计Q4季度营收为59.8万亿韩元，市场预期平均值大概是62.8万亿韩元，而官方给出的运营利润预期只有10.8万亿韩元，也就是96亿美元多点，韩国分析师之前乐观预期还有13.2万亿韩元。

与三星之前的业绩相比，Q4季度的运营利润同比会下跌28.7%，环比的话更是大跌38.5%。

三星业绩下滑如此之多主要源于两方面的因素，最主要的是DRAM内存跌价，过去这部分是三星盈利的大头，之前高价时三星DRAM毛利率一度达到70%，是三大厂商中最高的，但是内存降价之后三星的利润大受影响。

其次是三星的移动通讯业务，智能手机受到中国厂商的激烈竞争，这对三星来说也是个老生常谈的话题了，只是2018年三星依然没能止住下滑的趋势。

这些问题不只是影响去年Q4季度的业务，由于内存市场低迷，三星预计今年Q1季度的业绩也不会理想，但是今年下半年内存市场将会再次迎来上升趋势。

至于智能手机业务，三星一方面在加强中低端市场的竞争力，另一方面则是寄希望于5G手机、折叠屏等创新产品来扭转败绩。

在全球DRAM内存芯片市场上，三星、SK Hynix及美光三家是最大的，他们占了全球大约95%的市场份额，剩下的市场空间主要是台湾厂商，包括南亚科技Nanya、Winbong华邦、Powerchip力晶等，其中南亚科在去年Q3季度的份额约为2.8%，季度营收约为8亿美元。

南亚的DRAM内存颗粒最常见于SSD硬盘中的缓存，还有就是一些OEM市场，定位也比较低端，这也跟南亚的技术水平有关，三大厂商2017年就实现20nm DRAM芯片量产了，现在已经转向1X甚至1Ynm工艺了，而南亚目前的主要产能还是30nm水平的内存，20nm产能只是少部分，预计今年Q2季度之后20nm产能才会超越30nm产能。

但是内存芯片的降价对南亚的业绩会产生不利影响，去年12月南亚合并营收仅为48.29亿新台币，相比11月份减少了10.6%，相比去年同期大减18.9%，这也是2017年10月以来的新低。

不过正如之前所说，由于前10个月高价的累积效应，内存厂商2018年的日子并不难过，南亚去年Q4季度合并营收169.57亿新台币，环比虽然减少了30.4%，同比依然增长了1.1%，而全年营收依然高达847.22亿新台币，同比大涨54.3%。

三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报，在此之前市场已经在打预防针了，因为本季度中内存芯片也开始跌价了，势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价，其他风险还有中美贸易战等等，不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。

与营收微幅下滑不同，三星Q4季度的运营利润下滑更多，预期本季运营利润只有13.9万亿韩元，约合123亿美元，与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。

尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑，但是放眼全年的话，由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势，三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率，所以折抵下来全年盈利依然会创新高，预计今年运营利润高达62.6万亿韩元，约合557.3亿美元或者3844亿人民币，而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元，约合3291亿人民币，相比之下，今年的盈利依然会大涨16.8%。

博板堂今天公布了2018年11月份大陆内存品牌SELL IN出货量排行榜TOP11，统计数据是他们自己采集的，主要来自渠道+电商，不含行业及OEM出货量，仅供参考：

以下为博板堂爆料数据：

2018年11月份内存品牌中国区SELL IN各大品牌的总出货数据，相对10月份环比增长2%左右。11月份内存价格其实相对稳定，仅有一次大调价，后期行情明显，但是全国市场需求依然不好，电商出货增长明显，各品牌出货状况情况：

金士顿11月份电商有支撑，出货相对稳定，环比10月份增长7%左右，威刚、金泰克环比分别下滑8%与增长14%左右。后面几个品牌排名变化较大，详细情况请直接参考图表排名状况。

由于DRAM颗粒继续下跌，市场需求无法好转，大行情看仍是有下跌空间的，但是马上进入元旦与春节，注意小波动行情仍可有操作机会的。

美光的财年始于每年的9月，2019财年Q1财年是今年9-11月，横跨日历年的Q3及Q4季度，这个财季营收为79.13亿美元，去年同期为68亿美元，上个财季营收为84.4亿美元，同比增长了16%，环比下滑了6%，而美光的DRAM、NAND闪存芯片供应量还在增长，由此也可以看到闪存、内存降价对美光的一些负面影响。

对利润的影响更大一些，Q1季度美光毛利率为58.3%，比去年同期的55.1%增长3.2个百分点，不过与上季度61%的毛利率下滑2.7个百分点，净利润为32.9亿美元，去年同期为26.78亿美元，上个季度为43.25亿美元，同比增长23%，但是环比下滑24%。

受此影响，美光也下调了Q2财季的营收预期到57-63亿美元之间，低于市场预期的71.8亿美元，并且大砍2019年的资本支出，而美光的悲观看法也影响了市场，导致美光股价大跌。

在全球晶圆代工市场上，台积电一家独大，占据全球晶圆代工市场大约60%的份额，不仅营收远超其他厂商，而且在7nm工艺节点几乎垄断了目前所有芯片代工订单，今年流片了50多个7nm芯片，明年还有100多个7nm及7nm+工艺订单。

在晶圆代工方面，三星之前也是有过光辉历史的，在32nm、14nm及10nm节点率先量产，不过7nm节点上三星进度落后于台积电，自家的Exynos 9820处理器也没有赶上7nm EUV工艺，还是用的10nm工艺改进的8nm LPP工艺，数字上听起来跟7nm工艺差不多，但实际上并不是麒麟980、苹果A12及骁龙855同代水平的。

在DRAM内存芯片降价的大环境下，三星在半导体业务上的重点也会倾向于晶圆代工，去年三星晶圆代工业务营收46亿美元，三星的目标是营收增加一倍到100亿美元以上，不过要实现这个目标，三星除了斥资56亿美元兴建新的晶圆厂之外，还要在技术上加把劲，赶超台积电。

三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung本周一在IEDM会议上表示三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证，并且在进一步完善该工艺，目标是在2020年大规模量产。

在3nm节点上，台积电也准备投资6000亿新台币，也就是200亿美元左右，不过台积电的计划是2020年建厂，2021年完成设备安装，2022年才能量产。如今三星的雄心是在2020年量产，这个进度要快得多了。

对于2019年的存储芯片市场，市场观察人士对明年存储芯片降价的看法是一致的，问题是降幅多少的，之前的预测称明年Q1季度DRAM内存芯片降价10-15%，NAND闪存也会降10-15%价格。花旗集团分析师Peter Lee日前发表报告，维持了对美光公司的中性评级，但下调了美光公司2019财年的营收及盈利预期，理由就是明年的存储芯片会大降价。

根据他的报告，由于产能过剩、库存增加，花旗预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

早前WSTS世界半导体贸易统计组织就下调了2019年全球半导体产值，之前预期明年市场产值可达5020亿美元，同比增长5.2%，但是最新数据下调到了4901亿美元，同比今年只会增长2.6%左右。

明年半导体产值下降主要还是因为内存会降价，去年内存产业同比大涨了61.5%，今年的增速也有33.2%，但是2019年会下跌0.3%，所以内存行业在超级周期之后将会进入负增长阶段。

瑞银分析师Timothy Arcuri日前发布了关于内存市场的分析报告，虽然维持美光公司的中性评级，但他下调了美光的目标股价，从52美元砍至41美元。他不看好美光股价的原因就是明年Q1季度内存降价幅度要高于预期，之前分析认为明年环比下架10-12%左右，但是新的数据显示明年Q1季度内存价格降幅达到10-15%，而且NAND闪存价格也会降10-15%。

DRAM降价的负面因素是多方面的，英特尔处理器缺货导致PC市场受到影响，还有就是服务器、移动DRAM内存需求减弱。至于NAND闪存，PC OEM厂商正在削减SSD库存，智能手机的需求也疲软了，这些也影响了NAND闪存的需求。

DRAM内存明年到底会不会降价？在这个问题上，华尔街分析师的看法跟厂商的看法很不一样，昨天力晶执行长黄崇仁还在谈美国封杀中国晋华公司、三星等公司削减产能等因素导致2019年内存市场没有多少新增产能，他预测内存市场明年下半年会重新缺货。至于为什么有这么多看似矛盾的言论，那就看看支持内存涨价或者降价的人都是什么阵营的了，从三星到美光再到力晶，DRAM上游供应商一直谈的都是DRAM内存需求没有下降、未来依然是供不应求的局面。

根据集邦科技旗下的DRAMeXchange的Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高，不过第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

克利夫兰研究公司分析师Chandler Converse日前也发表报告，预测Q4季度DRAM内存价格环比会降低8%到10%，明年Q1季度还会继续保持价格下滑的趋势。

根据他的报告，美光公司在11月份是最具进攻性的内存芯片公司，2018年大部分时间里美光的DRAM芯片价格都是最低的，三星公司则是匹配价格以作出反应，目的是维持该公司的市场份额，SK Hynix公司的DRAM价格则是最高的。

美光、三星及SK Hynix三家公司在DRAM内存市场采取不同的策略也跟他们的市场地位有关，三星公司是第一大DRAM公司，市场份额45.5%，SK Hynix公司则以29.1%的份额位列第二，美光公司Q3季度份额21.1%，相对前两家公司来说美光有抢市场的需要。

韩国Pulsenews日前援引DRAMeXchange的数据称截至今年9月份，韩国公司在全球DRAM内存芯片市场上的份额已经高达74.6%，其中三星公司占据了45.5%的份额，SK Hynix的份额为29.1%，市场上第三大公司美国美光份额为21.1%。

韩国公司在全球DRAM市场上只有这么高的份额，以致于中国市场都非常依赖韩国DRAM芯片供应，早前韩国的韩联社援引韩国国际贸易协会及韩国贸易投资振兴公社（KOTRA）公布的数据称，2017年中国总共进口了886亿美元的存储芯片，同比增长了38.8%，其中进口于韩国的比例为52.2%，来自台湾地区的也占了22.2%，日本地区的进口存储芯片也占了6.5%。

业内观察人士表示中国目前还会严重依赖三星电子、SK Hynix等韩国存储芯片公司，因为他们在技术及产能上继续领先中国公司。

中国公司目前正在使用的技术是韩国公司几年前使用的，比如福建晋华集成电路有限公司研发的芯片工艺还是22nm，三星在2011年到2015年就已经使用该工艺了。

KOTRA表示“中国对存储芯片的需求急剧上升，但由于产能限制，预计韩国还会是最大的供应商。”，不过KOTRA补充说随着北京努力培育本国芯片制造商，包括大规模投资建设，中国公司有可能缩小与三星、SK Hynix的差距。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高。观察各产品类别的报价走势，除了图显内存(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响，出现3%左右的跌幅，以及消费性市场应用主流DDR3因需求转弱而率先走跌外，其余主流应用别的内存（包含标准型、服务器、行动式内存）仍维持0-2%的季涨幅。

DRAMeXchange指出，有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动，由于DRAM产能已在下半年陆续开出，第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察，DRAMeXchange指出，在产业迈向反转之际，小厂受到的冲击较龙头厂来得实时且剧烈，因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量，位元出货成长显著，尽管平均销售单价未有明显变化，但营收仍较上季成长13.6%，来到127.3亿美元的新高，在三大厂中表现最为亮眼。而SK海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1%的助力下，营收季增6.0%至81.5亿美元。两大韩厂营收市占分别为45.5%与29.1%，合计约74.6%。

美光集团依旧维持第三，虽然销售单价约略持平，但位元出货提升仍带动营收来到59.2亿美元，较前一季成长6.8%，市占率则约略持平在21.1%。

观察原厂获利能力，即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛，然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构，使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的1Ynm在第三季开始出货，因新一代制程在量产初期通常良率较低，拖累部分获利表现，导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小，由前一季的69%微幅上升至70%，但仍创下历史新高，亦显示生产DRAM的毛利已突破八成水位。

至于SK海力士，本季1Xnm的良率显著提升，带动营业利益率从63%成长至66%，表现最为亮眼。美光受惠1Xnm的比重持续提升，拉抬营业利益率从60%升至62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录，但在第四季DRAM价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下，成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击，因此原厂获利的高点恐已结束。

由技术面观察，三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外，部分Line 17增加的投片以及平泽厂二楼的DRAM产能，将往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出，1X+1Ynm产出比重在年底合计将达70%，并于2019年持续提升1Ynm占比。SK海力士经过两个季度的调整与改良，1Xnm良率在第三季显著提升，而中国无锡的第二座12英寸厂仍照进度将于年底前完工，并于2019上半年开始贡献产出，但受到中美贸易摩擦的影响，无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面，台湾美光存储器(原瑞晶)已全数以1Xnm生产，下一步将直接转往1Znm，但实际贡献将落在2020年；台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行20nm往1Xnm的转换，年底前将开始转往1Ynm，并于明年逐步提升比重。

台系厂商部分，南亚科第三季出货量小幅下滑，使营收表现较前一季衰退3.7%。不过在20nm的成本效益带动下，营业利益率仍旧由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而，受到DRAM报价反转向下影响，加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提，获利能力要再攀升恐有一定压力。

力晶科技方面，由于第三季转移较多产能至获利较好的SLC NAND与非DRAM代工产品，因此本身DRAM营收较上季下滑13.3%；华邦DRAM营收则约略持平，出货量和平均销售单价皆呈现稳定。

Digitimes日前报道了创见Transcend公司董事长Peter Shu对全球内存及闪存行业的一些看法。据他所说，DRAM内存及NAND闪存行业都出现了供过于求的局面，未来一年甚至更长时间内DRAM内存价格仍有一定的下降空间。

与NAND闪存领域相比，DRAM领域的供应商数量较少，因此DRAM内存价格相比NAND闪存芯片会呈现出更温和的降价趋势。

Peter Shu称NAND闪存厂商已经大大提升了3D NAND闪存的工艺良率，进一步导致了NAND闪存芯片价格下行的压力，不过NAND价格下跌有助于加速PC产品中采用SSD硬盘的速度。

由于3D TLC闪存的产量大增，Peter Shu表示512GB的固态硬盘的价格更接近主流硬盘驱动器的价格，预计一年后进一步降至45到50美元之间，他认为SSD固态硬盘正在取代HDD硬盘成为PC中的主流存储设备。

Peter Shu还谈到了中国大陆公司进军内存及闪存市场的影响，他认为国内的DRAM初创公司在未来两三年内都不太可能在全球DRAM市场上占有一席之地，不过在NAND领域里，总部在中国的初创公司在2019到2020年间将成为行业的一部分。

在谈到中美贸易战的影响时，Peter Shu表示他们已经将所有主要的生产线转移回台湾地区，过去两年中该公司一直在优化台湾地区的生产，并用新的生产设备取代原有产线。

对于创见公司的未来，Peter Shu表示他们的重点将放在工业及其他利基市场而非大众消费市场，预计2019年创见公司的的主要增长动力会来自嵌入式设备领域。

联电本月初发布的声明强调会严肃对待美方指控，全力应对这场诉讼。日前发布的第二份官方声明则更像是一个科普，因为联电要让不了解情况的外界明白一件事——外界存在错误的印象，认为联电没有DRAM技术，而美光是全球知名的DRAM技术公司，所以爆出专利侵权诉讼时很多人一边倒地相信没有DRAM技术的联电盗窃美光技术是成立的，而联电这个声明的目的就是向外界说明自己是有DRAM技术开发经验的。

联电公司详细声明如下：

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)今天发布了内存价格的最新报告，指出在各大厂已议定第四季合约价的情况下，10月份的合约价格开始大幅滑落，主流模组4GB的均价自上季的34.5美元滑落至31美元，跌幅10.14%；大容量模组8GB跌幅更为明显，自上季的68美元滑落至61美元，跌幅为10.29%。由于DRAM市场供过于求的态势才刚开始，因此不排除11月与12月价格将持续下探。而由于各家厂商积极求售，8GB解决方案的跌幅预期将会持续高于4GB解决方案。

DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出，作为价格领先指标的现货价格自今年初起持续走弱，整体10月份价格也延续9月份跌势持续走弱。以最新报价来看，主流交易颗粒1G*8的现货价格已跌至6.946美元，与合约价的7.31美元相比已经有5%的价差，预告后续合约价将继续下滑。而在供过于求的市场态势下，厂商亟欲在价格进一步下跌前拉抬销售量，使得PC DRAM 8GB模组的渗透率将快速攀升，在数量上提前超越4GB模组成为市场主流，因此自明年初起，DRAMeXchange合约报价也将以8GB为计算基准。

淡季即将来临，明年首季价格跌幅恐持续扩大以PC市场来看，除了受到Intel CPU供货不顺影响外，由于产业即将从出货高峰进入传统淡季，因此零组件价格上涨的压力将持续增加。此外，供过于求已让DRAM价格连续上涨9个季度，一旦市场开始反转，平均销售单价下滑的压力将使得价格快速且大幅度的下跌。

展望明年首季市况，进入淡季，除了PC以外，服务器以及智能手机等终端产品也将面临出货量下修的状况，加上DRAM产业还需要时间消化渠道以及采购端的多余库存，代表明年第一季的合约价格议定将会是严峻挑战。整体而言，DRAMeXchange预估2019年全年DRAM平均销售单价的跌幅可能达到20%；对各家供应商来说，获利能力已在2018年第三季达到颠峰，后续取决于各厂商的成本优化(cost down)能力，获利能力将以缓着陆(soft-landing)的态势逐季下修。