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    全球四大NAND豪门中,三星早在2年前就率先量产了3D闪存,他们的V-NAND闪存已经出了2代了,随后的是Intel、美光系,双方的3D NAND闪存今年也要量产了,SK Hynix的3D闪存今年也要量产。现在东芝、闪迪系的3D NAND闪存也跟进了,晶圆厂的生产设备已经安装,今年下半年开始试产,相关产品2016年出货。

    虽然都是3D堆栈闪存,不过几家厂商所用的技术并不完全相同,东芝、闪迪联合研发的3D闪存叫做BiCS 3D NAND(Bit Cost Scaling),堆栈层数达到了48层,核心容量为128Gb,而三星第一代V-NAND堆栈层数才24层,目前的第二代是32层堆栈,Intel、美光的3D NAND也是32层堆栈,不过他们的核心容量是256Gb,TLC类型则可以做到384Gb核心。

    除了堆栈层数最多之外,东芝、闪迪的BiCS 3D闪存号称在所有3D闪存芯片中核心面积最小,这一点倒一直是东芝/闪迪闪存的优点,15nm的平面NAND中东芝闪存也是核心面积最小的


    东芝、闪迪的BiCS 3D闪存

    东芝、闪迪去年就宣布了新一代NAND晶圆厂的建设,日本四日市的Fab 5一期、二期工厂主要生产15nm工艺,都已经投产,新建的Fab 2工厂则面向3D闪存,经过一年的建设现在已经开始安装3D闪存生产设备,预计今年下半年开始初步生产并出样,2016年初3D闪存正式出货。

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    • 游客  2015-08-03 17:35

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      11#

    • 游客  2015-08-03 15:51

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    • 游客  2015-08-03 14:28

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    • 超能网友大学生 2015-08-03 13:27    |  加入黑名单

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    • 超能网友终极杀人王 2015-08-03 12:27    |  加入黑名单

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    • 超能网友等待验证会员 2015-08-03 12:25    |  加入黑名单

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    • 超能网友教授 2015-08-03 12:11    |  加入黑名单

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    • 游客  2015-08-03 11:30

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    • 游客  2015-08-03 11:18

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      3#

    • 游客  2015-08-03 11:17

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      2#

    • 我匿名了  2015-08-03 10:58

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