全球四大NAND豪门中，三星早在2年前就率先量产了3D闪存，他们的V-NAND闪存已经出了2代了，随后的是Intel、美光系，双方的3D NAND闪存今年也要量产了，SK Hynix的3D闪存今年也要量产。现在东芝、闪迪系的3D NAND闪存也跟进了，晶圆厂的生产设备已经安装，今年下半年开始试产，相关产品2016年出货。

虽然都是3D堆栈闪存，不过几家厂商所用的技术并不完全相同，东芝、闪迪联合研发的3D闪存叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），堆栈层数达到了48层，核心容量为128Gb，而三星第一代V-NAND堆栈层数才24层，目前的第二代是32层堆栈，Intel、美光的3D NAND也是32层堆栈，不过他们的核心容量是256Gb，TLC类型则可以做到384Gb核心。

除了堆栈层数最多之外，东芝、闪迪的BiCS 3D闪存号称在所有3D闪存芯片中核心面积最小，这一点倒一直是东芝/闪迪闪存的优点，15nm的平面NAND中东芝闪存也是核心面积最小的。

东芝、闪迪的BiCS 3D闪存

东芝、闪迪去年就宣布了新一代NAND晶圆厂的建设，日本四日市的Fab 5一期、二期工厂主要生产15nm工艺，都已经投产，新建的Fab 2工厂则面向3D闪存，经过一年的建设现在已经开始安装3D闪存生产设备，预计今年下半年开始初步生产并出样，2016年初3D闪存正式出货。