今年的智能手机没啥别的特点，不论安卓还是苹果，大家都憋足了劲堆配置，苹果今年在硬件配置上迈了一大步，除了性能逆天的四核A10处理器之外，内存容量最高也提升到3GB了，闪存容量更是大方，32GB刚脱贫，128GB才是温饱，256GB版才是小康，被微信容量占用搞怕的壕玩家直接入手256GB版吧。

安卓阵营的厂商也不甘示弱，虽然部分入门机型还在用16GB存储，不过主流点的机型都上64GB容量了，128GB版也不少见，虽然比起苹果256GB容量来说不够壕，但别忘了安卓手机销量远超iPhone，总量加起来依然不可小觑。

光是智能手机，闪存供应就快跟不上了。集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称Q3季度闪存市场供应已经吃紧了，但是Q4季度的情况也不会有好转，反而可能更加紧张，主要是智能手机及SSD市场需求还是很高，因此闪存及闪存卡涨价的情况一直会持续到今年底。

前面也说了，iPhone 7手机存储容量飙升是导致缺货、涨价的一个因素，而华为、OPPO、Vivo等中国智能厂商今年中高端手机销量很猛，他们也增加了额外的闪存订单，大容量eMMC、eMCP闪存需求依然很高。

除了手机市场，SSD市场的需求也在增加。大型PC公司开始在笔记本电脑中越来越多地使用SSD取代HDD硬盘，DRAMeXchange预计今年下半年的笔记本电脑SSD适配率将首次突破30%，达到33%的高水平。

尽管NAND厂商加足马力推动3D NAND闪存生产，不过3D闪存在良率及产品效率上依然面临挑战。此外，厂商产能转向3D闪存也影响了他们的2D平面闪存生产。

在未来的Q4季度，eMMC、eMCP封装的闪存产品大部分还是基于2D闪存的，而智能手机对闪存产品的需求还会继续扩大，闪存涨价可能会比Q3季度更凶。

目前NAND闪存正在从2D NAND向3D NAND闪存发展，NAND市场还在不断向前发展，中国是全球最重要的半导体芯片市场之一，NAND闪存市场也在井喷。根据TrendForce旗下的DRAMeXchange研究报告，中国消耗的NAND越来越多，2017年将占到全球份额的30%，而到了2020年将达到40%，发展潜力巨大。

中国庞大的市场也吸引了NAND公司的注意，三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产，主要产品就是3D NAND闪存，Intel也把大连的封测工厂改造成NAND工厂，预计今年底开始小量生产，主力产品很有可能就是3D XPoint闪存。

NAND闪存也是中国发展半导体市场的关键，国家大基金选择就选择了NAND作为突破口，目前在建的项目主要有武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地，耗资超过240亿美元，一期工厂主要生产NAND闪存，预计2018年正式投产3D NAND闪存。

除了武汉之外，深圳、福建厦门、泉州以及合肥等地也在积极拓展存储芯片产业，地方政府的投资也是大手笔。

在NAND闪存之外，国内的厂商也积极进军主控市场。目前SSD主控市场主要是美系Marvel、SandForce及台系SMI慧荣、JMicron等公司的天下，但也开始出现中国公司的身影，此前Marvell就跟深圳的江波龙公司达成了合作协议，其他如澜起微电子、中勍科技、国科微电子等公司也宣布了类似的计划或者产品，只不过目前还没有成气候，在消费级市场上几乎没存在感。

福建晋华集团是有政府背景的投资公司，晋华存储器集成电路生产项目坐落在泉州晋江的福建集成电路产业园，由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，建设内容包括晶圆制造、产业链配套等，预计2018年9月形成月产6万片内存晶圆的生产规模。该项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产布局规划，作为全国重点培育的内存基地之一，获得国家专项建设基金支持。

晋江的建设项目投资庞大，规划面积594亩，一期投资就有370亿元，而且该项目已纳入国家集成电路产业重大生产力布局规划，成为国家首批重点支持的DRAM存储器生产项目，并获得国家第一笔专项建设扶持基金30亿元。

开工仪式上有工信部、大基金及福建政府高官出席，这个项目无疑是得到了官方认可的，但在关键的技术来源上，官方的通稿更多地强调什么自主研发、独立产权什么的，但实际上自主研发DRAM以及NAND技术在国内并不现实，晋华集团更没这个能力。

此前我们报道过，台湾联电公司组建了一只存储技术研发队伍，由瑞昱电子前总经理带队，而早前晋华集团跟联电签署过合作协议，前者出钱、后者负责研发——注意这并不是通常意义上的技术授权合作模式，因为联电自己都没什么存储技术，现在还是在研发阶段，也就是说大陆这边负责出钱，联电则在台湾组建队伍、研发技术——不论最后研发出技术或者没有成功，联电是不会亏的。

美光今天宣布了截至6月2日的2016财年Q3季度财报，当季营收28.98亿美元，同比下滑了25%，低于分析师预期的29.6亿美元。

当季毛利只有4、98亿美元，但刨去3.82亿美元的研发费用、1.48亿美元的销售及其他费用之后，美光当季运营亏损2700万，净亏损2.15亿美元，摊薄每股亏损0.21美元，而上季度净亏损9700万美元，摊薄每股亏损0.09美元。

美光CEO表示他们依然面临市场考验，不过美光已经开始行动了，这次财报之后宣布裁员2400人，约占美光总员工数3.2万人的7.5%，虽然裁员会给美光带来7000万美元的费用，但预计裁员之后每季度为美光节约8000万美元成本，整个2017财年将节约3亿美元。

导致美光连续亏损的原因主要是DRAM、NAND价格不断下滑，不过说到根本原因还是美光自己的问题，20nm及更先进的1X nm内存芯片落后于三星，TLC闪存、3D NAND闪存上也同样是落后其他公司。

全球DRAM市场目前只剩下三星、SK Hynix及美光三大玩家，其中三星不论产能还是技术都是领先的，3月份率先量产了18nm工艺的内存，不过DRAM内存市场拼的不光是产能、工艺，现在最大的问题是市场需求下降，DRAM内存价格一路走低，三星、SK Hynix及美光都因此受拖累，DRAM业务营收及利润多有下滑，此前美光的财报可见一斑。

在此之前一直有DRAM厂商削减DRAM内存投资的传闻，日前三星在美国、韩国举行了投资者会议，官方首次确认减少DRAM投资，转而增加NAND领域投资。韩国媒体报道称三星NAND部门去年的利润率为17%，今年将增加到25%。

三星在NAND闪存市场份额上也是全球第一，达到了31.6%，东芝次之，份额为18.3%，闪迪有17.6%，之后分别是美光的13.4%、SK Hynix的10.7%、Intel公司的7.5%及力晶公司的0.2%。

除了份额之外，三星在NAND领域中技术也是最先进的，TLC闪存及3D NAND闪存都是提早友商两三年量产，该公司在中国西安投资70亿美元的晶圆厂已经量产第三代V-NAND闪存，堆栈层数为48层，可以大幅提高NAND容量、降低成本。

对了，前几天西安变电站火灾事故导致部分工厂受损，三星NAND工厂产能也因此受影响，虽然官方表示产能影响不过1%左右，不会给NAND供应带来麻烦。但在火灾之后，市场上有些厂商真的借机涨价了，NAND出货价上涨了几美元，只不过这次涨价能否持续下去还是个未知数，毕竟厂商涨价并不代表市场就一定接受涨价。

2013年三星宣布在中国西安市投资70亿美元新建晶圆厂，主要生产的就是3D NAND，去年9月份的三星SSD全球峰会上三星表示经过两年的建设，西安的NAND工厂已经开始规模量产V-NAND闪存了，分析指该厂生产的NAND主要是第三代V-NAND闪存，48层堆栈，将是三星在韩国本土之外最重要的NAND基地，月产能高达10万片晶圆。

这次西安变电站事故就影响了三星NAND工厂，三星晶圆厂出现了电源闪断，机器大面积宕机，损失还在统计中。此外，西安市其他工厂如美光、立成也出现了电源闪断，部分设备受损。（晶圆厂是不能断电的，设备重新运行没这么容易）

问题是这个影响会有多大，目前消息看起来还好，三星表示受损的产能约为1-2%，属于可控范围，未来对供货不会有任何影响。

不过小编周末看到这个新闻的时候也发现有些媒体、股市分析师闻风而动了，三星所受影响不大，但难保有些人会借机炒作。

晶圆厂受起火（或者其他意外原因）导致产能受损进而影响市场价格的前车之鉴就是2013年SK Hynix无锡工厂着火，那次火灾影响很大，而无锡工厂的DRAM产能占到全球的13%，以致于内存价格在此之后不断上涨，过了一年多才恢复正常。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了最新统计数据，今年Q2季度NAND闪存价格继续下跌，其中MLC合约价格下降了6-10%，TLC闪存合约价格下降了4-11%。不过Q3季度供需可能转向平衡，而且厂商开始有意控制产能提供盈利水平，所以Q3季度的价格跌幅可能会收窄。

笔记本SSD硬盘价格趋势

闪存价格下降无疑会降低SSD价格，而DRAMeXchange资深分析师认为，HDD硬盘厂商为了提高获利而调整了产品价格，在这种情况下128GB硬盘今年底价格就会低于500GB HDD硬盘，256GB SSD价格与1TB HDD硬盘的价差也会低于5美元，使得SSD硬盘的性价比更高。DRAMeXchange认为今年笔记本SSD搭载率会一举突破30%，甚至在年底达到40%门槛。

目前的NAND供应商中，三星实力最雄厚，最先量产3D NAND闪存及TLC闪存，不过今年其他厂商也要追上来了，闪迪、东芝、SK Hynix的15/16nm TLC闪存会从Q2季度开始逐渐放量。在3D NAND闪存上，美光、Intel今年也会量产出货，其他家则会在明年上半年大量出货。

今年的SSD市场上，NAND制程依然是15/16nm为主，不过TLC闪存出货量比重会超过MLC闪存，因此会成为主流选择。

与同胞公司三星还能靠智能手机、SoC处理器弥补内存、闪存芯片业务不同，SK Hynix的营收几乎全部来自内存及闪存芯片，而后两者的价格近来一直在下跌，SK Hynix公司在技术水平、产能上又落后于三星，以致于今年Q1季度营收3.66万亿韩元（人民币209亿元），环比下滑了17%，同比下滑了24%。

该公司Q1季度毛利率从去年同期的33%下降到了15%，运营利润只有0.562万亿韩元，净利润是0.448万亿韩元（人民币25.5亿元），环比下降了49%，同比则是暴跌了65%，只有去年同期的1/3左右。

与上一季度相比，SK Hynix公司的DRAM芯片出货量、平均价格分别下降了3%、14%，主要原因是PC、服务器以及移动内存市场需求不振。闪存方面，出货量及平均售价也分别下降了11%、12%，原因是移动设备需求不足。

目前SK Hynix正在增加2Z nm（21nm）工艺的移动DRAM生产，并开发1Z nm DRAM芯片。闪存方面，SK Hynix公司正在向1Y nm工艺平面NAND闪存升级，并加速扩大3D NAND闪存生产，该公司预计今年下半年量产48层堆栈的3D NAND闪存。

业绩如此不景气，SK Hynix公司减少投资也成了必然之事，公司总裁Kim Joon-ho向投资者表示今年的资本投资会减少，公司将会集中精力在提升技术水平而非扩大市场份额上。

根据SK Hynix公司报告，他们向中国无锡、韩国清川及仁川市的工厂投资了6.6万亿韩元（人民币约376亿）。

据韩国媒体报道，加拿大皇家银行RBC高级分析师Amit Daryanani本周一发表分析报告，预测2016年全球存储芯片资本支出额为502亿美元，比上一年减少4%。看起来变动不多，但三星一家就减少了40亿美元的支出，同比下降了31%。

三星是DRAM厂商中工艺最先进的，前不久宣布率先量产18nm工艺DRAM芯片，而目前的产能有70%都已经升级到20nm工艺节点，但这也意味着三星不会大规模投资产能建设了，内存领域的资本支出将减少26亿美元。

闪存方面同样如此，三星数年前在中国西安投资70亿美元建设3D NAND闪存工厂，去年底该工厂已经开始规模量产第三代V-NAND闪存了，随着工厂进入全功能运营阶段，三星在NAND领域的投资也将下降到10亿美元。

另一家韩国公司SK Hynix同样也会削减资本投资，预计今年会减少6万亿韩元。分析师称SK Hynix正在为升级20nm DRAM芯片产能投资，但在3D NAND领域进行重点投资的可能不大，他们的产能ASP平均售价及技术面临挑战。

三星、SK Hynix放缓存储芯片投资跟营收表现息息相关，预计今年Q1季度的财报中双方都会披露新的投资计划。分析师称宏观经济压力导致了半导体产业下降，进而抑制了资本支出。厂商们的运营利润下降速度历史性地超过了营收下降速度。

SK Hynix预计Q1季度的运营利润只有5000亿韩元，去年同期还有1.58万亿韩元。三星日子也没好到哪里去，去年Q1季度运营利润是2.93万亿韩元，今年Q1季度降到了2.6万亿韩元。此外，三星存储芯片之外还可以依赖处理器芯片弥补部门法损失，而SK Hynix主要的营收都是来自DRAM及NAND存储芯片，情况比三星更糟。

美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。

美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8.49亿及去年同期的14.05亿美元，再扣除4亿美元的研发费用、1.75亿美元的营销等费用之后，美光运营亏损500万美元，但是当季还有8500万美元的利息等支持，所以美光这个季度净亏损了9700万美元，而去年同期净利润9.34亿美元，上季度净利润也有2亿美元。

导致美光业务表现不佳的原因是DRAM及NAND市场价格或者出货量下降，其中DRAM内存报价、出货量双双下滑10%，而NAND闪存虽然出货增加了，但是价格跌了15%，因此NAND业务营收反而下降了6%。

值得一提的是，美光在NAND业务方面的表现都引起了合作伙伴Intel的不满了，他们不光甩开美光单开3D XPoint闪存，现在产品上也逐渐放弃与美光合资的IMFT公司的闪存，转而采购SK Hynix的闪存。

对美光来说，更杯具的是这种情况一时间还无法好转，因为DRAM内存、NAND闪存继续跌价已经是今年的大趋势，美光对本季度的预测也略显悲观，营收在28-32亿美元之间，而利润方面还会继续亏损下去。

美光公司Q2季度的资本投资是12.3亿美元，当季拥有的现金及市场投资价值51.4亿美元。

财报发布之后美光股价还上涨了0.29%，股价为10.48美元，市值109.5亿美元，不过美光的市值这一年中已经下跌了超过60%。

PS：紫光公司奉劝美光迷途知返，及早接受中国爸爸的投资才是美光唯一的出路。230亿美元的投资都顶得上2个美光市值了。

武汉存储器产业基地背后的出资人有国家队的大基金，也有地方队的湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金及湖北科技投资集团，预计5年内投入240亿美元，2018年建成投产。至于产能，当初提到的是每月20万片晶圆，这个产能已经很强大了，不过后期还会继续增加，2020年预计产能可达30万片晶圆每月，到了2030年则会提升到100万片每月。

国际通行的半导体产能衡量指标是统一到8英寸晶圆产能上，根据2015年统计的数据，全球产能最大的半导体公司是三星，总产能是每月253.4万片，第二名是TSMC，每月产能为189.1万片，第三名是美光，每月产能160万片晶圆，第四、第五分别是东芝/闪迪、SK Hynix，产能134.4万片、131.6万片，第七名则是GlobalFoundries，产能为76.2万片。

产能TOP5的公司都是经过多年投资的大厂，而武汉存储器基地建成之时的20万片晶圆产能算不上，但2030的100万片晶圆产能就不可小觑了，差不多能达到SK Hynix与GlobalFoundries之间的量级了。——用15年后的产能比现在的水平虽然不公平，但别忘了武汉的晶圆厂只是中国发展半导体产业的一部分，其他城市还有更多类似项目，总体发展速度远远超过国际公司，后者新建晶圆厂的动机并不高。

此外，武汉基地的晶圆厂瞄准的是整个存储器产业，第一阶段的晶圆厂会主攻NAND闪存，而且是3D NAND闪存，第二家工厂则是针对DRAM内存芯片，第三个阶段的工厂要为供应商服务。

国内投资建设的项目从来不缺资金，发展目标同样也非常远大，100万片晶圆产能依然是个开始，这个项目的目标是做全球行业龙头。中国大基金总经理丁文武在采访中也表示大基金的投资方面就是做行业龙头，不做一般的风险投资、天使投资。

不过在巨额资金及雄心壮志背后，武汉基地的存储芯片技术水平依然是个迷，虽然直接切入新一代的3D NAND闪存，但今年国际主流的3D堆栈层数已经达到了32-48层，新芯科技与飞索半导体研发的3D NAND据说只有8层堆栈，建成工厂还需三年左右时间，届时技术差距又该如何缩小呢？

国产存储芯片这个项目曾经吸引了国内多个城市竞争，去年确定落户武汉市，由武汉新芯公司负责建设、运营。值得一提的是，在竞争中落败的合肥市并没有放弃，他们联合了前尔必达董事长坂本幸雄设立的兆基科技公司投资8000亿日元在合肥建造另外的存储芯片厂，国内一下子要造出两个存储芯片基地了。

合肥的项目还没有最终成行，相比之下武汉的国产存储芯片建设已经踏上正轨了，本月28日就会举行首座12英寸晶圆厂动工仪式。他们的最终目标是筹资240亿美元，至少会有2座12英寸晶圆厂，月产能高达30万片晶圆，日后将成为中国最大、最先进的存储器研发与生产制造基地。

武汉新芯公司成立于2006年，是湖北武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸晶圆厂投产，原本是中芯国际旗下的晶圆厂，2013年中芯国际推出运营，武汉新芯成为独立公司，由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩，现有一座12寸晶圆厂，主产NOR闪存。

相比NAND闪存及3D闪存，NOR闪存目前来说已经不是主流了，这意味着新芯公司与国际公司存在的技术代沟。此前该公司也曾寻求与三星、SK Hynix及美光等公司技术合作，但最终都没有结果，因此武汉新芯公司将采用自主研发、自主建厂的方式运营。

根据之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存，这应该是他们的闪存技术来源了，但是不确定这种3D闪存的技术水平到底如何。

武汉新芯公司官网上今年的新闻只有一条，不过最新的几条新闻都是围绕3D NAND闪存的，看起来他们也确实把3D闪存作为攻坚重点。

目前存储芯片市场上，随着新工艺及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的产能都在迅速提升，下半年内存价格都有可能暴跌40%，NAND闪存市场同样也会降价的压力，这对国产存储芯片公司来说是个考验。综观国内液晶及LED产业的崛起，国内公司都是靠着政府支持及补贴大打价格战来占领市场的，存储芯片领域同样难逃这个命运。我们在支持国内公司做大做强的同时，也希望这些公司能以技术优势立足而不是一味拼低价，国内的钢铁产业现在就是个“榜样”。