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    虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺,不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰,在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程,28nm工艺就是其中的一个,即便是台积电,28nm工艺带来的营收依然是大头,营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域,他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。

    MRAM磁阻式随机存储芯片是下一代存储芯片的候选人之一,兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各种优良特性,可说是集各种记忆体优点于一体的产品,因此被认为是电子设备中的理想存储器。只不过这些指标还是理论上的,MRAM芯片离取代内存、闪存的日子还早着呢,但在物联网、工业、汽车电子行业应用前景很广泛。

    美国公司Avalanche主要研发ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技术,日前他们宣布与UMC联电达成合作协议,共同研发MRAM芯片,同时联电也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司,并透过授权提供客户具有成本效益的28 奈米嵌入式非挥发性MRAM技术。

    在28nm工艺之外,两家公司还考虑将合作范围扩展到28nm以下的工艺中去。

    在联电之前,台积电也宣布使用28nm工艺生产eMRAM及eRRAM芯片,预计2018年底试产。三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm FD-SOI工艺,也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries之前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场,也会推进eMRAM芯片研发生产。

    国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了,去年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片,这种芯片密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。


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    已有 4 条评论,共 12 人参与。
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    • 游客  2018-08-08 03:08

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 游客  2018-08-07 13:50

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2018-08-07 12:24

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2018-08-07 09:43

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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