根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

不论是处理器芯片还是存储芯片，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机，上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本，逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的，7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点，越往下就越依赖EUV工艺。

DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切，毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上，所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点，也没有必要使用EUV工艺。

美光不用不代表其他DRAM厂商不用，三星对EUV工艺是最激进的，此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺，最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。

来自韩国媒体的消息，除了三星之外，SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂，也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。

使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度，减小线宽，降低内存单位容量成本，不过EUV工艺目前还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这还需要时间改进。

早在2015年8月份的时候，SK Hynix在当时全球最大的存储芯片工厂M14落成时宣布了46万亿韩元（当时约合382亿美元）的十年期投资计划，M14工厂位于韩国利川市，主要生产DRAM内存，投资15万亿韩元，而在忠清南道的清州市还会建设一座3D NAND工厂M15，利川市未来还会再建设M16工厂，主要生产DRAM芯片。

来自韩国媒体的报道称，清州市的M15工厂将在10月4日举行竣工典礼，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存，后者是目前最新一代的3D NAND技术，与72层NAND闪存相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。

随着全球NAND闪存的需求增长，主要的厂商都在加大对NAND闪存的投资。三星在中国西安投资70亿美元建设了第二座NAND工厂，预计明年底在西安开始生产48层到64层堆栈的NAND闪存。东芝最近在日本建立了类似的NAND工厂，YMTC长江存储完成了32层NAND闪存的开发，计划今年底开始生产。

对SK Hynix公司来说，M15工厂的建成也有助于他们减少对DRAM内存的依赖性，今年Q2季度该公司占据全球DRAM内存市场份额的29.6%，NAND闪存市场排名第四，份额为11.1%，去年DRAM内存占了公司利润额的90%。

无锡是SK Hynix在中国市场投资的重点，自2005年在当地建设内存工厂之后，无锡已经是SK Hynix全球最重要的内存芯片工厂之一，目前每月产能约为10-12万片晶圆，并且还在扩建产能中，而今年初SK Hynix还宣布了另外86亿美元的投资计划，将在无锡建设DRAM内存工厂第二期，产能高达20万片晶圆/月，落成后将是全球最大的内存工厂之一。

除了存储芯片业务，SK Hynix还在无锡市投资建设一些社会项目，这次3亿美元建造医院就是计划中的一部分，去年4月份SK Hynix公司CEO朴成旭拜会了无锡市委市政府，达成了在无锡建造医院的合作计划。

从韩国Plusnews的报道来看，SK Hynix建设的医院是一座三级综合性医院，配有手术、肿瘤及透析中心，初期会有700到800张床位，后期会根据需要扩展到1500到2000张床位。

从2005年SK Hynix建设DRAM内存工厂到现在的13年里，SK Hynix总计在无锡市投资110多亿美元。

Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

消息人士称全球NAND闪存在今年Q3季度中依然处于供过于求的状态，尽管这是传统旺季。供应商持续增加64层及72层堆栈的3D NAND闪存产能，再加上已经饱和的笔记本、智能手机市场导致的需求增长有限，这些都是NAND降价的原因。

此外，消息人士还提到市场上还充斥着不合格的NAND闪存芯片，这对闪存芯片价格进一步产生负面影响。Q3季度中NAND闪存价格可能会下跌10-15%，Q4季度中价格还会再降15%。

内存方面，DRAM合约价也出现了下跌迹象，消息人士称随着供过于求，预计Q4季度内存芯片价格也会开始下跌。

NAND闪存及DRAM内存价格将在2019年上半年遇到下行压力。

消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。

此外，三星还被曝暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划，原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。

消息人士称SK Hynix也计划放慢新的3D NAND芯片产能扩张的计划的步伐。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了2018年Q2季度全球DRAM内存芯片市场报告，当季营收达到了236.91亿美元，相比Q1季度的230.76亿美元增长了11.3%，创造了新的营收记录。

Q2季度中，DRAM芯片平均涨价3%左右，而显卡所用的图形显存涨幅达到了15%，DRAMeXchange表示这主要是Q2季度中挖矿显卡需求升温所致。

至于Q3季度，7月份各大公司的合约价已经谈判差不多了，一线大厂的均价约为34.5美元，Q3季度的合约价涨幅约为1.5%，而PC内存的涨幅在Q3季度将大幅放缓。从Q3季度的情况来看，各大厂商在下半年将提高产能，DRAM内存的需求增长相当有限，DRAM颗粒价格继续高涨的基础并不存在，预计Q4季度就是DRAM内存的价格巅峰了。

具体来看下各大厂商的排名，三星依然是市场NO.1，Q2季度中营收112.07亿美元，环比增长8.2%，市场份额43.6%。

SK Hynix公司Q2季度营收75.85亿美元，环比大涨了19.5%，市场份额29.9%。

第三位的是美光，而且涨价幅度是三大厂商中最高的，不过因为之前的工厂氮气问题，导致美光Q2季度出货位元容量与Q1季度持平，营收环比增长6.3%到55.41亿美元，市场份额21.6%。

在这三大厂商中，三星的价格涨幅是最低的，但这主要是Q1季度三星DRAM颗粒的价格基数就已经很高，还有一个影响因素就是中国监管部门已对几大公司展开了反垄断调查，给了三星一些压力。此外，三星最新的1Y nm工艺DRAM颗粒还在客户验证阶段，因此Q2季度的毛利率维持在69%，跟Q1季度持平。

其他两家中，SK Hynix的毛利率从61%提升到63%，美光的毛利率也从58%提升到60%，意味着三大厂商的毛利率全面突破了60%，三星则是接近70%。

持续了两年的存储芯片涨价风波中，NAND闪存已经在今年初开始降价，现在的价格相比2017年巅峰时的价格已经跌去了50% ，但DRAM内存芯片的价格依然居高不下，今年以来已经上涨了20%。不过下半年的内存走势中，业界普遍认为Q3季度内存价格不会上涨了，最好的情况是持平，可能还会小幅降低，SK Hynix公司自己也认为Q3季度价格会下降。

但是内存芯片越是有可能降价，SK Hynix反而越选择建设新的晶圆厂提高产能，希望通过产能增长抵消内存降价带来的影响。SK Hynix日前宣布了新的投资计划，将斥资15万亿韩元，约合134亿美元或者916亿人民币在韩国总部京畿道利川市3.5万平方米的场地上建设新的工厂，编号M16。

SK Hynix的投资将分批进行，首先是花费3.5万亿元韩元（214亿人民币或者31.4亿美元）建设工厂的基础设施，之后再投资购买设备，包括下一代EUV光刻机等，未来两年内的总支持将达到15万亿韩元。

虽然确定了新工厂投资计划，不过SK Hynix现在还没有确定新工厂生产的产品类型及产能，SK Hynix给出的理由是市场面临不确定性，不过有消息人士称M16工厂将主要生产更先进的10nm级内存芯片。

在韩国之外，SK Hynix在中国无锡也有DRAM芯片晶圆厂，目前的一期工程产能在10-12万片晶圆/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些时候SK Hynix还宣布投资86亿美元在无锡建设第二座内存工厂，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

本周一的时候SK Hynix股价还大幅跳水7%，因为市场预期DRAM涨价到头了，随后SK Hynix股价回涨了，今天发布的财报发布之后股价涨了2%，因为SK Hynix又一次交出了史上最好的财报。今年Q2季度中，SK Hynix公司营收10.371万亿韩元（约合625亿人民币），同比大涨55%，环比增长了19%。毛利润6.608万亿韩元，同比大涨72%，环比增长24%。

运营利润为5.574万亿韩元，净利润达到了4.329万亿韩元，同比大涨了75%，环比也大涨39%。

从SK Hynix的财报来看，他们的毛利率为64%，运营利润率为54%，净利润达到了42%，这样的赚钱能力也只有三星半导体可比了。

根据SK Hynix的资料，今年Q2季度中NAND闪存平均价格跌了9%，不过位元出货量增长了19%，主要是中国智能手机行业闪存需求及SSD硬盘市场需求增加所致。

内存方面，所有产品均价增长了4%，位元出货量增长了16%，主要动力来自PC内存及服务器内存。

SK Hynix依然在扩大内存产能，预计今年9月底位于韩国清州市的无尘室扩建工作完成，明年初提供产能输出，而位于中国无锡市的无尘室扩建工作今年底完成，此外SK Hynix还在无锡市投资86亿美元建设二期工程，前不久发生火灾的就是二期厂房，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

这几天韩国SK Hynix公司、三星公司的股价大跌，其中SK Hynix公司股价周一暴跌7%，主要原因是就市场看衰NAND闪存走势，认为价格还会继续下降，这将影响相关公司的营收及盈利。路透社今天刊发了文章介绍目前NAND及DRAM市场的情况及变化。

首先来看NAND市场的，随着业界从2D NAND闪存转向3D NAND闪存，由于生产成本更低，所以今年的产能增长超过了需求增长，迫使中小企业开始积极降价以维护市场份额。

与2017年时的高峰价格相比，NAND闪存价格已经跌去一半，并且还会进一步下滑，这导致了SK Hynix等公司周一股价大跌7%。

市场研究公司DRAMeXchange的主管艾伦·陈（Alan Chen）表示，“厂商的利润率正在恶化，主要原因是平均销售价格下降的速度远远快于成本降低的速度。”

根据他的预测，今年剩下的时间里NAND价格还会进一步下降。

野村证券预测今年的闪存芯片供应将增长40%到50%，但全球智能手机销售放缓，这将导致NAND价格下降20%。

在内存方面，由于服务器、游戏PC及加密货币等市场影响，内存价格今年上涨了20%。但是三星等公司遭到了中国反垄断机构的调查以及中国正在努力建设本土内存生产以减少对外国供应商的依赖，这让内存市场失去了涨价的动力。

据分析师称，北京方面已经把半导体行业作为“中国制造2025战略”中的重点，有长江存储、合肥长鑫及福建晋华三家公司正在准备大规模生产存储芯片。

HI Investment＆Securities的分析师Song Myung-sup表示“2019年上半年中国企业的生产规模都会很小，但是随着他们的良率变好，产量将会增加，这将影响明年下半年的半导体市场。”

Gartner首席分析师安德鲁•诺伍德（Andrew Norwood）认为中国进入内存市场可能是三星积极扩张产能的原因之一。他预测2020年和2021年将出现“（海外厂商）收入显著减少”的情况。

不过其他分析师也有表示乐观的，法国巴黎银行分析师Peter Yu表示利润增长的动力可能会消失，但他们认为2019年可以维持900亿美元的运营利润水平，并不会严重崩溃。

“丰厚而且稳定的利润是内存行业的新标准。”

三星公司预计截至6月底的季度中他们在芯片销售中将实现12.5万亿韩元（约合110亿美元）的利润，同比增长50%，SK Hynix公司也报告他们的利润将增长74%，达到5.4万亿韩元。

SK Hynix将在本月26日发布财报，三星财报发布日为7月31日，东芝公司8月8日发布财报。

许多人不知道的是，SK Hynix本身也是有晶圆代工业务的，2017年该部门营收2.6亿美元，不过只占全球晶圆代工市场的0.4%，完全可以忽略不计，而SK Hynix也一直在寻求扩大晶圆代工业务，只不过韩国本土的晶圆厂已经老化，SK Hynix这次选在中国无锡投资建厂。

根据SK Hynix公布的信息，该公司旗下负责代工业务的SK Hynix System IC（简称SHSI）子公司将与中国无锡实业发展集团合作，后者出资3.5亿美元与SHSI成立合资公司，占股49.9%，SHSI占股50.1%。

双方将在无锡建设一座200mm晶圆厂，SK Hynix将把韩国首尔东南部130公里外的清州M8工厂生产线部分设备转移到中国无锡的工厂，预计2019年完成新工厂建设。

双方合资的200mm晶圆厂相比满大街的300mm晶圆厂不算先进，不过SK Hynix的代工重点主要是模拟IC芯片生产，比如传感器、电源管理芯片等等，并不需要太先进的工艺，200mm晶圆厂也够了。

另外，SK Hynix虽然把韩国本土的晶圆厂拆除了，但该公司承诺将研发留在韩国，转移的主要是生产设施，毕竟中国模拟芯片市场空间巨大，本土生产能够获得更多优势。

中国无锡是SK Hynix的投资重点，目前SK Hynix在无锡拥有一座DRAM晶圆厂，月产能高达10万片晶圆以上，是全球重要的DRAM芯片生产基地之一。去年SK Hynix宣布建设二期DRAM工厂，投资86亿美元，目前正在建设中。

美光与联电之间的专利讼诉从去年就开始了，联电在国内法院也起诉了美光，前天福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

此事一经报道，美光股价暴跌，不过麦格里分析师发报告称此事不会对美光造成很大的影响，因为一旦真的禁售了美光产品，内存、闪存产品价格就会上涨，进而影响中国公司，而美光方面也表示尚未收到官方的禁令。

但是这件事不仅在美国半导体业界产生了动荡，韩国公司也变得紧张起来。美光只占全球内存市场的一小部分，韩国的三星、SK Hynix公司才是全球最主要的内存芯片供应商，三星占了45%份额，SK Hyni占了28%的份额。

韩国Businesskorea网站援引韩国半导体行业高管的消息称，“我们正在忙于满足市场对DRAM的需求，无法再生产更多的半导体。最糟糕的情况就是韩国公司被加入制裁名单，中国最近没有掩饰他们对控制韩国半导体产业的野心，同时还在对这些最大的DRAM供应商进行反垄断调查。”

根据这位高管的说法，韩国公司在技术上依然保持对中国竞争对手的优势，因此（制裁导致）DRAM供应中断对中国终端产品制造商也会产生危害，他预测中国法院最终将取消禁售裁决，但是中国厂商的技术水平在未来几年如果能跟韩国公司相媲美，那么韩国公司将面临更大的制裁压力。

来自韩国贸易部门的统计称，韩国5月份出口额达到了512.3亿美元，连续四个月超过500亿美元，创下了去年10月份以来的新高。

在韩国出口的产品中，半导体、石化、石油产品及电脑产品都是两位数增长，其中半导体产品出口额达到了111.6亿美元新高，比上个月增长了39%，而这主要得益于稳定的内存芯片价格，实现了21个月连续增长。

在韩国的半导体芯片出口中，中国显然是占了最大份额的，虽然没有韩国方面公布的准确数据，不过中国海关统计的5月份进出口数据中，中国从韩国进口了1135亿元的产品，出口大概是620亿元，逆差500多亿人民币。

2017年中国进口了889亿美元的存储芯片，韩国占了463亿美元，每个月平均差不多40亿美元，占到韩国半导体芯片出口的1/3多，考虑到今年的价格还在继续增长、出货量也在增加，今年5月份中国进口的韩国存储芯片只会更多。

这次出事的内存芯片主要是高端的服务器芯片，Digitimes援引业界消息称三星、SK Hynix的18nm DRAM芯片遇到了技术问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

由于18nm良率不稳，服务器DRAM芯片的供应已经非常紧张，用于数据中心的高端服务器内存会更加紧张。此外，由于服务器DRAM芯片供应的不稳定性增加，DRAM芯片Q3季度降价的速度可能比预期更快。（PS：原文说的就是降价，按理说供应不稳的后果不是涨价吗？）

不过出事的三星、SK Hynix内存主要是针对高端服务器市场的，这个问题对笔记本、PC及其他消费级产品的内存来说影响不大，消息人士认为这次曝出的问题不会对整体的DRAM芯片供应产生重大影响。

来自IC经销商的消息称，由于18nm DRAM芯片不稳定，包括阿里巴巴、腾讯、华为、联想在内的中国公司已经开始争抢20nm芯片订单。

无锡是SK Hynix在中国的DRAM内存芯片生产基地，现有产能在10-12万片晶圆/月，约占全球产能的10%，对全球内存产能都有重大影响。这两年内存芯片价格大涨，SK Hynix也跟三星一样在谋求扩大产能，接连在无锡投资升级洁净室，并建设二期工厂。

根据报道，这次发生火灾的是SK Hynix无锡工厂二期厂房，该项目总投资86亿美元，规划产能高达20万片晶圆/月。幸运的是火灾影响的只是在建厂房，一期工厂并没有发生火灾，对现有的内存生产没有影响，不过发生意外显然会拖累新厂房的建设过程。

这不是无锡工厂第一次发生火灾了，2013年SK Hynix无锡工厂就发生了大火，导致大量晶圆报废，直接影响了SK Hynix的内存产能，而全球内存在当时顺势涨价，影响极深。

这次发生火灾理论上不会影响SK Hynix的内存生产、供应，但是这两年的内存市场已经畸形，不少经销商、厂商都是在玩囤货，所以很难保证不会有人借机炒作。