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    中国本身有一些相当有竞争力的半导体生产商,但这些公司都使用在其他国家开发和制造的生产设备,如日本、荷兰和美国。

    TomsHardware报道,上海微电子设备公司(SMEE)有望在2021年第四季度之前交付其第二代深紫外(DUV)光刻机。该设备可以使用28nm工艺技术生产芯片,依靠的是国内和日本生产的组件,并不依赖美国的任何制造设备和技术。在现阶段中美贸易战持续进行的情况下,这一点越来越重要。

    作为中国半导体产业自给自足的多方面计划的一部分,国内不仅鼓励芯片开发和本地制造,而且还支持半导体生产设备的制造。目前上海微电子设备公司官方网站上最高端的光刻机型号为SMEE SSA600/20,是一种浸入式深紫外光刻工具,配备了193nm的氟化氩(ArF)激光器。英特尔和台积电等公司早在2004年就开始使用浸入式DUV光刻技术,因此SSA600/200很难说是一款先进的设备。

    SSA600/20机器的后继者将继续使用ArF光源,即将推出的光刻机不但可以使用28nm工艺技术,还可用于40nm级,以及55nm/65nm制造工艺,这些工艺在多种应用中相当受欢迎。到2023年,SMEE希望生产出足以满足20nm节点的光刻机。

    台积电早在2011年就采用了28nm工艺技术,使用的是ASML的光刻机,即使SMEE在2021年第四季度出货制造28nm芯片的设备时,也比全球第一大光刻工具供应商落后至少10年。不过目前28nm工艺技术的应用相当地广泛,在未来很多年内,28nm工艺技术还将继续用于不需要FinFET晶体管的芯片。例如电视机制造商康佳集团上个月披露,计划与江西省南昌市政府合作建设一个价值45亿美元的半导体产业园。电视机和消费类采用的电子部件几乎不需要领先的工艺技术,因此28nm节点工艺对它们来说可能是恰到好处。

    已经采用了28nm工艺技术、使用ASML和尼康光刻机的芯片制造商,很可能不得不重新设计其节点,以使用上海微电子的新设备。虽然距离国内最先进的光刻机还有一年左右的时间,但要被本土半导体行业广泛采用还尚需时日。

    为了不依赖国外的技术,国内还有一个关键因素迫切需要解决和发展。目前所有对现代芯片开发至关重要的先进电子设计自动化(EDA)开发工具都来自美国的公司。在国内公司能够设计出与Cadence、Mentor Graphics或Synopsys公司的产品具备有竞争力之前,国内开发的几乎所有芯片都使用美国的软件进行设计。

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