联电公司本月30日还表态称将继续与晋华集团合作开发DRAM技术，不过昨天就宣布暂停与晋华集团技术合作，原因是已接获台湾区电机电子工业同业公会转发的国贸局函令，决定暂停为晋华开发技术，直到禁令解除后，才会恢复为晋华开发技术。

台湾地区经济部门主管沈荣津表示联电与晋华合作的一些设备是在台湾生产，既然美国商务部已经发布禁令，那么这些设备就不能出去了。

晋华先被美国政府制裁，现在又被合作方背叛，尽管联华电子也有自己的委屈之处，但是这件事说到底还是源于晋华与联电的合作模式。2016年5月份双方签署合作协议，依协议约定，联电将接受晋华公司委托开发DRAM相关制程技术，由晋华公司提供DRAM特用设备，并依开发进度由晋华公司支付联电技术报酬金作为开发费用，开发成果将由双方共同拥有。

简单来说就是晋华集团出钱委托联电公司开发DRAM技术，开发成功的话双方共享技术，但是这个合作过程中研发团队、研发基地都是位于台湾的，而且设备还是晋华提供的，相当于晋华集团出钱出设备给联电，让他们开发DRAM技术，成功了双方皆大欢喜，不成功联电方面也没什么损失。

多年前联电公司也尝试过进军内存技术领域，在DRAM内存技术有一些积累，但是技术先进程度不如美光等公司，而美光收购了台湾华亚科公司，之前后者不仅是美光的代工方，也是全球第四大DRAM公司，联电与美光之间的专利纠纷就是在台湾挖华亚科员工所致。

上周发布财报的西数就已经表露出NAND闪存降价对他们的巨大影响了，当季度西数营收、盈利同比下滑，虽然NAND闪存位容量出货增长了28%，但是NAND闪存的加价跌了16%，导致西数毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬盘业务那部分就不用说了，同比下滑了810万部，出货量只剩下3410万部。

NAND闪存的降价同样也会影响美光、SK Hynix、三星、东芝等公司的财报数据，只不过三星、美光、SK Hynix这些公司有DRAM内存的高价支撑，财报数据不会像西数这么惨。

根据之前的数据，2018年NAND闪存价格至少下跌了50%，而这个趋势还会持续下去，市场预期2019年NAND闪存价格还会再跌50%。为了减缓NAND价格下跌对公司的影响，从西数到美光都在减少NAND闪存产能投资，以便减少NAND供应，缓解市场对降价的预期。

不过NAND闪存降价这事恐怕很难阻止，就好像当年涨价不受控制一样，因为2019年三星、东芝、西数、美光、英特尔、SK Hynix公司都会加速量产96层堆栈的3D NAND闪存，而且内存也会从TLC向QLC闪存转向，在解决初期的良率问题之后，NAND闪存的供应势必还会增加，降价是跑不了的。

值得注意的是，明年还有一件事可能会对NAND市场格局产生变化，那就是中国的长江存储公司也会加入战场，今年内他们小规模生产了32层堆栈的64Gb闪存，但主力还是明年量产的64层堆栈3D闪存，尽管技术上还会落后其他厂商，但是长江存储显然会用价格做武器去抢占入门级NAND市场。

得益于持续两年的涨价，2017年包括DRAM内存及NAND闪存在内的全球存储芯片市场价值增长到了1300多亿美元，2016年时只有800多亿美元，今年则会进一步增长到1600多亿美元，其中仅是DRAM内存就有1016亿美元，这是首个产值突破1000亿美元的半导体芯片，而这跟内存芯片居高不下的价格息息相关，并不只是单纯的需求推高的。

对于明年的内存芯片市场走势，市场分析人士普遍认为价格会下跌，但是DRAM厂商的意见并不一样，此前三星就表示2019年内存需求不会走弱，而美光副总Manish Bhatia在台湾的活动上也表示2019年的DRAM内存市场相对健康，供应链还会持续增长，言外之意就是明年内存不可能大降价，这一点上他们的表态倒是跟三星很一致，如果采访SK Hynix公司，估计后者也会是类似的表态，绝无可能从上游厂商口中得到看衰DRAM芯片的信息。

2019年中美光的资本支出从2018财年的85亿美元增长到了105亿美元，这次美光在台湾的投资就是其中的一部分，Manish Bhatia表示将会持续投资DRAM内存及NAND闪存，但是两个产品的重点是不一样的，与2018财年相比，NAND闪存的产能投资在2019财年会降低以便应对市场需求。

在这个问题，美光的打算也跟NAND市场持续降价的情况有关，前不久西数发布的财报中就是显露出了NAND厂商增收不增利的问题，主要原因就是NAND闪存价格大跌，美光也会受到这个问题影响，削减NAND产能是调整市场需求的一部分。

不论是处理器芯片还是存储芯片，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机，上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本，逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的，7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点，越往下就越依赖EUV工艺。

DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切，毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上，所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点，也没有必要使用EUV工艺。

美光不用不代表其他DRAM厂商不用，三星对EUV工艺是最激进的，此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺，最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。

来自韩国媒体的消息，除了三星之外，SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂，也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。

使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度，减小线宽，降低内存单位容量成本，不过EUV工艺目前还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这还需要时间改进。

美光日前举行了Micron Insight 2018大会，邀请亚马逊、宝马、谷歌、高通、微软、NVIDIA和伟世通，还有麻省理工的教授、作家及探险家共聚一堂，探讨AI人工智能、机器学习、深度学习等新兴技术。在这次大会上，美光宣布成立1亿美元的投资基金，投向AI领域的初创公司，其中20%会投向女性及弱势群体领导的公司。

由于担心内存市场明年从涨价转向降价，美光此前一段时间被分析师看衰，股价也在下跌，美光投资AI领域也是有多方面考虑的，在新兴领域寻找机会就是其一，顺便也提振公司股票，因为美光宣布投资AI之后，摩根大通分析师已经上调了美光公司目标股价到75美元，看好美光未来发展。

对美光来说，AI市场扩大对内存及闪存也是个利好。今年上半年的财报会议中美光就指出AI训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加，预计2021年的时候AI训练需要搭配2.5TB内存，所需的闪存容量也增加到20TB，远高于标准负载。

这件事里面涉及多个公司，先缕清里面的关系——西安紫光国芯前身为西安华芯半导体有限公司，是由原奇梦达科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的。公司2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立。在2006年，伴随着存储器事业部从英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达科技，奇梦达科技（西安）有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。2009年，浪潮集团收购原德国奇梦达科技（西安）有限公司进行改制重建并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

紫光国微就是之前的西安紫光国芯，今年5月份改名为紫光国微，这是因为紫光集团6月初与重庆市政府、国家集成电路产业基金发起成立了紫光国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿人民币，还会寻求IPO上市，占用了紫光国芯这个名字，所以之前的西安紫光国芯就更名为紫光国芯微电子股份有限公司，简称紫光国微。

中证网的消息称，西安紫光国芯2017年实现营收3.43亿元，亏损1200.23万元；今年前七个月，实现营收3.27亿元，亏损585.23万元。截至2018年7月31 日，西安紫光国芯资产总额为2.79亿元，净资产为2755.60万元。目前，紫光国微为西安紫光国芯共提供借款资金1.95亿元，另外，尚有为其获得1000万元产业发展基金提供的连带责任保证担保。

现在的情况就是——西安紫光国芯是紫光国微的全资子公司，研发DRAM内存的主体就是他们，而紫光国微是上市公司，除了西安紫光国芯之外还有别的业务，特别是智能安全芯片，这部分业务是能赚钱的，但西安紫光国芯不能赚钱，因为现在他们的内存有研发能力但不能量产，所以紫光国微决定剥离存储芯片资产。

出售的对象其实也不是外人，北京紫光存储科技是紫光国微控股股东紫光集团下属的子公司，业务涉及安全存储、集群存储、服务器、一体机等等。

存储是紫光集团重点布局的领域之一，但紫光集团目前主要的精力是长江存储科技，主力产品是3D NAND闪存，DRAM内存现在并不是他们的重点，而国内三大存储芯片布局中还有合肥长鑫/兆易创新、福建晋华，后面两家的主要是生产内存的，包括桌面DDR及移动LPDDR内存。

根据DRAMeXchange的调研，今年第三季度DRAM的合约价涨幅会缩小到1~2%，到了第四季度可能会下跌5%，而且不排除跌幅扩大的可能，因为下半年DRAM的市场需求疲软，新的智能手机硬件规格难以吸引换机需求，导致出货平淡，而消费级的PC市场则由于Intel方面的供货不足会受到冲击。

虽然各个内存生产厂都意识到2019年DRAM内存会供过于求，并试图以控制产能扩张，然而由于1X/1Y制程的比重持续增加和良品率的稳定提升，导致今年Q3\Q4的产出持续增加，特别是1Gb的服务器内存颗粒为最，所以服务器内存的价格很快就会因为供过于求而走低，最终会带动整体DRAM内存的价格走低。

明年虽然各家都想控制产能，但是投片量依然逐渐上升，再加上1X/1Y工艺走向成熟，预计整体供给会提升22%，然而价格依然会受需求的变化而变动，目前预估DRAM明年的年均价格会下降15%到20%左右。

而NAND闪存均价会在今年Q3下跌10%，到了Q4会收到中美贸易战的波及，预计跌幅会比Q3更大，跌幅会扩大到10%到15%，渠道市场主流的3D TLC闪存合约价会下跌超过15%。而且现在消费级电子产品的需求不如预期，服务器和数据中心需求虽然稳定增长，但是由于利润较高，各个厂商的投入都较大，导致企业级SSD的价格在不断走低。

2018年下半年64/72层3D NAND的良品率和产能依然会有所增长，闪存供应商的实际产能都比原来预计的要高，预计2019年上半年是传统的需求淡季，在加上中美贸易战的影响，各种消费级电子产品的出货量都不容乐观，NAND的价格会继续下跌，合约价可能会下跌25%到30%，所以厂商可能会放缓96层3D NAND工艺的转变和产能的扩充，届时不知道会不会产生供需缺口，目前来看2019年Q4的NAND产能会比2018年Q4增长5%，不过3D NAND的产能会大幅增长20%。

日经新闻日前报道称三星预估2019年DRAM内存价格会下滑，因此为了延缓内存降价的时间，三星将采取更为保守的政策，市场预估三星2019年在半导体设备上的投资额会比2018年下降。从他们采访的5位韩国分析师的表态来看，其中4位都认为三星明年会砍半导体设备投资，另外1位认为三星会增加投资，但增加的投资主要是面向晶圆代工业务的，针对存储芯片业务的投资还是减少的。

虽然针对存储芯片的投资总体会减少，但在DRAM内存及NAND闪存上还是有区别的。SK证券分析师认为三星明年的半导体投资将减少8%，但NAND闪存投资是增加的，DRAM内存则是大减20%，因为三星在这两个产品上的策略是不同的。

在NAND闪存上，三星要拼市场占有率，增加投资扩大产能以便跟其他厂商抢市场，但在DRAM内存上，三星不担心市场占有率的问题（三星在DRAM市场上已经是45%占有率，三家厂商中最高的了），他们的目标是尽可能减缓内存降价的趋势，维持高价位，毕竟三星DRAM内存的毛利率超过70%，降价会影响盈利，因此减少20%的投资有利于减缓内存降价的速度，维持高价位。

三星在DRAM内存上的的态度及减少投资的做法也不让人意外，早前就有报道称三星一直在努力减缓内存降价的趋势，该公司高管在采访中也不断否认内存需求下降的消息，力图维持供应紧张之态。

三星电子将在10月31日公布2018年Q3季度财报，不过前两天三星已经率先公布了Q3季度前瞻数据，营收预计在65万亿韩元，运营利润约为17.5万亿韩元，分别折合574.7亿、154.7亿美元。去年Q3季度中，三星营收62.05万亿韩元、运营利润14.53万亿韩元，分别增长4.7%、20.4%，很明显三星的盈利速度依然大幅超过营收增长幅度，这已经不是第一次了。

在三星各个业务部门中，智能手机业务早已不是大头了，Q2季度中14.87万亿的运营利润中手机业务只贡献了2.67万亿韩元，Q3季度中Note 9销量不佳，市场预计智能手机业务盈利将大幅下滑30%。

相比之下，Q2季度半导体业务贡献了11.61万亿韩元的运营利润，占了78%的盈利来源，这绝大多数都是内存、闪存芯片贡献的。Q3季度中闪存、内存等存储芯片业务贡献的运营利润占比不低于80%，因为三星Q3季度利润大涨20%主要是靠这部分业务带动的，其中内存芯片尤甚，三星在DRAM内存业务上的毛利率已经超过70%，是三家内存厂商中最高的。

另一方面，三星的盈利极端依赖内存及闪存也让市场分析师不看好Q4季度表现，因为市场预期Q4季度存储芯片价格还会下跌，2019年就会正式迎来闪存、内存的低潮期，内存芯片要跌20%，闪存芯片要跌40%。

也正因为此，三星以及SK Hynix、美光三大公司都在极力阻止DRAM内存降价，放缓了DRAM产能扩张，减少产能以便维持市场供应紧张之态。

Q3季度即将过去，Q4季度的内存合约价也到了关键时期，尽管三星、SK Hynix及美光等三大供应商不乐见内存降价，但是市场趋势还是会降，主要原因是内存供过于求，还有旺季需求并没有明显升温，价格走弱的趋势更加明显，预计Q4季度内存合约价跌幅会从之前预期的1-3%扩大到5%。

DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出，DRAM价格在过去九个季度期间大幅上扬，但从今年第三季起价格已经开始走弱，其中PC DRAM与服务器内存价格涨幅缩小至1-2%，而移动内存价格在旺季仅持平开出，显存更率先出现跌价。观察现货市场状况，价格从年初一路下滑，并在今年六月底开始正式低于合约价，而目前的现货价格已经低于合约价格约10%，显示后续合约价格仍将继续下跌。

从伺服务器内存市场来观察，受惠于平台转换与资料中心，服务器需求比往年来的热络，但今年上半年因DRAM供给仍吃紧，导致终端纷纷以超额订单(double booking )的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升服务器产品的产出比重，供给达成率已转趋饱和。展望第四季，除了服务器需求出现杂音外，目前由于通路价格持续开低，韩系原厂已率先降低第四季价格标的，预估季跌幅将达5%左右，高于原先预期的2%。与服务器内存产品属性较为相近的PC DRAM同样呈现供过于求，再加上Intel新平台供货不足影响笔电出货状况，导致PC DRAM第四季价格跌幅也上看5%。利基型内存（嵌入式内存）则受到中美贸易战带来的不确定性因素影响，需求已出现下修，价格也从九月开始下跌，第四季的跌幅更可能超过PC DRAM与服务器内存。占整体供货比重最大的移动内存价格同样呈现下滑趋势。展望第四季，虽然在新款iPhone出货的拉升下，需求逐渐增温，但由于新款机种的定价高于市场预期，销售预估转为保守，因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式(discrete)行动式记忆体第四季价格跌幅约在3%，eMCP解决方案则因NAND Flash价格下滑更为快速，整体跌幅可能扩大至8%。

彭博社援引知情人士的消息称，三星电子计划减少内存芯片的产能增长，此举有助于维持或者推高内存半导体芯片价格。三星今年早些时候预计2018年DRAM内存、NAND闪存位容量增长速度分别是20%、30%，现在三星预期内存位容量增长低于20%、NAND闪存增长30%。

半导体行业存在繁荣、萧条周期交替规律，投资者担心三星及其同行正在走向衰退，因为这两年创纪录的利润将因为萧条周期而疲软。三星是全球最大的NAND闪存及DRAM内存供应商，位容量是指生产出来的存储芯片总容量，是衡量市场需求的晴雨表。

彭博社驻香港分析师Anthea Lai表示，“如果三星确实削减其DRAM位容量增长，表明该公司对目前的寡头垄断市场满意。”

“它更倾向于维持供应紧张及高价格局面，而不是冒着降低价格的风险去抢占市场份额，因此DRAM维持高价格的可能性很高。”

三星公司拒绝发表评论。

半导体现在是三星最大也是最赚钱的业务，该芯片部门2017年创造了35.2万亿韩元，约合314亿美元的运营利润，比去年同期增长一倍，推动该公司的盈利达到创纪录水平。

在彭博社报道之前，三星下调内存及闪存产能的消息已经不是秘密了，而三星官方对外表态也是强调看好明年的内存需求持续高涨，否认降价的可能。韩国媒体报道称，三星电子副总裁设备解决方案部门CEO金奇男日前出席公司活动时接受了记者采访，被问到内存芯片需求下降的问题，他表示“至少今年Q4季度之前，内存芯片市场需求不会有什么重大变化。”

那么2019年的内存市场的强劲需求是否会结束呢？金奇男预测明年的内存市场需求依然会很强劲。

全球DRAM内存市场主要由三星、SK Hynix及美光三家统治，他们的产能占了全球市场份额95%以上，其中三星一家就能占据全球45%以上的份额，其余5%的份额则由台湾南亚科、华邦等公司占据。日前台湾经济日报报道称，南亚科等内存厂商表示DRAM市场寡头垄断局面不变，随着新需求不断增加，整个DRAM内存产业已经变成需求成长股，不宜再以过去的涨跌景气循环角度来看了。

在过去DRAM内存主要依赖PC市场，PC内存占比很高，而且多是是标准型产品，厂商比拼的是谁的制程工艺升级速度更快，因此内存价格变化很快。这也是内存芯片价格存在一个涨-跌-再涨-再跌的循环，这两年的涨价不过是遇到了新一轮的涨价周期，而投行及分析师看衰内存市场未来走向，也是因为他们预测内存将在2019年走向下跌，迎来熊市周期。

但是内存市场的情况已经不同了，除了寡头垄断之外，内存需求也不一样了，PC内存不再是绝对主力，AI人工智能、智能电视、车联网、物联网以及大型数据中心也会使用大量DRAM内存芯片，这也使得DRAM内存市场受到景气循环变动的幅度减弱。

三星、SK Hynix及美光三家公司两年前就开始节制性扩产，现在三家公司都有增产计划，但要看市场需求才能扩增，预计明年产能就算增加，内存价格也不会像过去那样剧烈下滑。

无锡是SK Hynix在中国市场投资的重点，自2005年在当地建设内存工厂之后，无锡已经是SK Hynix全球最重要的内存芯片工厂之一，目前每月产能约为10-12万片晶圆，并且还在扩建产能中，而今年初SK Hynix还宣布了另外86亿美元的投资计划，将在无锡建设DRAM内存工厂第二期，产能高达20万片晶圆/月，落成后将是全球最大的内存工厂之一。

除了存储芯片业务，SK Hynix还在无锡市投资建设一些社会项目，这次3亿美元建造医院就是计划中的一部分，去年4月份SK Hynix公司CEO朴成旭拜会了无锡市委市政府，达成了在无锡建造医院的合作计划。

从韩国Plusnews的报道来看，SK Hynix建设的医院是一座三级综合性医院，配有手术、肿瘤及透析中心，初期会有700到800张床位，后期会根据需要扩展到1500到2000张床位。

从2005年SK Hynix建设DRAM内存工厂到现在的13年里，SK Hynix总计在无锡市投资110多亿美元。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了2018年Q2季度全球DRAM内存芯片市场报告，当季营收达到了236.91亿美元，相比Q1季度的230.76亿美元增长了11.3%，创造了新的营收记录。

Q2季度中，DRAM芯片平均涨价3%左右，而显卡所用的图形显存涨幅达到了15%，DRAMeXchange表示这主要是Q2季度中挖矿显卡需求升温所致。

至于Q3季度，7月份各大公司的合约价已经谈判差不多了，一线大厂的均价约为34.5美元，Q3季度的合约价涨幅约为1.5%，而PC内存的涨幅在Q3季度将大幅放缓。从Q3季度的情况来看，各大厂商在下半年将提高产能，DRAM内存的需求增长相当有限，DRAM颗粒价格继续高涨的基础并不存在，预计Q4季度就是DRAM内存的价格巅峰了。

具体来看下各大厂商的排名，三星依然是市场NO.1，Q2季度中营收112.07亿美元，环比增长8.2%，市场份额43.6%。

SK Hynix公司Q2季度营收75.85亿美元，环比大涨了19.5%，市场份额29.9%。

第三位的是美光，而且涨价幅度是三大厂商中最高的，不过因为之前的工厂氮气问题，导致美光Q2季度出货位元容量与Q1季度持平，营收环比增长6.3%到55.41亿美元，市场份额21.6%。

在这三大厂商中，三星的价格涨幅是最低的，但这主要是Q1季度三星DRAM颗粒的价格基数就已经很高，还有一个影响因素就是中国监管部门已对几大公司展开了反垄断调查，给了三星一些压力。此外，三星最新的1Y nm工艺DRAM颗粒还在客户验证阶段，因此Q2季度的毛利率维持在69%，跟Q1季度持平。

其他两家中，SK Hynix的毛利率从61%提升到63%，美光的毛利率也从58%提升到60%，意味着三大厂商的毛利率全面突破了60%，三星则是接近70%。