根据群联董事长潘建成所说，去年不少系统厂商及通路厂商因为担心原厂良率不断提升而导致价格跌幅扩大，以及中美贸易战愈演愈烈等因素，下半年的备货情况非常保守，不过今年还是要出新产品冲业绩，再加上西数、三星、美光、英特尔等公司削减NAND产能的行动，一拉一升之间让系统厂商今年1月份开始备货。

潘建成表示这次的备货情况超过他的预期，预计市场上大量备货会集中在今年Q2季度，厂商会瞄准暑期商机，届时如果中美贸易战干扰减少，那NAND闪存价格会出现2年来首次反弹。

群联去年出货了3600万多颗SSD主控+模组芯片，同比增长了56.9%，今年1月份业绩继续大涨，出货450万颗芯片，潘建成表示全年有望挑战5000万颗芯片出货量，他认为今年情况对群联相当有利。

作为市场上的NAND上游供应商（群联有东芝NAND供应，但自行封装搭配自家主控销售），群联发出了NAND闪存即将涨价的信息，不过市面上第三方调研机构此前给出的预测不同，集邦科技旗下的DRAMeXchange 1月份发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

以下是集邦科技的报告详细内容：

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，部分服务器厂商因2018年第四季总体经济不确定性提高，决定延后进货或取消订单，与此同时，上游供应链也进行产线调整，备货力道偏弱，加上苹果新机出货不如预期以及整体换机需求转趋疲弱的影响，除此之外，Intel CPU缺货也冲击笔记本电脑需求低于预期。尽管平均搭载容量持续提升，但整体位元出货量表现低于原本预期，使得2018年第四季品牌商营收较前一季度衰退16.8%。回顾2018年全年的销售表现，尽管各项产品价格逐季走跌，但全年位元出货量较2017年成长逾40%，整体营收仍持续成长，并来到历年来新高点，约632亿美元水平，较2017年成长10.9%。2019年第一季进入传统淡季，使得需求更趋疲弱。服务器、智能手机厂商持续调整库存，NAND Flash市场的位元出货量将较上一季衰退，而主要供货商为维持市场占有率，则透过更优惠价格来吸引客户，因此NAND Flash整体营收受到销售单价与需求双双下滑的拖累，将持续走跌。

三星电子(Samsung)2018年第四季基于智能手机、服务器以及笔记本电脑需求皆显疲弱的影响，三星位元出货较上季衰退逾7%。而在销售单价部分，由于三星先前仍维持较高单价，第四季面临销售压力出现价格补跌，使得平均销售单价大跌逾20%，第四季营收为43.04亿美元，季减28.9% 。

从制程及产能分析，受到NAND Flash市场整体供过于求的影响，2019年的投产目标以维持现有3D NAND产能为主，2D NAND产能则将依需求下修而进行缩减，但仍维持平泽二厂的投产规划。同时，尽管第五代3D NAND制程良率已近成熟，但为避免过度增加产出，三星将放缓新制程的扩产计划。

SK海力士(SK Hynix)

因智能手机出货需求不如预期，尤其受到旗舰级智能手机销售疲软以及OEM着重去化库存影响，SK海力士2018年第四季位元出货仅成长约10%，加上服务器SSD采购趋向保守等需求面因素影响，加深平均销售单价的季跌幅达21%，第四季NAND Flash营收为15.87亿美元，季衰退13.4%。

以产能规划而言，SK海力士2019年仍维持新厂M15的扩产规划，并同时推出96层新架构的3D NAND产品以改善成本及竞争力，其中搭载96层结构的UFS 2.1产品预计在第二季正式量产，但预期产品推出前期仍需一段时间导入，2019年的出货主力仍将以72层架构为主。

东芝记忆体(Toshiba)

由于苹果新机出货不如预期以及笔记本电脑出货受CPU缺货影响，东芝记忆体2018年第四季位元出货仅能勉强持平，而各类产品合约价明显走跌，致使平均销售单价较前一季走跌约15%，整体营收来到27.31亿美元，季减14.7%。

从产能方面观察，东芝在四日市市的产能受到西数要求减产，这导致该区域整体产能下降。2019年的扩产集中于Fab 6，但仍以64层为主要生产制程。

西数(Western Digital)

受到中美贸易战影响，服务器及智能手机需求不如预期影响，尽管在SSD出货容量成长有不错表现，2018年第四季的位元出货量仅较上季成长5%，然而平均销售单价在需求疲弱以及各类产品价格跌势加剧影响下，较前季下跌18%，导致整体营收下滑至21.73亿美元，季减14.2%。

从产能规划来看，西数2019年上半年将维持节制产能与资本支出的策略，预期2019年的位元产出将较原本计划降低10~15%。值得注意的是，西数是否能够顺利参与东芝岩手县新厂的投资，这将是能否保障其未来竞争力的关键。

美光(Micron)

受惠于SATA接口Enterprise SSD销售维持高档以及UFS、UMCP顺利导入主要智能手机客户，美光在第四季仍能保持超过10%以上位元成长。但受到NAND Flash跌价走势影响，美光平均销售单价也有逾10%的下滑，因此营收衰退2.2%，来到21.79亿美元。

在产能方面，2019年美光主要的位元增长将来自制程转进，持续扩大96层产品的导入，并将整体位元增长维持与产业水平接近。

英特尔(Intel)

英特尔在服务器SSD领导地位的优势，加上第四季借由客户转采更高容量配置以及更多64层产品的帮助下，仍能维持位元出货量成长逾15%，但受到第四季服务器SSD合约价下跌影响，英特尔的平均销售单价下跌10~20%，整体营收略微成长至11.07亿美元，季增2.4%。

在产能与制程方面，英特尔规划在今年内将大连厂二期产能扩张至满载，另一方面持续进行96层产品的转进，预计在2019年下半年可以达到近30%的产出比重。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

在这次合作中，群联董事长潘健成、紫光集团全球执行副总裁兼紫光存储董事长马道杰、紫光存储总裁任奇伟等双方高层都出席了签约仪式，此举也显示出这次的合作备受双方高层重视。群联董事长潘建成指出，群联耕耘快闪存产业近20年，深知保持开放合作之态度为长期竞争力基石，同时公司已与各半导体大厂建立策略联盟，并在闪存采购、主控芯片设计、提供一条龙技术产品和服务等方面，获上下游伙伴肯定。而紫光存储为储存产业新星，预期将在半导体产业中占有重要的一席之地，群联期盼透过和紫光存储策略合作，开创双方营运新契机。

紫光存储董事长马道杰则表示，紫光积极开展上下游合作，目前已经与业内众多知名厂商建立战略合作伙伴关系，基于长江存储和合作伙伴的存储晶圆，逐步构建起主控芯片设计、系统产品的开发、颗粒封装测试、SSD制造、营销和服务的完整存储产业生态；本次紫光存储和群联强强联合，全面合作，为紫光繁荣存储生态的又一重要举措，且将进一步推动存储产业的创新发展，为双方创造更大的价值。

从双方的合作宣言来看，紫光存储未来会依赖长江存储的NAND闪存供应，主控芯片现在是跟群联合作，但是未来还是会构建主控设计、颗粒封装、SSD生产、营销及服务在内的一条龙服务。考虑到长江存储会在明年大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存，最快明年就可以看到国产NAND闪存+群联主控+紫光品牌的SSD产品了。

三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报，在此之前市场已经在打预防针了，因为本季度中内存芯片也开始跌价了，势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价，其他风险还有中美贸易战等等，不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。

与营收微幅下滑不同，三星Q4季度的运营利润下滑更多，预期本季运营利润只有13.9万亿韩元，约合123亿美元，与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。

尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑，但是放眼全年的话，由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势，三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率，所以折抵下来全年盈利依然会创新高，预计今年运营利润高达62.6万亿韩元，约合557.3亿美元或者3844亿人民币，而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元，约合3291亿人民币，相比之下，今年的盈利依然会大涨16.8%。

美光的财年始于每年的9月，2019财年Q1财年是今年9-11月，横跨日历年的Q3及Q4季度，这个财季营收为79.13亿美元，去年同期为68亿美元，上个财季营收为84.4亿美元，同比增长了16%，环比下滑了6%，而美光的DRAM、NAND闪存芯片供应量还在增长，由此也可以看到闪存、内存降价对美光的一些负面影响。

对利润的影响更大一些，Q1季度美光毛利率为58.3%，比去年同期的55.1%增长3.2个百分点，不过与上季度61%的毛利率下滑2.7个百分点，净利润为32.9亿美元，去年同期为26.78亿美元，上个季度为43.25亿美元，同比增长23%，但是环比下滑24%。

受此影响，美光也下调了Q2财季的营收预期到57-63亿美元之间，低于市场预期的71.8亿美元，并且大砍2019年的资本支出，而美光的悲观看法也影响了市场，导致美光股价大跌。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称，今年NAND Flash供应商在3D NAND 64层堆栈产品良率稳定，产出位元高于厂商原先预期，今年下半年旺季时，又遭遇中美贸易冲突开始升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。

DRAMeXchange指出，在eMMC／UFS方面，年底前中国大陆智能手机手机厂商着重去化库存及调整生产规模，因此加深今年第四季合约价跌幅，而库存去化将持续至2019年第一季，导致eMMC／UFS合约价将在明年第一季恐呈现近10％跌幅。

至于SSD硬盘，2019年第一季笔记本电脑出货量预期将较今年第四季下跌逾15％，尽管PC SSD搭载率与容量持续上升，但仍难遏止总位元需求与价格双双走弱，消费级SSD合约价料将续跌近10％。

由于服务器需求成长维持不坠，导致企业用SSD市场成为各供应商兵家必争之地，使得价格竞争更加激烈，加上第一季服务器需求同样受淡季影响，预期第一季的跌幅将高于10％。

至于模组厂的市场情况，DRAMeXchange认为，今年下半年以来NAND Flash价格不断走低，模组厂为避免跌价损失，模组厂有必须出清当月进货的压力，甚至是透过销售次级产品以维持获利，此举反而进一步打乱市场价格行情，相比龙头厂商的获利水准，模组厂今年的获利表现明显下滑。

Digitimes援引供应链消息称，NAND闪存供应商近期已经开始小幅调整价格，闪存卡的价格触底之后已经开始小幅反弹，不过SSD产品价格继续下跌，eMMC、eMCP等嵌入式存储产品的价格则保持稳定。

虽然部分NAND闪存产品会有价格反弹的问题，不过春节假期之后这波价格反弹很快也会消失，由于供过于求，2月份之后NAND闪存价格还是会继续走跌。

NAND闪存降价会降到什么时候？这个要取决于市场供需变化了，消息人士称明年智能手机对更高容量NAND闪存的需求将会缓解2019年上半年NAND闪存供过于求的局面，明年主要的智能手机厂商在旗舰机上会使用512GB存储。

此外，Digitimes还援引中国闪存市场的统计数据称240GB容量的SSD硬盘已经低于1TB机械盘了，前者的价格将进一步降低到29美元，480GB容量的SSD硬盘也会降至57美元左右。

消息人士称到了2019年底，480/512GB硬盘的价格可能会接近1TB机械盘的价格。

对于2019年的存储芯片市场，市场观察人士对明年存储芯片降价的看法是一致的，问题是降幅多少的，之前的预测称明年Q1季度DRAM内存芯片降价10-15%，NAND闪存也会降10-15%价格。花旗集团分析师Peter Lee日前发表报告，维持了对美光公司的中性评级，但下调了美光公司2019财年的营收及盈利预期，理由就是明年的存储芯片会大降价。

根据他的报告，由于产能过剩、库存增加，花旗预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

早前WSTS世界半导体贸易统计组织就下调了2019年全球半导体产值，之前预期明年市场产值可达5020亿美元，同比增长5.2%，但是最新数据下调到了4901亿美元，同比今年只会增长2.6%左右。

明年半导体产值下降主要还是因为内存会降价，去年内存产业同比大涨了61.5%，今年的增速也有33.2%，但是2019年会下跌0.3%，所以内存行业在超级周期之后将会进入负增长阶段。

瑞银分析师Timothy Arcuri日前发布了关于内存市场的分析报告，虽然维持美光公司的中性评级，但他下调了美光的目标股价，从52美元砍至41美元。他不看好美光股价的原因就是明年Q1季度内存降价幅度要高于预期，之前分析认为明年环比下架10-12%左右，但是新的数据显示明年Q1季度内存价格降幅达到10-15%，而且NAND闪存价格也会降10-15%。

DRAM降价的负面因素是多方面的，英特尔处理器缺货导致PC市场受到影响，还有就是服务器、移动DRAM内存需求减弱。至于NAND闪存，PC OEM厂商正在削减SSD库存，智能手机的需求也疲软了，这些也影响了NAND闪存的需求。

DRAM内存明年到底会不会降价？在这个问题上，华尔街分析师的看法跟厂商的看法很不一样，昨天力晶执行长黄崇仁还在谈美国封杀中国晋华公司、三星等公司削减产能等因素导致2019年内存市场没有多少新增产能，他预测内存市场明年下半年会重新缺货。至于为什么有这么多看似矛盾的言论，那就看看支持内存涨价或者降价的人都是什么阵营的了，从三星到美光再到力晶，DRAM上游供应商一直谈的都是DRAM内存需求没有下降、未来依然是供不应求的局面。

集邦科技旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加，第三季NAND Flash供给稳定成长。但需求面受中美贸易摩擦影响，加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素，导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭，NAND Flash各类产品合约价仍走跌，第三季平均价格跌幅达10-15%。

展望第四季，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存，以及中美贸易摩擦持续进行，导致需求持续走弱，预计第四季仍维持供过于求态势，各类产品合约价跌幅加剧。而为了维持毛利及减少库存，预期Enterprise SSD及Wafer市场的价格竞争将更为激烈。

三星电子(Samsung)

尽管整体需求不如预期，但借由在旗舰智能手机市场独占鳌头，以及服务器、PC SSD出货仍持续成长的帮助下，三星第三季的位元出货量仍呈现逾20%的季成长。但由于价格持续走弱，平均单价有近15%的下跌，第三季营收为60.5亿美元，较上季成长2.1%。从制程及产能分析，三星已在消费级SSD产品中采用第五代制程，并将逐步导入到PC SSD、移动设备UFS中。不过，由于供过于求状况显著，三星将放缓转进第五代制程的进度，2019年位元产出仍以64/72层制程为主。SK海力士(SK Hynix)

在智能手机出货量以及SSD销售成长带动下，SK海力士位元出货量于第三季仍能维持19%的季成长，然而需求不如预期，无法扭转供过于求局面，致使平均销售单价下跌10%，整体营收来到18.3亿美元，较上季成长6.0%。就产品组合而言，SK海力士销售重心为移动设备市场。随着苹果新机上市以及中国厂商陆续推出全面屏概念手机，并搭载较高规格产品，128GB以上容量出货表现亮眼，并带动位元出货稳健成长。此外，在72层NAND Flash产品的帮助之下，本季SSD出货占比亦超过20%。东芝记忆体(Toshiba)

同样受惠于苹果新机与中国智能手机厂商持续提升容量，东芝记忆体在第三季仍保持逾20%的季度位元出货成长，然而在终端产品售价持续走跌的影响下，平均销售单价有近15%的跌幅，使得整体营收最终为32.0亿美元，较上季成长1.9%。从制程及产能方面观察，目前64层3D NAND产出占比已逾70%，3D NAND投片占比也正式突破50%，2019年扩产重点将放在Fab 6的新增产能，但考虑到市场供过于求与制程成熟度，将先以64层为主要投产制程。西数(Western Digital)

西数在第三季除继续维持在零售与渠道市场业务的优势以外，高容量UFS产品开始正式出货，并透过优惠价格在SSD市场取得不错表现，季度位元出货量成长28%，但受各类产品价格走跌影响，平均销售单价下滑16%，整体营收来到25.34亿美元，较上季成长7.0%。从产能规划来看，为应对NAND Flash在2018年全年供过于求的状况，西数预计将节制产能及资本支出，因此上半年的扩产以及转产96层3D NAND的进度将略为放缓。美光(Micron)

受惠于智能手机旺季效应以及SSD销售成长，美光第三季位元出货成长逾25%。美光在渠道市场仍握有重要影响力，在渠道市场价格跌势偏深的状况下，本季的平均销售单价下滑近15%，整体营收达22.3亿美元，较上季成长14.7%。就产品组合而言，美光致力于减少渠道市场出货占比，发展重心放在新的NVMe及QLC架构SSD产品，以应对高效能及高容量市场需求。而在移动设备市场，美光则持续与中国供应商合作，在第三季已正式量产出货。英特尔(Intel)

透过长期耕耘服务器SSD市场，英特尔第三季位元出货量仍有逾10%的成长。尽管目前NAND Flash市场跌势加剧，英特尔平均销售单价仅下跌逾9%，整体营收维持在10.8亿美元，与上一季约略持平。然而获利表现是今年最佳的一季，主要因为第三季出货的SSD有超过半数搭载64层3D NAND元件，进一步压低了成本。在产能方面，大连厂第二期的产能预计于2019年上半年达成满载。此外，英特尔与美光在非易失性存储领域的合作关系告一段落。但英特尔至少到2020年仍能自IMFT厂获得需要的3D XPoint产出。后续除自行开发第三代产品以外，也正在研究自行生产的规划。

NAND闪存从2D进入3D时代之后，堆栈层数成了提高容量、降低成本的一个重要指标，三星、东芝、美光、SK Hynix、英特尔等公司已经先后量产了24/32层、64/72层及96层堆栈的3D NAND闪存，其中96层堆栈的3D闪存是今年推出的，2019年会是几家NAND大厂的量产主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb级别。

相比这些公司，主力搞3D闪存的长江存储今年生产的还是32层堆栈的，核心容量仅为64Gb，月产能大概是6000片晶圆/月，主要用于U盘芯片等低端产品。按照规划，长江存储2019年将会量产64层堆栈的3D闪存，Digitimes报道称长江存储CEO杨士宁表示2019年底开始生产64层堆栈的3D NAND闪存，公司的毛利率将从负的转向正的，量产之后产能可达10万片晶圆/月。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，不过长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储对Xtacking技术也很自信，所以杨士宁表示他们的64层3D NAND闪存能够与现有的96层堆栈3D闪存相竞争。

在此之后，长江存储在2020年会跳过96层堆栈直接进入128层堆栈的3D NAND时代，那个时候三星等国际公司大概也是刚刚量产128层堆栈的3D闪存，至少技术层面上不会再落后太多了。

对于国内的存储芯片公司来说，即便技术差距缩短了，如何在这个市场中活下来依然是长期的难点，产能爬坡、良率等问题对没有多少经验的国内存储公司来说还需要很多时间才能解决，更别说制造出有竞争力、能赚钱的NAND芯片了。