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由于工艺从34nm进步到25nm后，NAND闪存芯片的写入寿命有所下降，因此在美光和英特尔开始使用20nm工艺打造新产品的时候，业界普遍担心新工艺会再一次让闪存芯片寿命下降。不过美光则明确表示，20nm制程工艺应用了HKMG技术，对应产品的寿命与25nm工艺产品处于同一水平。
据美光首席财政官Ronald Foster称，得益于用在CPU与GPU上的HKMG技术，20nm工艺闪存芯片在长期读写的测试中一直正常，使用寿命基本与现有25nm产品维持一致，因此无论是厂商还是用户都完全不需要担心产品寿命问题。
早前美光和英特尔联手合资的闪存厂商IMFT推出了第二款采用20nm工艺打造的128Gb（即16GB）容量NAND闪存芯片。该产品采用了最新的ONFi 3.0标准，Page size由常用的4KB提升到16KB，预计在2013年全面进驻固态硬盘产品。
消息来源：[Xbit Labs]
