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      今天,东芝(Toshiba)宣布开始使用24nm制程工艺量产NAND闪存芯片,以满足日益增长的市场需求。

      东芝表示,新的工艺有助于减小芯片面积,增加芯片容量密度,降低生产时间,以满足日益增长的市场需求。采用新工艺的闪存芯片将支持Toggle DDR接口规范,可以有效地提升数据传输速度。

      据东芝称,24nm制程工艺将用于生产MLC NAND闪存芯片,其存储密度达到2bpc(bit-per-cell),单颗容量可达到64Gb,而32Gb和3bpc的MLC NAND闪存芯片稍后亦会采用24nm制程工艺进行制造。

      更多信息可浏览东芝官方网站

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