在第二季各类产品的报价走势中，除了移动设备采用的行动式存储器产品（DRAM/eMCP）跌幅较缓，在10=20%之间外，包括标准型、服务器、消费级存储器的跌幅都将近3成，其中服务器存储器因库存压力较为严重，跌幅甚至逼近35%。

虽然在第二季的出货量相比第一季有所增长，但由于报价的下跌，所以导致第二季的DRAM总产值相较上一季下滑9.1%。

同时DRAMeXchange展望第三季，称虽然由于日韩半导体物料影响到时DRAM内存价格上涨，但现货市场的规模小，无法有效消化高库存情况，而中断需求依旧疲软，所以实际7月合约价格持续走低。所以尽管发生了一些事情，但根据合约价的基本面，实在产出没有实质受到影响的情况下，并未见到支撑价格的情况出现。此外移动设备和服务器存储占出货量的7成，所以第三季度合约价仍将呈现下降趋势。

虽然最近内存价格有企稳现象，而且在上个月还出现了一定的反弹，但整体可能还会继续下跌。不过当前内存价格已处于相对较低的位置，下跌空间可能不会很大了。

电脑内存的作用其实就是一个处于CPU和硬盘间的临时存放区，CPU所需访问与处理的数据都会经过这里，电脑工作时会把要用到的东西先从硬盘调用到内存里面，因为内存比硬盘快得多，这样可以确保CPU的高效工作，如果每次都访问硬盘拿数据那就太慢了，你看下你电脑内存占用爆表的时候就知道什么情况了。

别看现在SSD的速度很快，但是与内存比起来还是有天壤之别的，即使是傲腾DIMM这级别的东西在带宽和延迟上与DDR4内存还是有很大差别的，硬盘的速度对CPU来说实在太慢了，所以你平常运行的程序和游戏都会先放到内存里面，然后在调到CPU里面运行。

同时内存也是数据暂存的地方，比如你用文本软件输入一段文字，或者用画图软件画一幅画，在你未按保存按键或者软件帮你自动保存之前这些东西都是放在内存里面的，你不保存的话这些数据就会被直接丢弃，这样可以减少硬盘的读写操作。

内存是电脑不可或缺的一部分，你的电脑没硬盘可以点亮，但是没内存是绝对不可点亮的，因为根据冯·诺依曼计算机结构，CPU里面的缓存和插主板上的内存是属于内存储器，而硬盘、U盘、软盘等都是外存储器，计算机没外存储器也是可以开机的，但没内存储器绝对不行。

现在虽然说DDR3内存还很常见，但是DDR4内存已经是市场的主流，2015年8月Intel发布Skylake处理器与100系列主板之后它已经进入了大众市场，DDR4内存的标准电压是1.2V，频率从2133MHz起步，目前最高是4200MHz，单条容量有4GB、8GB和16GB，目前已经很大程度的取代了DDR3，新的主板已经没有提供DDR3内存插槽了，已经彻底进入到DDR4的时代，而明年，大家将会看到下一代的DDR5。

台式机版本，图片来源：英睿达官网

目前市面上几乎没有内存可以原生支持DDR4-3000以上的频率（不包括打开XMP的情况）内存，所以这次英睿达推出这款内存是十分令人意外的，并且考虑到这款内存并没有任何辅助散热措施，这一点就更加令人诧异了，不过考虑到这点它的超频空间可能就会有一些限制。由于采用了绿色PCB并且没有马甲，所以对于那些对内存高度有明显需求的散热器兼容性更好，同时也更适合喜欢服务器风格的用户，而且作为美光旗下的产品，其颗粒质量自然不用太过担心。

英睿达此次推出的内存包括DIMM桌面版和SO-DIMM笔记本版两种规格，两种版本都采用1.2V的标准电压，不过时序只有CL22。

笔记本版本，图片来源：英睿达官网

容量方面，两个版本均提供4GB、8GB和16GB三种容量选择，价格分别为28.99、54.99和106.00美元，笔记本和台式机的价格一致。这款内存同时提供了2条内存的套餐，不过单买与套条价格差不多，所以不用太纠结。

宇瞻NOX RGB采用精美雕刻的照明条，自然流畅的RGB色彩全视图显示。NOX RGB通过主要主板制造商的软件认证，如华硕的Aura，技嘉的RGB Fusion，MSI的Mystic light和华擎的RGB Sync，NOX RGB可以轻松地控制并与系统同步，因此游戏玩家可以根据个人喜好自由配置灯光设计方案，以显示独特风格，无论白天还是夜晚都是机箱里的发光靓仔。

精心挑选的DRAM IC和高级铝合金散热片确保内存条的稳定性和兼容性。NOX RGB采用高级铝合金散热片，具有良好的散热性能，为游戏玩家提供优秀的体验。而纯黑的颜色方案则符合简单主义的审美。通过宇瞻的工业存储器模块技术和制造能力，精心挑选的IC在高速性能下保持高稳定性，同时确保与主板的兼容性，支持英特尔XMP 2.0技术，并允许英特尔平台主板发挥高端超频性能，无需手动调整BIOS参数。

NOX RGB已通过大多数主流主板制造商的兼容性认证，确保产品可在QVL上列出的主板上稳定运行。为了满足游戏玩家的不同需求，宇瞻提供了从4GB到32GB的单通道和双通道封装，以及从2400MHz 1.2V 16-16-16-36到3200MHz 1.35V 16-18-18-38的四种不同功能参数的选项。NOX RGB包括DDR4内存应有的性能优势，如低延迟，低功耗，低温，高稳定性和可靠性等，适合高端游戏玩家充分享受极致游戏体验和超频体验。

图片来源：Techpowerup、Cowcotland

三星宣布他们已经开发出1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，据称，1znm工艺制造的8Gb DDR4芯片在生产效率上较1ynm工艺提升了20%。10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。

三星计划在今年下半年开始大规模量产1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，，以用于预计将于2020年推出的下一代企业服务器和高端PC。三星还将增加其产量，以“满足对最先进DRAM产品不断增长的需求”。但是现在并看不到市场对于DRAM内存有更大需求的增长，由于智能手机及经济环境的变化导致需求放缓，再加上厂商库存增加，从去年Q4季度以来，DRAM内存的价格就已经开始由涨转跌 。前几天的调研报告称Q1季度内存合约价跌幅高达30%，并且预计今年上半年都会持续走低，目前业界的说法是下半年才有可能恢复正常。

根据eetimes报道，海力士在国际固态会议上公布了首个DDR5内存芯片的细节。同时三星也在此次会议上描阐释了基于低功耗规范的LPDDR5的SDRAM的实现。

DDR5内存提供了两倍于DDR4内存的带宽，同时电压更低，数据传输效率更高。作为制定DDR5内存标准的组织，原计划于2018年底完成标准制定，但事实上这项工作依旧在进行中，预计在今年年底有相关产品会出现。

此次会议中，在海力士发表的论文中，提到了其DDR5产品可以提供每针脚6.4Gb/s的速率，16Gb的容量，同时工作电压为1.1v，低于现在的DDR4内存，与LPDDR4相当。制造工艺为1ynm，芯片面积为76.22平方毫米。

与此同时三星也公布了其10nm级别制造工艺额LPDDR5 SDRAM芯片，可提供7.5Gb/s的传输速率，工作电压仅为1.05v。但更多的细节三星并没有公布。

而在2019年2月19日，JEDEC公布了LPDDR5更新标准，但依旧不是最终标准。根据标准其可以提供比LPDDR4高50%的I/O速率，达到6400MT/s。同时由于更低的工作电压，可以为智能手机、平板、笔记本电脑等便携式设备提供更高的性能和更长的续航时间。

三星和海力士都证明将在今年四季度发布DDR5内存产品。而Cadence和Micron也已在201810月份表示将在今年年底生产DDR5内存。

初期DDR5内存价格相较于DDR4内存更贵，大规模上市依旧需要时日。

紫光国微就是之前的西安紫光国芯，今年5月份改名为紫光国微，而紫光集团6月初与重庆市政府、国家集成电路产业基金发起成立了紫光国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿人民币，还会寻求IPO上市，占用了紫光国芯这个名字，所以之前的西安紫光国芯就更名为紫光国芯微电子股份有限公司，简称紫光国微。

根据官网介绍，西安紫光国微半导体有限公司前身为西安华芯半导体有限公司，是由原奇梦达科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的。公司2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立，在2006年，伴随着存储器事业部从英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达科技，奇梦达科技（西安）有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。2009年，浪潮集团收购原德国奇梦达科技（西安）有限公司进行改制重建并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

该公司今年6月份曾经表示今年内完成DDR4内存开发，并且开始市场推广，不过到了12月份也没有踪影，不少投资者也很关心这个问题，紫光国微上周也给出了回应了，表示“公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成，正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善，产能仍然很难保证。”

换句话说，紫光国微的DDR4内存已经基本完成了设计、开发工作，但是现在的困难在于国内没有DRAM晶圆厂，无法投入生产，也就没可能上市。

在DRAM工厂上，国内目前主要有合肥长鑫/兆易创新以及福建晋华/联电的两个合作项目，不过晋华/联电因为与美光的专利纠纷而被美国制裁，DRAM内存生产进度恐怕会大受影响。至于合肥长鑫的DRAM项目，之前的表态是今年底研发成功19nm DRAM芯片，不过真正生产还是要到明年，而且刚开始的产能、良率也不会达到很高的水平，即便他们可以给紫光国微代工，短时间内也解决不了问题

总之在DRAM内存生产上，确如紫光国微所说，产能很难保证。