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    今年下半年NAND闪存制程将向15/16nm迈进,东芝、闪迪今年4月份已经在Fab 5工厂试产15nm闪存。随着需求的增大,15nm晶圆厂产能也要增加,东芝、闪迪宣布为期一年的Fab 5二期工厂今年9月份就会竣工。为了布局未来的3D闪存,双方现在日本四日市新建Fab 2晶圆厂,预计2016年投产3D闪存。

    东芝、闪迪在日本四日市已经有Fab 5 一期工厂,始建于2010年,完成于2011年,这也是东芝系NAND产能的主力。去年8月份东芝、闪迪开始建设二期工程,今年9月份会完工。

    此前一期工程已经试产过15nm NAND闪存,不过15nm工艺的主力还是新建成的二期工厂,今年底就会大规模投产了。

    同时在四日市新建的Fab 2工厂则主要瞄向了3D闪存,目前三星已经量产了V-NAND闪存,而且在中国西安投资70亿美元新建晶圆厂生产3D闪存,东芝和闪迪进入3D闪存的进度没这么快,今年建工厂,2016年才能投产3D闪存。


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